Вопросы_2023
.DOC
1. Особенности технологического процесса изготовления скрытого слоя.
2. Особенности технологического процесса изготовления биполярных ИМС с диодом Шоттки.
3. Технологический блок изоляции элементов ИМС. Особенности LOCOS-процесса для биполярных элементов ИМС.
4. Особенности КНИ-технологии. Преимущества КНИ-приборов.
5. Методы формирования КНИ-структур. Изготовление КНИ структуры методом Smart Cut
6. Методы формирования КНИ-структур. Термокомпрессионное соединение пластин кремния с последующим утонением. Метод бондинга.
7. Методы формирования КНИ-структур. Кристаллизация пленок кремния на диэлектрических подложках.
8. Методы формирования КНИ-структур. Реактивная ионная имплантация.
9. Технологический блок изоляции элементов ИМС. Особенности LOCOS-процесса для МОП- элементов ИМС.
10. Структура биполярных элементов ИМС. Шунтирование диодами Шоттки.
11. Этапы формирования биполярных элементов ИМС
12. Особенности технологического процесса «щелевой» изоляции элементов ИМС .
13. Технологический маршрут изготовления разноименных областей (карманов) в КМОП-элементах с применением одной фотолитографии.
14. Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОП-элементов с одним и двумя карманами.
15. Применение поликристаллических пленок кремния (ППК) в МОП-элементах ИМС. Особенности получения ППК.
16.Технологический блок активной структуры ИМС на КМОП-элементах. Особенности изготовления КМОП ИМС на структурах «кремний на сапфире».
17. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Легирование канала.
18. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Подзатворный диэлектрик
19. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Электрод затвора
20. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Формирование истока, стока
21. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных МОП структур. Аномальные эффекты и методы улучшения характеристик КМОП-транзисторов
22. Конструктивно-технологические особенности изготовления ИМС на БиКМОП-элементах.
23. Технологический блок изготовления металлизации в ИС. Однослойная Al-металлизация. Преимущества и недостатки Al-металлизации.
26. Технологический блок изготовления металлизации в ИМС. Электромиграционные процессы.
27. Технологический блок изготовления металлизации в ИМС. Методы и особенности получения Al-пленок.
28. Технологический блок изготовления металлизации в ИМС. Применение пленок тугоплавких металлов.
29. Технологический блок изготовления металлизации в ИМС. Методы и особенности получения поликристаллических пленок кремния.
30. Технологический блок изготовления металлизации в ИМС. Методы и особенности планаризации поверхности.
31. Этапы формирования КМОП-элементов в ИМС. Эффект защелкивания и конструктивно-технологические методы его устранения.
52.Эффекты короткого канала в МОП элементах ИМС и конструктивно-технологические методы их исключения.
58. Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений ИМС на основе пленок Си. Методы двойной гравировки
59. Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений ИМС на основе пленок Си. Диффузионные барьеры.
60. Технологический маршрут изготовления исток-стоковых областей в КМОП-элементах с двойным легированием.
62. Транзисторы с high-k – подзатворным диэлектриком и металлическим затвором