Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Приборы и методы измерения электрических величин.-1

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
16.61 Mб
Скачать

Важное свойство моста — чувствительность по току, напряже­ нию, мощности.

Чувствительность моста — отношение изменения тока Д/г, напряжения А1/г или мощности ДРг в цепи индикатора равнове­ сия либо к относительному изменению сопротивления /?,• одного из плеч мостовой схемы, либо к абсолютному изменению сопротивле­ ния.

Чувствительность моста по

току

 

или

= Д/г/Д/?,-’,

(11.16)

 

 

напряжению

 

 

 

 

5с = Д//г/(ДЯ1д а

или

8и = ДС/г/Д&.

(11.17)

При рассмотрении вопроса о максимальной чувствительности

ставятся две задачи: 1) достижение

предельной чувствительности

схемы при условии, что значе­

 

 

 

ния

сопротивлений плеч моста

 

 

 

не заданы; 2) рациональный под­

 

 

 

бор

индикатора равновесия к

 

 

 

мостовой схеме или схемы к ин­

 

 

 

дикатору.

 

 

 

Одинарный мост применяется

 

 

 

для

измерения больших сопро­

 

 

 

тивлений (10—10е Ом).

 

 

 

Двойной мост постоянногото­

 

 

 

ка (рис. 11.7) содержит рабочую

Рис. 11.7. Схема двойного

моста

цепь, составленную из источника

питания,регулировочного сопро­ тивления Яр, измеряемого сопротивления Ях, малого сопротивле­

ния Я, образцового сопротивления Я0- Измерительная часть цепи составлена резисторами сопротивлениями Яг ЯЛ и внутренним сопротивлением индикатора равновесия Яг■ Преобразовав тре­ угольник сопротивлений Я3>Яц Я в эквивалентную звезду, можно получить схему одинарного моста, для которой условие равновесия записывается согласно соотношению /г = 0. Следовательно, из­ меряемое сопротивление

(Ях _

*з\

(11.18)

1*2

*«/’

 

При Ях = Я3, Я$ = Я^ я малом сопротивлении Я (для полу­ чения малого значения Я берется короткий соединительный провод большого сечения) вторым членом в (11.18) можно пренебречь.

Двойной мост применяют для измерения малых сопротивлений (Ю-8—10 Ом).

Для исключения влияния соединительных проводов сопротивле­ ние резисторов /?! — # 4 измерительной цепи выбирается больше 10 Ом, а образцовое сопротивление — примерно того же порядка, что и измеряемое. Для подключения образцового и измеряемого ре-

зисторов в рабочую цепь служат токовые зажимы, в измерительную же цепь — потенциальные зажимы.

Уравновешенный одинарно-двойной мост постоянного тока типа Р329 совмещает в себе оба моста и позволяет измерять сопротивле­ ния 10-8—10® Ом.

Измерение высокоомных сопротивлений сопровождается умень­ шением токов в измерительных цепях моста, понижением чувстви­ тельности последнего, а также увеличением влияния внешних

.электромагнитных помех. При этом

 

возрастают требования к экранирова­

 

нию моста.

 

 

Для измерения высокоомных соп­

 

ротивлений 10го—101®Ом применяют

 

специальные высокоомные

мосты по­

 

стоянного тока (четырехплечие и дву­

 

плечие). Чтобы исключить влияние

 

внешних электромагнитных полей, та­

 

кой

мост

полностью экранируют, а

 

одну

из узловых точек моста соеди­

 

няют с экраном, благодаря чему уме­

 

ньшаются

токи утечки.

 

 

На рис. 11.8 показана схема четы­

Рис. 11.8. Схема четырехплече­

рехплечего моста для измерения вы­

сокоомных

сопротивлений.

В плечи

го моста для измерения высоко­

моста включены измеряемое

Ях = Ях

омных сопротивлений

и образцовое Я2 — Я0 сопротивления. Плечи отношения Я3 и Я4 представляют собой низкоомный вспо­ могательный делитель напряжения (регулируемое плечо # 4 — многодекадный магазин сопротивлений с верхним пределом 105 Ом, а плечо Р3 — набор образцовых мер с значениями 105 — 102 Ом).

В момент равновесия моста измеряемое сопротивление

Кх = Я о ( Я М ) = Яо/Ь,

(11.19)

где к = Д8/Д4 = До/Я*,

 

а напряжение на нем

 

У а = V [ З Д Д , + # 0)] = ^ /[1 /(1 + к)}.

(11 .20)

Напряжение II измеряют вольтметром. Индикатором равновесия может быть электрометр электростатический или ламповый.

Мост Р4050 имеет вольтметр на плече # 4 = сопз1, а Я3 является регулируемым сопротивлением. Пределы измерения сопротивлений этого моста 10® — 1014 Ом с погрешностью 0,05— 2%. Пределы измерения мостовой схемы Р453 10-2 — 101®Ом.

Двуплечий мост (рис. 11.9) состоит из резисторов измеряемого Ях = и образцового # а — Я0, включенных в два плеча. Напря­ жения 0 а и 0 Ь подают от двух источников питания, включающих в себя устройства для ступенчатой Ех и плавной Яа регулировок на­ пряжений. Напряжения Иа и Ць измеряются магнитоэлектриче­ скими вольтметрами Ух и Уа.

Напряжение на зажимах индикатора равновесия (электрометра) с внутренним сопротивлением Яг

Яг (УаЯ0- 11ьЯху(ЯхЯ0+ ЯгЯх+ ЯгЯ0).

(11.21)

При равновесии (С/п = 0) измеряемое сопротивление

 

Я* = Я ь - ф а Ш ь ) = Я 0/ к , к = и ьШ а .

(11.22)

Перед измерением устанавливают по вольтметру

напряже­

ние Vа, при котором требуется определить значение сопротивления

Ях, а затем добиваются равновесия, изменяя напряжение IIь. Мосты переменного тока для измерения сопротивления, индук­

тивности и емкости.

Измерение сопротивления, индуктивности и емкости выполня­ ется одинарными мостами переменного тока. Поскольку сопротив­ ления плеч моста переменного тока в общем случае комплексные

(рис. 11.10), то необходим учет фазо­

вых соотношений. Для

равновесного

состояния

моста

переменного тока

справедливо

соотношение

ЯхЯз —

— Я2Я4 =

0,

записанное в комплекс­

ной форме:

 

 

 

 

 

 

 

^1^3 = ^2^4,

 

(11.23)

где — 24 — комплексные

сопро­

тивления

плеч

моста

переменного

тока.

 

 

 

 

 

Записав выражение (11.23) в по­

казательной

форме, получим

равен­

ство

 

 

 

 

 

г1е/Ф.г3е'^ = гае'ф»г*е/ч\

(11.24) Рис.

п.9. схема

двуплечего

откуда следует, что г 1г 3 =

г 224 — ра­

моста

 

 

 

венство произведений модулей

комп­

плеч, а

фх + <р3 =*

лексных

сопротивлений

противоположных

= Фг +

ф4 — равенство сумм их фазовых углов.

 

Чтобы напряжение на зажимах индикатора равновесия ИР моста переменного тока было равно нулю, необходимо одновременное вы­ полнение условий равновесия по модулю и фазе (последнее условие показывает, каким по характеру должны быть сопротивления плеч моста, чтобы обеспечить равновесие).

Условия равновесия моста можно записать в ином виде, пред­ ставив I в уравнении (11.23) в алгебраической форме — актив­

ное и

X — реактивное

сопротивления):

 

 

(Я1+/Х*) (Д,+/Хз) = (К.+/Х*) (#4+/Х 4),

(11.25)

откуда

Я Л — ХхХ3 =

З Д 4 — Х2Х4; ЯхХ9 + Я*Хх =

# 2Х4 +

+ Я*Х2.

 

наличия

Уравновешивание моста по двум величинам требует

в его схеме не менее двух регулируемых элементов. Для удобства

Рис. 11.11. Схема моста для из­ мерения индуктивности кату­ шек с<3<30

регулирования мосты строят таким образом, чтобы регулировочными элементами являлись резисторы. При сравнении емкости с индук­ тивностью регулируемые элементы располагают в противоположных плечах моста, а емкости с емкостью или индуктивности с индуктив­ ностью — в смежных. Правильный вы­

 

 

 

бор регулируемых элементов моста обе­

 

 

 

спечивает быстроту ее уравновешивания.

 

 

 

Относительная

быстрота уравновешива­

 

 

 

ния моста переменного тока называет­

 

 

 

ся сходимостью. Анализ сходимости мо­

 

 

 

ста позволяют выполнить топографиче­

 

 

 

ские диаграммы,

построенные для каж­

 

 

 

дого частного

случая.

 

 

 

 

Погрешности

моста переменного то­

 

 

 

ка определяются

погрешностью отдель­

 

 

 

ных элементов его схемы (их стабиль­

 

 

 

ностью,

точностью, расположением);

 

 

 

влиянием сопротивления соединительных

Рис. 11.10. Схема

моста пе­

проводов;

изменением параметров источ­

ременного

тока

ника питания,

индикатора

равновесия;

ния шкал у образцовых

погрешностью

градуировки

и исполне­

конденсаторов

переменной

емкости, ва­

риометров,

сопротивлений резисторов и

др. На точность измере­

ния влияют

квадратурные погрешности,

т. е. неполный учет реак­

тивных составляющих в активных сопротивлениях и активных со­ ставляющих в реактивных сопротив­ лениях. Чем выше частота, при кото­ рой выполняется измерение, тем в большей степени проявляются эти погрешности. Для уменьшения по­ грешности мост переменного тока пи­ тают через разделительный трансфор­ матор, при этом заземление моста производится так, чтобы влияние па­ разитных емкостей и утечек было ми­ нимально возможным.

Погрешность моста задается по мо­ дулю сопротивления в процентах от измеряемого значения; по фазовому углу в значениях абсолютной погреш­ ности; двум составляющим, из кото­ рых одна Ь пропорциональна значе­ нию измеряемой величины (мульти­

пликативная), другая а имеет постоянное значение, характери­

зующее остаточную

погрешность (аддитивная);

А = ± (ЬХ + а).

Например, АЬ — ±

(0,01А 4- Ь'), тогда у =

ДА/А = ± [1 +

+ (171)100].

Наиболее распространенный метод измерения индуктивности и емкости — нулевой (посредством моста переменного тока).

На рис. 11.11 представлена схема моста переменного тока для измерения индуктивности катушек, имеющих добротность <2 < 30. Измеряемую катушку с индуктивностью Ьх и активным сопротивлением Ях вклю­ чают в первое плечо. Переменный рези­ стор Я3 присоединяют параллельно к об­ разцовой емкости С3. Используя условие равновесия моста переменного тока (11.23), получим

(Ях -\~1о>Ях) 1/(1/^з“Ь/м(?з) — Я%Я4,

(11.26)

 

отсюда активное сопротивление, индук­

 

тивность, добротность катушки соответ­

 

ственно

 

Я х Я± (Я4/Я3) I Ях Я2Я4С

Рис. 11.12. Схема моста для

0.x= ((йЯх)/Ях <йС3/?3. (11.27)

измерения индуктивности ка­

Для измерения индуктивности кату­

тушек с <3 > 30

шек с добротностью 0 > 30 применяют

 

схему последовательного соединения резистора Я3 и образцовой емкости С3 (рис. 11.12). Условия равновесия моста при этом сле­ дующие:

(Ях 1(оЬх) [/?3 — //(аСз)] — Я2Я1,

(11.28)

откуда ЯхЯз + Д*/С3 = а д 4; <о1ЛЯ3 = Ях/(в>С3).

Из совместного решения последних уравнений следует, что ак­ тивное сопротивление, индуктивность и добротность катушки со­ ответственно

Ях =

(<йз^2^з^4)/[1 "Ь (соС3/?3)2]; Ях —(Я3Я4С3)/[1 -}-(шС3/?3)а];

 

Ох = (аЬхУЯх =

6* = 1/(соС3/?3),

(11.29)

где

8Л.— тангенс угла потерь.

 

 

Отсюда

 

 

Ях= ((0гС1ЯгЯ3Я*)/(1 + 1/<?1);

Ьх = (ЯЛхС3)/([ +1/(21).

(11.30)

Для катушек с высокой добротностью отношение 1/<2! незначи­

тельно по сравнению с единицей, поэтому

 

Ях *=» а^ЯзЯзЯ*; Ях ^ Я2Я4С3.

(11.31)

Для измерения емкости конденсатора Сх применяют мост перемен­ ного тока, схема которого приведена на рис. 11.13.

Исследуемый конденсатор, представленный последовательной схемой Ях, Сх, включают в первое плечо. Образцовую емкость С4 соединяют последовательно с резистором Я4- Условие равновесия моста при измерении емкости следующее:

[ # а- + 1/0’юС*)] #а = # а [ # 4 + 1/(/соС4)],

(11.32)

175

откуда измеряемая емкость и сопротивление потерь в последова­ тельной схеме замещения соответственно

 

 

 

 

с, = с4(#3/#2);

Дл=

я2(#4/Яз).

 

 

О1-33)

=

Обычно вместо Кх измеряют либо тангенс угла потерь 1§ 6* =

соСхКх в конденсаторе, либо добротность <3* = 1 / 6 * .

Подста­

 

 

 

 

 

 

 

вив в выражение для

бЛзначения

Кх

 

 

 

 

 

 

 

и Сх, получают

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6*= сйСхЯх — (йК^Сц.

(11.34)

 

 

 

 

 

 

 

 

Из (11.33) и (11.34) видно, что при

 

 

 

 

 

 

 

уравновешивании моста

резисторами /?3

 

 

 

 

 

 

 

и /?4 получается раздельный отсчет по

 

 

 

 

 

 

 

измеряемым емкости Сх и тангенсу уг­

 

 

 

 

 

 

 

ла

потерь

б*. При этом резистор

 

 

 

 

 

 

 

градуируют

в

единицах

емкости, а ре­

 

 

 

 

 

 

 

зистор

/?4 — в

значениях

б.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Мостовые цепи, показанные на рис.

 

 

 

 

 

 

 

11.11—11.13, используют в схеме уни­

 

 

 

 

 

 

 

версального моста типа Е7-4. Измерения

Рис. 11.13. Схема моста для

осуществляют на частоте 100 и 1000 Гц.

 

измерения

емкости

 

Диапазоны

измерения емкости

конден­

тушек

10—10®

мкГ;

 

саторов 10—108 пФ, индуктивности ка­

сопротивления

резисторов

0,1—107

Ом.

 

Трансформаторные мосты, (рис. 11.14) — мосты с

индуктивно

связанными

плечами. Их

основные отличительные особенности —

широкий частотный диапа­

 

 

 

 

 

 

 

 

зон (до сотен мегагерц); вы­

 

 

 

 

 

 

 

 

сокая

стабильность

и точ­

 

 

 

 

 

ТрТ

 

 

ность

(погрешность

может

 

 

 

 

 

 

 

 

быть

доведена

до

0,1—

 

 

 

 

 

 

 

 

0,5 %); хорошая защищен­

 

 

 

 

 

 

 

 

ность от влияния внешних

 

 

 

 

 

 

 

 

 

электромагнитных помех и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

внутренних

паразитных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

связей; возможность изме­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рения

сопротивлений

не­

 

 

 

 

 

 

 

 

посредственно в

схеме без

Рис. 11.14. Схема трансформаторного моста

их

отпайки;

использова­

 

 

 

 

 

 

 

 

ние образцовых реактивных элементов невысокой добротности; большая гибкость, обеспечивающая различные измерительные ре­ жимы. Применение трансформаторных мостовых схем позволило расширить диапазон измеряемых параметров примерно в 1000 раз. Наибольшее распространение получили трансформаторные мосты для сравнения одинаковых по характеру измеряемых и образцовых

сопротивлений.

Трансформаторные мосты содержат трансформатор напряжения ТрН, первичную обмотку которого подключают к источнику пита­ ния, а вторичную обмотку, состоящую из двух секций с числом вит-

ков щ и щ , соединяют через сопротивления (образцовое и измеряе­ мое) с соответствующими секциями первичной обмотки щ и щ трансформатора тока ТрТ. В цепь вторичной обмотки трансформа­

тора тока

включен индикатор

равновесияНаправление витков

щ и ш2 секций

вторичной

обмотки

трансформатора напряжений

или витков щ и щ первичной обмотки

 

трансформатора

тока

должно

быть

 

встречным.

Трансформаторы напря­

 

жения работают в режиме, близком к

 

режиму холостого хода

при постоян­

 

ном значении магнитного потока, а

 

трансформаторы

тока — в

режиме,

 

близком к режиму

короткого замыка­

 

ния. Магнитный поток в сердечнике

 

трансформатора тока изменяется с из­

 

менением

нагрузки. Первичные

ам­

 

пер-витки идеального трансформатора

 

тока равны его вторичным ампер-вит­

 

кам.

 

 

измеряемого соп­

 

При включении

 

ротивления 2.х образцовое

сопротив­

Рис. 11.16. Схемы Т-образного

ление 20 (того же характера, что и 2Х)

можно регулировать до тех пор, пока

одинарного моста

ток через индикатор равновесия не

 

будет равен нулю,

что

говорит о следующем: магнитный поток в

сердечнике трансформатора тока отсутствует и в его обмотках не на­ водится ЭДС; точки 3, 0, 4 имеют один и тот же потенциал.

Токи в цепях 20 и соответственно равны

 

/0 = г/0/20; 1Х= У ХЦ Х,

(П.35)

где (/„, IIх — соответственно напряжения на 20 и 2Х.

При нулевом магнитном потоке в сердечнике трансформатора тока для ампер-витков обеих секций его первичной обмотки справед­

ливо следующее соотношение: 10щ — 1хщ

или (Ц0120)щ =■

= {Их!2х)щ, откуда

 

г* = ( а д / 0) (ю«Л»а) 20-

(11.36)

Для идеального трансформатора напряжения 11ХШ0 ~ щ/щ .

Следовательно,

 

= (щ /щ ) (т/щ) 20.

(II .37)

При уравновешивании моста изменяются отношения щ /щ и щ/иь'а, что позволяет расширить диапазон измерения измеряемой величины. Существуют различные схемные решения изменения этих соотношений: образцовые сопротивления с постоянными и перемен­ ными значениями; секционированная вторичная обмотка, имеющая отводы и позволяющая осуществлять ступенчатое переключение образцовых сопротивлений в различном сочетании; секционирован­ ная первичная обмотка трансформатора тока.

В трансформаторных мостах возможно раздельное, т. е. незави­ симое уравновешивание активной и реактивной составляющих ком­ плексного сопротивления. Изме­

 

рение

осуществляется

методом

 

замещения.

 

 

 

 

Т-образные одинарные мосты

 

(рис.

11.15,

а) применяют для

 

измерения сопротивлений на вы­

 

соких частотах (до 30 МГц); их

 

преимущество заключается в воз­

 

можности заземления общей точ­

 

ки, в которой соединены источ­

 

ник питания моста,

индикатор

 

равновесия

и одно из сопротив­

 

лений

(заземление

позволяет

 

уменьшить

влияние

емкостных

 

утечек в схеме и упростить про­

 

блему

экранирования).

Напря­

 

жение

на зажимах

индикатора

Рис. 11.16. Схемы Т-образного двой­

равновесия

ИР, обладающего

ного моста

высоким сопротивлением (2И=

 

= оо),

легко найти,

преобразо­

вав треугольник сопротивлений 2Х, 23, 24в эквивалентную звезду. В полученной схеме смешанного соединения напряжение на зажи­ мах 1, 2

п _

ту

^1^8 ~Ь 2г23+ 2223+ 222х

,.. „о\

113

2^

+ а д + а д + а д + а д -

' ■11 •

Условие равновесия моста будет иметь место при

 

 

 

4*^4 +

=* 0.

(11.39)

Из (11.39) измеряемое сопротивление =* 24 можно выразить через известные сопротивления.

В практической схеме (рис. 11.15, б) при определении активного сопротивления Рх и индуктивности катушки, включенной в плечо

24, в другие плечи включают 2Х — 23 = 1(/юС0); 23 =

Р0, тогда

1* = 2/(со2С0); $ х= 1/(юЕа д ) .

(11.40)

Недостаток Т-образного одинарного моста — необходимость ис­ пользования высокочастотных переменных сопротивлений малого значения, создание которых сопряжено с рядом трудностей. Поэтому на практике чаще используют Т-образный двойной мост.

Условие равновесия Т-образного двойного моста (рис. 11.16, а) будет иметь место при

+ 28 ф- (2х2з/23) + 2[-\-23-\- (2[23/23) = 0.

(11.41)

Измерение активной §х и реактивной Ьх составляющих проводи­ мости катушки (рис. 11.16,6) осуществляют методом замещения, который позволяет уменьшить влияние паразитных параметров на

результат измерения. Уравновешивание моста без измеряемой ка­ тушки при С0 = Со*, С2 = С2:

1/Д = со2С2/?1[1 + (С^А)]; 1/(юС) = со[С; + 2С + (СЗ/С,)]. (11.42)

Уравновешивание моста с подключенной измеряемой катушкой:

1/д+ & = ю*сяЯ1 ( н - а д :

1/(<оС)-Ьх= ш(Со + 2С+С2А ) .

(11.43)

Проводимости §х, Ьх определяются как разности двух измере­ ний:

ёх = ш ^ С 2 (Сз - С$)/С1; Ьх = а>(С' - Со).

(11.44)

§11.4. Резонансные измерители параметров элементов

ицепей

Измерение параметров элементов и цепей на высоких частотах выполняют методом замещения в сочетании с явлениями резонанса в цепи. Зависимость резонансной частоты колебательного контура от его индуктивности и емкости следующая:

/0=1/(2я /1 С ).

(11.46)

На низких частотах резонанс проявляется менее резко, поэтому измерения выполняются на высоких частотах.

Резонансный прибор состоит из генератора высокой частоты ГВЧ, измерительного колебательного контура и индикатора резо­

нанса — электронного вольт­

 

 

метра

(рис. 11.17).

Генератор

 

В качестве индикатора ре­

4= 0

зонанса

можно использовать

Высокой

электронный вольтметр с бо­

частоты

 

льшим

 

входным

сопротивле­

 

 

нием,

показания

которого в

Рис. 11.17. Схема резонансного прибора

момент резонанса максималь­

для измерения

7., С

ны. Из

(11.45)

следует, что

 

 

если измеряемую катушку индуктивности включить параллельно образцовому конденсатору и измерять резонансную частоту, то значение индуктивности Ьх можно получить из (11.45). Также можно определить искомую емкость Сх, включив ее параллельно с образцовой катушкой индуктивности. Чтобы исключить влияние паразитных параметров на результаты измерения (емкость монтажа контура, собственную емкость катушки индуктивности, сопротив­ ления, вносимые в колебательный контур генератором высокой частоты и индикатором резонанса), резонансный способ применяют в сочетании с методом замещения. В этом случае измерения выпол­ няют дважды.

Вначале резонансный контур, состоящий из индуктивности I и образцовой емкости С0, настраивают в резонанс на частоту /0; при этом фиксируют значения /0 и емкости конденсатора Со1. Затем

параллельно образцовому конденсатору С0 подключают конденса­ тор Сх (рис. 11.18) и изменением (уменьшением) емкости образцо­ вого конденсатора добиваются резонанса при той же частоте /0;

соответствующее значение емкости будет Со2. Таким образом,

из­

 

 

менением образцовой емкости

 

 

компенсируется

включенная

Генератор

в

контур

неизвестная

ем­

высокой

кость, т. е.

Со1 = Со2 +

Сх,

чистоты

откуда

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 11.18. Схема измерения Сх методом

 

Сх = Со1 —Со2. (11.46)

 

Параллельное

подключе­

 

замещения

 

случая,

когда Сх <С С0. Если С.» >

ние Сх к С0 возможно для

Сс, то выполняют

те же опе­

рации,

но только при последовательном включении Сх и С0. Значе­

ние искомой емкости при этом

 

 

 

 

 

 

Сх = Со1Со2/(Со2-

Со1),

 

(11.47)

где Со2 > Со1. ^

 

 

 

 

 

Резонансный способ измерения индуктивности может быть ис­ пользован также в сочетании с методом замещения. На рис. 11.19 дана схема измерения малых индуктивностей Ьх, составляющих по­

следовательный колебательный контур с образцовым конденсато­ ром С0.

При первом и втором измерениях соответственно

 

 

 

2я/оС= 1/(2я/0Со1);

2л/0С+ 2

=

1/(2л/0Со2).

 

(11.48)

На основании выражений (11.48) следует, что

 

 

 

 

 

 

Сх = (С01

Со2)/(4я2/аСо1Со2).

 

 

(11.49)

Более высокую точность измерения индуктивности Ьх и емкости

Сх дает сочетание методов

 

 

 

 

 

 

замещения

при

резонансе

 

 

 

 

 

 

и нулевых

биений.

 

 

 

 

 

 

Резонансным

способом

Генератор

 

 

 

 

 

возможно измерение актив­

высокой

 

 

 

 

 

ного и полного сопротивле­

частоты п

с

=

д

з

>

ний.

 

 

 

 

 

 

 

 

Куметр. Одним из ос­

Ряс. 11.19. Схема измерения Ьх методом за­

новных параметров, харак­

 

мещения

 

 

 

теризующих качество коле­ бательного контура и отдельных его.элементов, является доброт­

ность <2- На принципе резонанса работает измеритель непосредст­

венной

оценки добротности— куметр

(рис.

11.20).

При резо­

нансе

в

последовательной цепи .и>0Ь =

1/(а>0С),

а добротность ка­

тушки

(она равна добротности

контура, если пренебречь потерями

в конденсаторе)

 

 

 

(11.50)

 

 

<3 =* (со,А)/Я* =

1/(со0С0/?к) = и вы*/</«.