Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Применение аналоговых микросхем

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
16.84 Mб
Скачать

Параметр

IRN7905RS

IRN7908RS

IRN7912RS

IRN7915RS

Входное напряжение,

В

Выходной ток, А

Рассеиваемая мощ­ ность, Вт

Диапазон рабочих тем­ ператур, °С

—35

2,2

15

о

о

- 3 5

—35

2*2

2 ,2

15

15

0 ...70

0 ...70

—35

2,2

15

о

о

Максимальное откло­ нение выходного на­ пряжения, мВ:

при изменении вход­ ного напряжения

при А/ я = 5 мА...

...1 ,5 А

Ток холостого хода, мА, при / н= 0 ,5 мА

>

>

(6V =

100

 

160

240

300

 

- 7 . . . - 2 5 В)

(^вх — 10,5 ...—25 В)

(^вх —14,5.. .30 В)

£А»х = —1 7 ,5 ...—30 В)

 

100

В)

160

240

300

3 В)

(Ию =

- Ю

(^вх=------14 В)

ви = - 1 9 В)

(£/вх = - 2

"5 g

 

 

 

2

3

3

 

II

О

3

(^вх = — 14 В)

(^вх —19 В)

(^вх —23 В)

 

Параметр

 

Значение

Примечай

Максимальное входное напряжение, В

20

 

 

Диапазон рабочих температур,

—25.. .+70

 

 

Диапазон напряжений,

В:

 

 

/ и = 1

мА

выходных

 

 

 

30...35

входных

 

 

 

4 ,5 ...1 8

= 1

мА

Относительное изменение выходного напря­

6* ю—4

А7/Вх = 4 ,5 ... 18 В,

жения

 

 

 

 

/„ = 1

мА

Входной ток, мА,

при /„ = 1

мА

14

= 4,5 В

 

 

 

 

9

t/Bx = 9

В

Рабочая частота,

кГц

 

 

7,5

Г/вх = 18 в

 

 

100

 

 

Т а б л и ц а

П5.8.

Параметры

гибридных стабилизаторов

 

 

 

 

WSH913 и WSH914

 

 

Параметр

Максимальное входное напряжение, В Максимальный выходной ток, мА

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт, при Т = + 45°С

Выходное напряжение, В

Температурный дрейф выходного на­ пряжения, % /• С, при T s= —2 5 ...

...+ 8 5 ° С Изменение выходного напряжения, мВ

Коэффициент ослабления пульсаций, дБ, при f = 100 Гц

Ток короткого замыкания, А, при R2= = 10 Ом

Диапазон регулировки выходного на­ пряжения

Напряжение шумов, приведенное ко входу, мВ:

при Ск = 0

при Ск = 4,7 мкФ, f=0,01.. .10 кГц

WSH913A*.

WSH914

 

WSH913B**

 

 

 

±36

± 18

 

±100

 

1,25

2

± 15± 0,2*

5 ± 0 ,2

±

15±0>54t,*

 

0,01 ...0,03

 

25...100

25...100

. (£/В;{ = 18.. .36 В)

(С/Вх = 7 . . . 18 В)

25...100

7 ...5 0

(7Я =

0 ... 100 мА)

(7Й = 5 -1 0 -е ... 1 А)

 

60

54

 

0,06

2

 

^вых ^

* Л » х - з в

 

0,5

0,1

 

0,1

 

 

 

 

Т а б л и ц а

6.1.

Параметры полупроводниковых балансных

 

 

 

 

 

 

модуляторов и перемножителей

 

 

 

Параметр

К140МА1

К526ПС1

К525ПС1*.

К525ПС2

К525ПСЗ

 

 

МС1595**

Погрешность

перемно­

 

± 2

± 1

± 0 ,5

жения,

о/о

 

 

 

 

 

 

 

 

Нелинейность перемно-

 

 

 

 

 

 

жения,

%:

 

 

 

 

 

 

 

по входу X

 

 

± 2

+ L ,5

± 0 ,3

по входу У

 

± 2

+ 0,2

± 0,01

Температурный дрейф

 

 

 

0,05

0,02

0,01

погрешности

перемно­

 

 

 

 

 

 

жения,

%/°С

напряже-

 

 

 

 

 

 

Остаточное

 

 

 

 

 

 

ние,

мВ:

 

 

 

 

 

 

 

 

по входу Л'

 

1.5

50

80

30

по входу У

 

4

100

60

10

Напряжение смещения,

 

15

500

104

104

t«R

 

 

 

 

 

МО

 

 

 

 

 

 

_

 

 

 

Входной ток,

мкА

 

20

8

2

2

Разность

входных то­

 

5

1

0,3

0,1

ков,

мкА

 

 

 

 

 

 

 

 

Максимальное

входное

 

± 3

± 1 2

± 10

± 10

напряжение, В

 

 

 

 

 

 

Масштабный

множи­

 

3,5

0,4

0,1

0,1

0,1

тель

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

подавле­

 

50/50

40/20

ния

опорного/управ-

 

 

 

 

 

 

ляющего сигнала, дБ

 

 

 

 

 

 

Входное

сопротивле­

 

0,04

35

10

10

ние, МОм

 

 

 

 

 

 

 

 

Полоса

пропускания,

 

2

80

1,5

1

1

МГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Граничная

частота ам­

 

100

100

60

плитудной

погрешно­

 

 

 

 

 

 

сти

1%, кГц

 

 

 

 

 

 

 

Скорость

нарастания

 

10

45

20

выходного напряжения,

 

 

 

 

 

 

В/мкс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение

питания,

± 6. ..± 1 2

± 10

+ 4 8 ...+ 6 *

± 1 2 ...± 1 8

± 1 0 ...± 1 8

В

 

 

 

 

 

 

 

—15__ —6**

 

 

Ток потребления, мА

 

5

4

5

4

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 7

 

 

 

 

Т а б л и ц а

П7.1.

Параметры микросхемы МАЗООО

 

 

 

 

 

 

 

Параметр

 

Значение

Напряжение питания, В Входное напряжение, В Рассеиваемая мощность, Вт

±10

+2

0,3

 

Параметр

Значение

Диапазон рабочих температур,

°С

—5 5 ...+ 125

Напряжение смещения

нуля, мВ

5

Разность входных токов, мкА

 

10

Коэффициент усиления по напряжению, дБ

32

Размах выходного напряжения, В

6,4

Полоса пропускания, кГц

 

650

Коэффициент ослабления синфазных входных сигналов, дБ

70

Сопротивление, кОм:

 

 

70

входное

 

 

выходное

%

 

10,5

Коэффициент гармоник,

 

5

Т а б л и ц а

П7.2.

Параметры микросхем МА3005, МА3006

Параметр

 

Значение

Напряжение питания, В Входное напряжение, В:

однофазное

дифференциальное Рассеиваемая мощность, мВт

Диапазон рабочих температур, ®С Напряжение смещения нуля, мВ:

МА3005

МА3006 Входное ток смещения, мкА

Ток потребления, мА Коэффициент усиления по мощности, дБ Диапазон рабочих частот, МГц

±12

±3 ,5 —2 ,5 ...+ 3 ,5

300 —5 5 ...+ 155

 

2,5

 

U

 

2,1

 

1

 

15

О

о (N

Т а б л и ц а П7.3. Параметры микросхемы МАА661

 

Параметр

Значение

Напряжение питания, В

15

Напряжение между входами, В

+ 4

Рассеиваемая мощность, мВт

600

Диапазон рабочих

температур, °С

0 ...7 0

Ток потребления,

мА

8 ...1 8

Входное напряжение, В:

 

детектора

 

3,7

усилителя

 

1,45

Диапазон выходных напряжений

0 ,4 5 ...1 ,5

Коэффициент усиления по напряжению, дБ

60

Максимальное входное напряжение ограничителя, мкВ

350

 

 

 

Параметр

 

 

 

Значение

Минимальное выходное напряжение детектора, мВ

 

500

 

Коэффициент подавления амплитудной модуляции, дБ

 

40

 

Коэффициент гармоник,

%

 

 

 

 

 

1

 

Входное сопротивление усилителя, кОм

 

 

3,5

 

Входная емкость усилителя, пФ

 

кОм

 

2,7

 

Выходное сопротивление усилителя,

 

100

 

Сопротивление нагрузки детектора,

кОм

 

 

2

 

Выходное сопротивление детектора,

Ом

 

 

100

 

Диапазон рабочих частот,

МГц

 

 

 

 

0,005...60

 

Т а б л и ц а

П7.4.

Параметры микросхемы МСА770А

 

 

 

 

 

Параметр

 

 

Значение

Максимальный ток потребления,

мкЛ

 

 

 

600

Максимальное входное напряжение в режиме ограничения, мкВ

120

Минимальное выходное напряжение,

мВ

 

 

 

50

Коэффициент гармоник,

°/0

 

 

 

 

 

 

3

Коэффициент усиления по напряжению

 

 

 

300

Входное сопротивление,

кОм

 

 

 

 

 

10

Входной ток,

мкА

 

мВт

 

 

 

 

 

0,27

Рассеиваемая мощность,

 

 

 

 

 

3,4

 

Т а б л и ц а

П7.5. Параметры микросхемы К157ХА1

 

 

Параметр

 

 

 

 

Значение

 

Примечание

Напряжение питания,

В

 

 

 

 

3 ,6 ...6

Вывод 14

 

Выходной ток, мА

 

 

 

0

 

10

6 В

Ток потребления, мА при £/вх =

 

4

Т =

70 °С, £/в =

 

 

 

 

 

 

 

3,3

Т «= 25 °С, £/, =

5 В

Коэффициент

усиления

по

напряже­

3,1

T = —25°С, £/„ = 3.6 В

150...350

Т = 25 °С, £/„ =

5 в

нию при f =

0,15 МГц

 

 

 

 

100...400

Т =

70 “С, £/„ =

6 В

Граничная частота, МГц

 

 

 

 

15...25

Т = 25 eC, U„ = 5 В

 

Т а б л и ц а

П7.6.

Параметры микросхемы К157ХА2

 

 

Параметр

 

 

 

Значение

Примечание

Напряжение питания,

В

 

 

 

 

3 ,6 ...6

 

Вывод 13

 

Выходной ток, мА

при £/вх= 0 ,

 

1,5

 

 

Ток потребления, мА,

 

4

 

Un = 5 В

 

# н= с о

 

 

 

 

 

 

5.5

 

Ua = 6 в

 

ЗОВ

Параметр Значение Примечание

Коэффициент гармоник,

%

5

Г=25 °С, £/вх= 3 мВ

Входное сопротивление,

кОм

0 ,4 3 ..Л

Г=25 °С, Л „= ос,

 

 

 

^въ1х=20.. .40 мВ

 

Т а б л и ц а

П7.7.

Параметры микросхем К175УВ1,

К175УВЗ

 

 

Параметр

 

 

 

 

К175УВ1

К175УВЗ

 

 

Примечание

Ток потребления, мА

по

на­

 

3 ...4 ,5

20

i,

 

1 мВ

 

 

Коэффициент

усиления

 

10

U вх =

10 мВ

 

пряжению

 

 

мА/В

_

250...400

f =

465 кГц, £/вх = 1 мВ

Крутизна преобразования,

Коэффициент шума, дБ

 

 

 

 

12

10

f =

20 МГц

 

 

Входное сопротивление, кОм

 

1

f =

1

МГц

 

 

Входная емкость, пФ

 

 

 

 

50

f =

1 МГц

 

 

 

 

Т а б л и ц а

П7.8-

Параметры микросхемы A220D

 

 

 

 

Параметр

 

 

 

 

 

Значен

 

Примечание

 

Рассеиваемая мощность,

мВт

 

 

 

4 0 0

 

 

 

 

 

Напряжение питания, В

В

 

 

 

+ 18

 

 

 

 

 

Напряжение на выводе 5,

 

°С

 

4

 

 

 

 

 

Диапазон рабочих температур,

— 1 0 ...+ 7 0

 

 

 

 

 

Выходное напряжение покоя,

В

 

1 4 , 4 . . . 2 0

^ВХ =

0

 

 

Выходное

сопротивление,

кОм

 

 

8

 

 

 

 

 

мВ

 

2 , 7

и ъх =

1

мВ,

f =

10,7 МГц

Размах выходного напряжения,

 

3 0 0

Входное

напряжение в режиме

огра­

125

f = 10,7 МГц

 

ничения,

мкВ

подавления

амплитуд­

 

UB!l= l

мВ,

f =

10,7 МГц

Коэффициент

4 9

ной модуляции, дБ

%

 

 

 

 

UBX = l

мВ,

f =

10,7 МГц

Коэффициент

гармоник,

 

 

 

0 ,6 6

 

 

Таблица

П7.9.

Параметры микросхемы A223D

 

 

 

 

Параметр

 

 

 

Значение

 

Примечание

Рассеиваемая мощность, мВт

 

 

 

400

 

 

 

 

Напряжение на выводе 5, В

 

 

 

 

6

 

 

 

 

Диапазон рабочих частот,

МГц

°С

 

 

0 .. Л2

 

 

Диапазон рабочих температур,

 

 

— 15...70

 

 

 

Параметр

 

 

Значение

Примечание

Ток потребления, мА

 

 

 

 

 

9,5 .. Л 7,5

 

Выходное напряжение покоя, В

 

 

3,65

 

 

Входное сопротивление,

кОм

 

 

2,25

Вывод. 8

Выходное сопротивление,

кОм

 

 

1,15

Входное напряжение в режиме ограничения, мкВ

 

114

Вывод 12

 

60

 

 

Коэффициент подавления амплитудной модуляции, дБ

 

50...55,8

Qo=

45

Коэффициент гармоник,

%

 

 

2,8

Отношение сигнал-шум

 

Тракт ПЧ

 

84

£/рх== 10 мВ

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по напряжению,

дБ

1

67,4

I

 

Размах выходного напряжения, мВ

 

|1

230

|

Ю мВ

 

 

 

Тракт НЧ

 

 

 

 

Коэффициент усиления по напряжению,

дБ

 

10...16,5

^вх = 100 мВ

Размах выходного напряжения, В

 

 

1,12

 

 

Т а б л и ц а

ГОЛО. Параметры микросхемы A244D

 

Параметр

 

Значение

 

Примечание

Напряжение питания,

В

 

+ 4 ,5 ...+ 15

 

 

Входное напряжение,

В

 

 

2

 

 

 

 

Диапазон рабочих температур, °С

—10...+70

 

 

 

 

 

Тракт ВЧ

 

 

 

 

Входное сопротивление,

МОм

3,3 ...4,1

с/вх =

0 ...0 .4

В

Проводимость тракта,

мкСм

1,6

 

 

 

 

Выходная емкость, пФ

 

мА/В

4,2

 

(/вх =

0,

■— 0,5 В

Крутизна преобразования,

28

 

 

 

 

Тракт ПЧ

 

 

 

 

Диапазон регулировки,

дБ

 

60

 

 

 

 

Максимальное выходное

напряжение, мВ

280

 

С/вьг< =

0 ...0 ,4

В

Входное сопротивление,

кОм

2 ,7 ...3 ,2

Выходная проводимость,

мкСм

9,8

 

 

 

 

Выходная емкость, пФ

 

 

7,5

 

 

 

 

Т а б л и ц а

П7.11. Параметры микросхемы A281D

 

Параметр

 

 

Значение

 

Примечание

Напряжение питания,

В

 

 

11

 

 

 

 

Напряжение между выводами, В:

- 4 ... + 0 ,5

 

 

 

2—1

 

 

 

 

 

 

5—1

 

 

 

—0 ,5 .. .+ 4

 

 

 

 

Диапазон рабочих температур,. °С.

—10...+70

 

 

 

 

Параметр

 

Значение

 

 

Примечание

 

 

 

 

 

Режим AM

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

по [напряже­

88,3

^вх — 5 мкВ,

=з 5 В

нию, дБ

 

дБ

65

 

=

5 В

 

 

 

 

Диапазон регулировки,

 

 

 

 

 

Выходное напряжение, мВ

241

^п =

5 В, UhK= 50 мкВ

Входная емкость, пФ

 

 

508

 

 

 

 

 

=

15 мВ

 

 

59

Srtïfc:И . - 9 В Æ = 200 мкВ

Максимальное входное напряжение, В

18,8

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент гармоник, %

7 ,2 ...1 0

 

 

 

 

 

=

200 мкВ

Входное сопротивление, кОм

2,1

 

 

 

 

 

= 200 мкВ

 

 

 

Режим 4M

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

по напряже­

79.2

 

=

5 В, £/вх= 5 0

мкВ

нию, дБ

 

 

 

410

*Л, =

5 В, UBX=

50 мВ

Выходное напряжение, мВ

 

Входное напряжение в режиме ограни­

198

Un =

5 В

 

 

 

 

чения, мкВ

подавления

амплитудной

55.2

У „=9В

 

 

 

 

Коэффициент

158

^ в =

9В ,

Uвх =* 1

мВ

модуляции, дБ

Ом

Входное сопротивление,

100

 

 

 

 

 

 

 

 

Входная емкость, пФ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

П7.12. Параметры микросхемы A290D

 

 

 

 

 

Параметр

 

 

Значение

 

 

Примечание

 

 

Напряжение питания, В

 

 

+ 8 . . . + 15

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток индикации, мА

 

 

2,8

 

 

 

 

 

 

 

 

Диапазон рабочих температур, #С

- 1 0 ...+ 7 0

Utt=

 

 

f — 1

 

 

 

Ток потребления, мА

 

 

26

15 В,

кГц

 

Баланс, дБ

 

 

 

0 ,0 8 ...1 ,6

Af = ±100

гЦ

 

 

 

 

Напряжение несущей, мВ

 

16...22

fo=19 кГц

 

 

 

 

 

Подавление переходного выброса, дБ

30...40

fo=19

кГц

 

 

 

 

 

Входное сопротивление,

кОм

2

^вх =

2,8 В, f

=

1 кГц

 

Коэффициент гармоник,

%

 

0 ,2 ...0 ,6

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по напряжению,

—8

 

 

 

 

 

 

 

 

лБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент подавления,

дБ:

21,9

^вх =

100 мВ,

f , =

19

кГц

несущей f0

 

 

 

боковых частот

 

 

21,4

 

 

 

 

 

 

 

 

гармоник несущей

 

 

28...32

<о=19 кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30...36

fo=38 кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

82

fo=67 кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

53

f«=U 4 кП1

 

 

 

 

 

 

Параметр

МВА915,

 

МВА915А

Напряжение питания, В

17

Входное

дифференциальное

± 5

напряжение, В

0,35

Выходной ток, А

Рассеиваемая мощность, Вт

0,675

Диапазон

рабочих темпера­

—30...+70

тур, °С

 

3,7

Ток потребления, мА

Выходная мощность, Вт

0,5

Входное напряжение, мВ

15

Коэффициент гармоник, %

5

Входное сопротивление, кОм

9

Отношение сигнал-шум, дБ

72

Полоса пропускания, кГц

6

МВА810

5 . . . 20

2,5

5

155

20

о

о о

2

80

5

0,05...15

MDA2010»

MDA2005A*,

MDA2020

MDA2005B”

± 5 ...± 2 2

28

3,5 3,5

252X30

-40 ...+ 155 —40...+155

14065...120**

75...150*

 

15

2X10*

260

2X20**

0,3 ...I

0,2

...2

0.3...1

 

80

200

 

5

0,03

...100

15

Таблица П7.14. Параметры микросхем низкочастотных усилителей мощности, выпускаемых в СССР

Параметр

К174УН8

К174УН9

К224УН16

К224УН17

Напряжение питания, В

1 0 ,8 ...1 3 ,2

10,2

13,2

18

 

 

ОЛ ОС

 

Ток потребления, мА

30

1 0 ...1 5

3 U .• .оэ

5 . .. 2 0

1450

Максимальный выходной ток,

260

630

1800

мА

 

1

2

4,5

Выходная мощность, Вт

I

и,ио♦- .ли

Полоса пропускания, кГц

0 ,0 3 ...2 0

0 , 1 .. .2 0

0 ,0 4 ...2 0

о

1

2

Коэффициент гармоник, %

2,5

Z

10

Входное сопротивление, кОм

10

10

4

50

я

л

Сопротивление нагрузки, Ом

30

4

 

4

«

 

п

Входное напряжение, В

1,5

1

1,5

2

Напряжение питания, В

13,2

18

- 3 3

+ 2 6 ,4

Ток потребления, мА

15

ОЛ

 

Максимальный выходной ток,

1009

30

 

мА

 

 

Выходная мощность, Вт

2

20

Полоса пропускания, кГц

0 ,0 3 ...2 0

5

4

 

Параметр

 

К174УН8

К174УН9

К224УН16

К224УН17

Коэффициент гармоник,

%

2

0,04...20,16

0,05...20

0,02...20

Входное сопротииление, кОм

10

1,2

2,5

1,5

Сопротивление нагрузки, Ом

4

100

300

Входное напряжение, В

 

4

8

4

 

Т аблица

П7.15. Параметры микросхем низкочастотных

 

 

 

 

усилителей мощности,

выпускаемые в ГДР

 

 

Параметр

 

 

А208Е*,

А210Е*,

A21ID

А2030Н*,

 

 

 

А203К”

А210К**

A2030V*

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение питания, В

 

4 ... 15

4...20

4,1....15

± 6 ...± 1 8

Входное напряжение покоя, В

3 ...5

3 ...5

0,5.. .1.5

3.5

Максимальный выходной ток,

2,2

2,5

1

А

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Максимальная

 

рассеиваемая

1,3*

1,3*

1

20

мощность,

Вт

 

 

темпера­

5**

5**

10...+70

—25...+ 70

Диапазон

рабочих

—25...+70

—25...+70

тур, °С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток потребления, мА

 

17,5

8,45...15

3,35...10

40...60

Входной ток покоя, мкА

0,22...4

0,22...4

0,24

 

Входное напряжение. мВ:

24...55

 

4

 

при ЯВых= 1*5 Вт

 

_

при Я В ы .ч =

2,5 Вт

 

30—41

_

Коэффициент усиления по на­

36,8

36,8

44...47,5

пряжению, дБ,

при Р Вых =

 

 

 

 

=2,5 Вт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выходная мощность, Вт

 

3

5,8

16...18*

Коэффициент гармоник,

%:

 

 

 

10...11**

при РВЪ1Х=

50 мВт

 

2

2

1,33

0 ,1 ...0 ,5

при РВъ1х =

2,5

Вт

 

— ,

0,32...2

8

 

приРв,1Х= 5 В т

кГц

 

3,2

_

_

Граничная

частота,

 

20...41

20...41

Отношение сигнал-щум, дБ

*—

 

54,7

70

Т а б л и ц а

П7.16.

Параметры микросхем низкочастотных усилителей,

 

 

 

 

 

 

выпускаемых в ПНР

 

 

Параметр

UL1401P*

 

 

ULI402P»*

UL1440T

UL1480P

 

UU403P***,

 

 

 

Напряжение питания, В

8...16*

6 .. .2 4

5 ...3

0

 

8 . .

. 19**

 

 

Максимальный выходной ток,

8 . .

.25***

 

 

1*

3

1.5

 

А

1,5**

 

 

 

 

1,5***

ULI481P,

ULI481T,

ULA6481P,

ULA6481T

о см

2,5

-----------—'"

Соседние файлы в папке книги