книги / Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников

о чем

сви д етел ьств у ю т данные м и кроэондового

а н а л и

за .

По

этим дан ­

ным,

соотнош ение между содерж анием Ос/ и

Те { $

/)

д л я

О /Т е и

д а т

обеднение

п о в ер х н о сти

S à

и

3 /

,

а

в

случае

3/2 Те5 ~ 3/й 3% ~

селеном

(р и с .

2 ) .

Полученные

р е зу л ь т а т ы

сви д етел ьству ю т

о больших возм ож ностях,

которые

м огут

быть р еал и зо в ан ы

с

помощью

л а зе р н о го

излучения

при

модификации

п р и п о вер х н о стн о го

с л о я

полупроводника и

в случае

фун­

д ам ен тал ьн о го

поглощ ения

объяснены

н а

основе

м одели

теп лового

на­

г р е в а полуп роводн и ка

лазерны м

и злучен и ем .

Т ак ,

при

невысоких

уро­

вн ях облучен и я

падающая э н е р ги я

д о с т а т о ч н а

то л ько д л я п р о гр ева не­

ско л ьки х м он ослоев п о вер х н о сти ,

которы е

в

основном

с о с то я т

из

ад ­

сорбированны х

атом ов

и в

р е з у л ь т а т е

ч е г о

происходит их и сп арен и е.

У величение

п л о тн о сти

эн ер ги и

в

импульсе

в е д е т к

увеличению

гради ­

е н т а тем пературы

у п о вер х н о сти

облученного

о б р азц а,

который

обус­

л о в л и в ае т п оявлен и е

в приповерхностном

слое

значительны х

термоуп­

р у ги х напряж ений.И х

наличие

сущ ественно

м ен яет

х ар ак тер

химических

п р о ц ессо в н а п оверхн ости

полупроводника

при

ее

химической

обработ­

к е .

Дальнейш ее

увеличение

п лотн ости

эн ер ги и

и злучен и я

приводит к

таком у п р о гр е в у

п о вер х н о сти ,

цри

котором

происходит

плавление

и

исп арен и е м ат е р и ал а ,

причем

испаряю тся

в

первую

очередь

л егк о л ету ­

чие

компоненты .

Ï .

В ерченко

Н .Н .,

Ангина

Н .Р .

Методы

электронной и ионной

сп ектро ­

скопии д л я

и ссл ед о ван и я

п овер х н о сти

и

гран и ц р а з д е л а

в

полупро­

водниковой

электр о н и ке

/ / Ьарубеж . тех н и к а . - 1 9 8 6 .

-

ft

9 .

-

2 . Коршунов

А .Б .,

Г аськ о в

А.М. О

возможном

механизме л азерн ой

р~ е

ко н вер си и на

п о вер х н о сти

антим онида

индия

/ /

П оверхн ость,

физи­

3 .

к а ,

хим ия,

м ех ан и ка . -

1 9 8 6 .

-

ft

I .

-

С .6 1 -6 9 .

в

по­

Динамика

п ер екр и стал л и зац и и

и

п ерер асп р ед ел ен и е цримесей

лупроводниках

цри

м иллисекунда ом

л азерн ом

в о зд е й с тв и и

/

С .Г .К и -

я к ,

А .К .Ш ухостанов, Г .В .С авицкий

и д р .

/ /

Ф изика

и 'т е х н и к а

по­

4 .

луп роводн и ков .

-

1 9 8 4 .

-

1 Д ,

в . 8 .

-

С .

1 4 4 6 -1 4 4 9 .

н а

Б у д зу л як

И .М .,

Д анилевич

О .И . Влияние

л а зе р н о го и злучен и я

стр уктурн ое

соверш енство

бинарных

полупроводников. -

К иев,

1 9 8 6 . -

21

с .

-

(П репр .

/

АН УССР.

И н-т м атер и ал о вед ен и я;

ft 1 4 ) .

Уда

6 3 1 .3 1 5 .5 9 2 :5 3 9 .2 1 3

тельность м атериала,

технологичность,

деш евизна

позволяю т

с о з д а ­

в а т ь на е г о основе

преобразователи

солнечной

эн ерги и большой п ло ­

щади. К методам получения пленок

о тн о сятся разлож ение мо­

носилана

S ify

в плазме

тлеющего р а з р я д а , реакти вн ое вы со к о ч асто ­

тное распыление кремниевой мишени в

аргоноводородной

атм осф ере,

ионно-лучевое

осаждение

и д р . Наиболее

перспективным

методом

я в л я ­

е т с я разложение

моносилана в ВЧ-плаэме

тлеющего р а з р я д а .

Технологические

параметры

получения

o (-S //f

существенным

о б р а ­

зом зав и ся т от многих

особенностей

используемой системы , основны ­

ми

из ^которых являю тся

следующие: частотны й ди ап азо н

0 ,5 - 1 3 ,5 6 мГц,

давление

0 ,5 - 1 ,5

м м р т . с т . ,

температура^подлож ки

1 5 0 -4 5 0

°С .

Ско­

р о с т ь нанесения

пленки

со ставл яет I-T 0

А /с . Для

п ровед ен и я

э к с п е ­

риментов

по получению пленок

и выявлению

зави си м ости

их

электроф изических х арактери сти к

от

технологических режимов

была

сконструирована

у стан о вк а,

в основе

которой и сп о л ьзу ется

д в у х э л е ­

ктродн ая

ем костная

систем а

тлеющего р а з р я д а . Рабочий

д и ап азо н ч а с ­

тот

устан овки

0 ,0 8 -4 7

мГц.

В р е зу л ь та те экспериментов

были

определены

зави си м ости

э л е к т -

рооптических х ар актер и сти к,

а также

ско р о сти

р о с т а

п ленок

<x-S//t

от

таких

основных технологических п арам етров,

к а к

мощность

р а з р я ­

д а

W

(В т ); давление

рабо чего

г а з а

Р

( м м р т . с т . ) ,

тем пературы

подложки

Т

. На р и с .1

п редставлен а

зави си м ость

оптической

шири­

ны запрещенной

зоны

£

,

пленки

от тем пературы подлож ки

Гп

•

Величина

£ 0пг

оц ред еляется

из

эксперим ентальной

зави си м о ­

сти

o ( â i a 3 s ( h i -

£опг ) £

путем

экстраполяции

зави си м ости

(а

от

h i

к значению

ос =

0 .

Из

р и с .1

с л ед у е т,

ч то

с увеличением

Гя £ tn r

п ад ает

и

д о сти гает

минимального зн ачен и я

при

Ç

-

360 °С .

И спользуя

эмпирическую

зависим ость

£0/tr

(1 ,3 7 + 2 ,5 х )/Д г д е

можно сд ел ать

вы вод,

ч то

£опг

существенным

образом

за в и с и т

от

концентрации водорода в

п л ен ке .

Зависим ости

f ajrr

от

мощ ности

р а зр я д а

и

давлен и я

р аб о ч его

г а з а н о сят

более

сложный

х а р а к т е р .С к о ­

р о с ть р о с т а линейно

зави си т

от

мощности р а з р я д а

и д о с т и г а е т

м акси ­

м ального

значения 10

А /с

го и мощности р а з р я д а 1 5 0

Вт

и д авл ен и и

р аб о ч его

г а з а

Р

= .5 ‘ДО"-1

мм р т . с т .

Дальнейшее

у вел и ч ен и е - мощ нос-

132

ти

р а з р я д а не

и зм ен яет

ско р о сти р о с т а пленки,

ч то

сви д етел ьств у ­

е т

о насыщении,

определяемом коли чеством J /f y

в

р а з р я д е . С оглас­

но

литературны м

данным,

ск о р о сть

не

зав и си т

от

£

из ч е г о

д ел а ­

е т с я вы вод о н езави си м о сти р еакц и й

в

объеме

плазмы

и реакц и й

те р ­

м и ческого р азлож ен и я ком плексов

S lfy ,

н а

п оверхн ости

под­

лож ки. Однако было у стан о вл ен о ,

ч то

в

значи тельн ом

ди ап азон е

мощ­

н о стей

р а з р я д а

о к о р о сть

р о с т а пленки ум еньш ается

п ри близительно в

2 р а з а

при

£

=

260 °С . Можно предполож ить, ч то

так о е

изм енение

с в я за н о

с

терм остим улираванной п ерестрой кой

структуры растущ ей

п л ен к и .

П о к аза тел ь

цреломления

определяемый методом

интерф е­

р ен ц и и ,

к о л е б л е т с я

от 2 ,9

д о

4 ,2

в

о б л асти эн ерги й фотонов от 0 ,4

д о 2 ,0

эВ ,

ч т о

с о в п ад ает

с

литературны м и данными.

Для и зучен и я

вл и ян и я

тех н о л о ги ч ески х

режимов н а

ф отопроводим ость

, пленки

и ссл ед у ем о го м атер и ал а выращ ивались

н а лейкосапф ировы х

подложках

при разли чн ы х

зн ач ен и ях

тем пературы

подложки, мощности р а з р я д а ,

д авл ен и я р а б о ч е г о

г а з а .

,

На

р и с .2

п р и вед ен а

с п е к т р а л ь н а я зави си м о сть

ф о то о тв ета обра­

зц о в , выращенных п ри разн ы х

тем п ер ату р ах , но

постоянны х

мощности

р а з р я д а

и д авл ен и и

р а б о ч е г о

г а з а .

В

о б л асти

эн ер ги й ф отонов A t > 2 эВ

1 3 3

величина

ф о то о твета

р е з к о

п а ­

д а е т ,

ч то

можно объясн и ть

вл и ­

янием

поверхностной

реком бина­

ции

н а врем я жизни

неосновны х

н оси телей ,

а

такж е

уменьшени­

ем

толщины

об л асти возбуж дения

носи телей .

В

и н тервале

эн ер ги й

0 , 8 - 2 ,0

эВ

сп ек тр ал ьн ая

за в и ­

симость

ф о то о твета

о п р е д ел я е т ­

ся

спектром

коэф фициента

п о г­

лощения ^.К ак

видно

из р и с . 2 ,

форма кривой сп ектральн ой

з а ­

висимости

и максим альное

з н а ­

чение

ф о то о твета сущ ественно

за в и с я т

от

тем пературы

подиож -

0,9

Х.ыки

ки

о б р азц а .

Это у к азы в ает

н а

т о ,

ч то

тем п ература

подложки

о тв е та образцов

f/^ Knm0rnOiS o n 0

£

сильно

вл и яет н а п л о тн о сть

o t-S /ff от

тем п ер а-

*

в

запрещ енной

з о н е .

туры

подложки

Гя ,

С:

состояний

4

— 240; 2 - 260;

3

- 200;

4

-

280 р о СТ величины

ф о то о тв е та

о у в е ­

личением

Г„

до 280 °С

с в я з а н

с

возрастан и ем

концентрации

S i//

-конфигураций и уменьшением п лот­

ности дефектных состояний . Дальнейшее увеличение

тем пературы

под ­

ложки приводит

к

разры ву связей

S J - / /

,

возрастанию п л о тн о сти

д е ­

фектных состояний

и

уменьшению ф о то о тв ета .

Легирование

пленок

$}ff

осущ ествляется

добавлением

в

о сн ов ­

ной

рабочий г а з

газообразны х

соединений

фосфора,

мышьяка,

б о р а .

К-.

таким

соединениям

отн о сятся газообразны й

фосфин РН3 , арси н

»

диборан B^Hg и

трехфтористый

бор

3 f3

. В

ходе

эксп ери м ен тов

бы­

ли

исследованы

зависим ости

электропроводности

пленок <*-$///

о т

к о ­

нцентрации легирующих соединений в рабочем

г а з е .

Было

п о к а з а н о ,ч т о

увеличение содержания фосфина в плазме

тлеющего р а з р я д а от 0 ,0 1

д о

1 ,2

% по отношению к

рабочем у г а з у

вы зы вает

повышение

проводим ос­

ти

&

пленок

o t-s /H

от 2 * Î0 "^ *

до 3 , 5 -ÎO - ^

Ом»см“* .

Дальнейш ее

ханической прочности пленки tx - S i/f

,

ч то можно об ъ ясн и ть

избы точ ­

ным

содержанием фосфора в структуре

с е т к и . С качкообразное

и зм ен е ­

ние

электропроводности

X - Sift при

легировании бором

о б ъ я с н я е тс я

процессам и компенсации

проводимости

^ -т и п а * не л еги р о ван н о го

м ате ­

р и а л а . М аксимальная проводим ость,

полученная автором

р аб о ты ,

д о с ­

т и г а л а

5 ‘1 0 " 3 Омсм"*

при добавлении

в рабочий г а з 1

% д и б о р ан а .

Также

были исследованы

температурные

зави си м ости п р о в о д ам о сти .У с -

134

тан овлен о, ч то

наибольш ей

проводим остью

обладают

о б р а зц а , получен­

ные

в и н тер в ал е

тем п ер ату р

2 8 0 -3 2 0

°С .

О чевидно,

это св я зан о с

ми­

нимумом п л о тн о сти

со сто ян и й

/ ( / ■ ) ,

приходящ емся,

к а к и зв е с тн о ,

н а

это т

тем пературны й

и н те р в а л .

Аналогичный р е з у л ь т а т д о с т и г а е т с я

при

д об авл ен и и

в рабочи й г а з

тр ех ф то р и сто го б о р а .

Однако

е г о

со­

держание д о с т и г а е т

при

это м 4 5

%, ч т о о казы вает сильное

влияние

на уменьшение ск о р о сти

р о с т а

пленки

. Р езу л ьтаты

и сслед о ва ­

ний,

приведенны е в

р а б о т е ,

дают

хорошие

предпосы лки к

и сп о л ьзо ва ­

нию аморфного ги д р о ген и зи р о ван н о го

крем ния в тонкопленочной эл ек ­

тронике .

УДК

6 2 i . 3 î5 : 5 9 2

Узкощелевые полупроводниковы е

соеди н ен и я

p&f_x $пх Г е

привлекаю т

внимание и с с л е д о в а т ел е й

своими

необычными

свой ствам и

й возможностью

тех н о л о ги ч ески у п р ав л я ть

этим и

сво й ствам и . Они х ар актери зую тся вы­

сокой подвижностью н о си тел ей т о к а , возможностью инверсии зо н , боль­

шими зн ачениям и стати ч еск о й

д и электр и ч еско й

проницаем ости . Много­

численные

и ссл ед о ван и я £ - 4 7

указы ваю т

н а

возмож ность

ф азо во го п е ­

р е х о д а

по

тем п ературе

при

различны х

зн ачен и ях

/ .

В Pfy_x Snx Ге нали­

чие

с е гн е т о э л е к т р и ч е с к о го

ф азо в о го

п ер ех о д а

наблю дается лишь

при

некоторы х

зн ач ен и ях

А

и

концентрации н оси телей т о к а . Поэтому

целью

настоящ ей

работы я в л я е т с я

ан али з в

р ам ках

двухзонной модели

о

у ч е ­

том

н еп ар аб о л и ч н о сти

сп е к тр а

эл ек тр о н о в

и

их взаи м о д ей стви я

с

по­

перечными

оптическими

фононами

зави си м ости

кри ти ческой

температуры

£

Ça )

( f l -

эн ер ги я

Ф ерми),

т . е .

п остроен и е

ф азовой

диаграммы в

п л о ск о сти

переменных

£

,

я

или

/ г

с

учетом

зави си м ости

таки х

п ар ам етр о в

за д а ч и

к а к

ширина

запрещ енной

зоны

г у

, п ери ода

реш ет­

к и

а ,

/V

от

тем п ературы . Т а к а я зави си м о сть о б у сл о вл и вается

эффек­

там и те п л о в о го

расш ирения,

электрон-фононны ми

п роц ессам и , не

учиты­

ваемыми модельным

гам ильтонианом , и , наконец,* прямым фонон-фононным

энгармонизм ом

/ Ь ,

§ 7 .

В р е з у л ь т а т е

п о л у ч а е т с я ,

ч то

необходимо

р е ­

шать б о л ее

сложное

нелинейное

и н тегр ал ьн о е

уравнение с

зависящими

от

тем пературы

парам етрам и . Для н агл яд н о сти

им еет

смысл п р и вести

зави си м о сть

Гс

((U)

,

п р о и зво д я п оследовательн ы й

у ч е т то л ьк о

ч то

перечисленны х

ф ак то р о в, влияющих н а

вели чи н у

£

. .П остроенная т а ­

ким

образом

ф а зо в а я

диаграм м а

б у д ет

и ск аж аться

при

п о сл ед о в ател ь ­

ном

у ч е т е

э ти х ф ак то р о в .

Кроме

т о г о , при

ее р а с ч е т е

были и с п о л ь зо -

135

ванр

значения

параметров (

,

а и

д р . ) ,

характерны е

д л я к о н к р е ­

тн ого

со става

твердого

р а с тв о р а

•

У равнение,

оп р ед е ­

ляющее фазовую диаграмму

£

(fl)

в

приближении

сам о со гл асо ван н о ­

г о

поля

при

использовании р е зу л ь та то в

3 >

Ч ] имеет ви д

2_

+ t h

г sff

7

fle

( î )

9

4АГС

J

е + £ ^

Зависимость

£

( f l)

,

ко то р ая след ует

из

(-1),

п олучена

чи слен н о

для следующих, представляющих интерес с

точки

зр ен и я эк сп ер и м ен та,

сл у чаев:

Pbf _x 9nx f t

,

х

= 4 ,

W = 4 ,5 4

эВ;

х

=

0 ,4 8 ( 0 ,5 2 ) ,

-

=

0 ,0 9 ,

W

=

2 ,5

эВ,

В случае х

= 4 ,

т . е .

для

S /rft,

зави си м о сть

f l

от

Г

сл аб ая,

так

к а к

(вырожденный

полупроводник) .При

х

Ф 4

£д

достаточно

м ало,

и ,

кроме

т о г о , концентрация

с о б с т ­

венных деф ектов,

поставляющих

свободные

н осители в

разреш енную

з о ­

н у ,

н евели ка (40*® -

40*®

сьГ3 ) ,

В таки х

уоловиях

и м еется за м е т н а я

зависим ость

f l

( / ) .

Другими словами,

д л я

определения

Ге

в с л у ­

чае

х

-

4

одновременно

с (4 )

необходимо реш ать

уравнение

э л е к т р о -

н ей тральн ости ,

которое

может

быть п редставлен о

в

виде

/ 8 /

л

,* fSs

* / &

f

/*

^

\

2 ,f 7 'f 0

(е$ Г )

i t

y

(2 )

гд е

( / f y )

-

двухпараметричеокий

и н тегр ал

Ферми.

При получении (2 ) учтены непарабодичность

за к о н а д и сп ер си и

электронов в окрестн ости экстремумов в

/ - т о ч к а х

зоны

Бриллю эна и

конкретные зн ачен и я межзонных матричных

элем ен тов,

полученные

и з

опы та.

Р езультаты р а с ч е т а

представлены

н а

р и су н к е . Видно,

ч то

б е з

у ч ет а зависим ости

парам етров

от

температуры

и

б е з р ассм о тр ен и я

ан ­

гарм онических и флуктуационных эфф ектов,

а

также

теп л о во го

расш и­

рен и я п о л у чается

об л асть двухзначнооти

н а

ф азовой

диаграм ме

I :

од­

ному и тому же значению

f l

(P & S n Г е )

с о о тв ет с тв у е т две

к р и т и ч е с ­

кие

температуры

цри

одной

и той

же концентрации

собственны х д еф ек ­

т о в . По

аналоги и

с

ф азовой

диаграммой

д л я

сверхпроводника с

м агн и ­

тными примесями

(к р и вая

С ар м а),

гд е дву х зн ач н о сть

и с ч е з а е т

п ри

у ч ете

ф луктуаций,

в

нашем

случае

сл ед у ет

ожидать подобного

и зм ен е ­

ния ф азовой

д и агр ам ш

при

более

полном рассм отрен и и . .Д ействитель­

н о , вв о д я

зависим ость

€д

и

конотйнты

взаи м о д ей стви я

f l

о т

тем ­

пературы

з а

очет

теп лового

расш ирения

к р и стал л а

( т . е .

учи ты вая

ан ­

гармонические слагаемые в свободной эн ерги и

к р и с т а л л а ),

п олучаем

фазовую

диаграм му

^

(fl)

б е з двухзн ачн ооти (р и су н о к , к р и в а я

П ) .

136

ф азовo f

диаграммы. Сравнение ф азовой диаграммы

д л я со с та в о в х = Î ,

х = О Д 8

(0 ,5 2 )

было выполнено н а основании

чи слен н ого

р а с ч е та * Д л я

это го сначала в

модели Дебая вы числена сумма

в

( 3 ) . В

р е з у л ь т а т е

получено

уравнение

о

которое

затем

численно реш алось

на

ЭВМ. Р езу л ьтаты

р а с ч е т а

п р е д с т а ­

влены

н а ри сун ке. Численное

значение

Тс

сильно

зав и си т

от

/

.Д о с т а ­

точно

лишь

намного

изменить

ÿ ,

чтобы

положительный ко р ен ь

у р а в н е ­

ния (4 )

( т . е .

Т0

;> 0 )

и счез

или

в с я

к р и в ая

TQ

Çtf)

р е з к о

ушла

в в е р х ,

минуя

опорные

точки .

1 .

C a r r ie r

D e n sity

Dependence

o f

S o ft

TO -phonon

i n

Sr>TC by

Raman

S c a tte r in g

/ S .S u g a i,

K .M urase,

S .K atayam a

e t

a l .

/ /

S o l .

S t a t e

2 .

Commun.

-

1977.

-

â i ,

N

2 .

-

P .

4 0 7 -4 0 9 .

_

S o ft-P h o n o n Induced Raman

S c a tte r in g

i n

Iÿ-VI_ Compounds /

T .S h im ad a,K .L .J,K o b ay ash i,Y .K atay am a,

K .l<'.K om atsubara

/ /

P h y e .

3 .

R ev.

L e t t .

- 1977.

-

12 .

Я

3 .

-

P.

1 43 -146 .

P h a se s

T r a n s i ­

Kawamura

H.

E le c tro n -P h o n o n

I n t e r a c t i o n

In d u ce d

t i o n

i n

IV -V I

Compounds

/ /

P ro c .

o f

th e

3 -d

I n t e r n .

C o n f.P h y s .

Harrow -Gap

Sem icond.

-

tfarsaw a,

1977.

-

P .

1 2 7 -1 2 9 .

4 . М агнитная восприимчивость

и тер м о -эд с

узкощ елевых

д о л у ш ю во д н и -

ков

Pr-*S/rf ге

при

структурном

фазовом

переходе

/

В .М .Б а ги н -

ский,

Р .О .К и ко д зе .

Т .В .Л аш карев,

М .В .Радченко .

- К и ев,

4 9 7 8 .

-

28

о .

-

(Препр.

/

АН УССР.

Ин-т

физики:

Ж

7 8 - 1 8 ) .

Sem ooohduc-

5 . Наt o r i А '• D is p la c iv e

P hase

T r a n s itio n

i n

H arrow )^Q ar

to r e

/ /

J .

Phye.

S oc.

J a p .

-

1976.

-

40 ,

N

1.

-

P .

1 6 3 -1 6 8 .

and

6 . M aily an

G .L .,

P la k id a

N.M.

F lu c tu a tio n s

o f

O rd er P a ra m e te r

Anharm onio

I n t e r a c t i o n

i n

V ib r in io

M odel

o f

F e r r o d i e l e c t r i o

/ /

Phye.

S t a t

S o l.

-

1977.

-

aS£L,

N

2 .

-

p .

543 -5 4 7 .

o f

7 . M a rtin e z

G ., S h u lte r

M .,

Cohen

M.L.

E le c tr o n ic

S t r u c t u r e

.

PfSeand PtT e .

I

Band

S t r u c t u r e s ,

D e jn c itie s

o f

S t a t e s

and

E f f e c -

t iv e M asses

Ц

Phye.

R ev.

-

1975.

-

M

l ,

N

2 .

-

P .

6 5 1 -6 5 9 .

п о - .

8 . Равич

Ю .И.,

Ефимова Б .А .,

Смирнов И. A T Методы и ссл ед о ван и я

^ п р о в о д н и к о в

в

применении

к

халькоген и дам

сви н ц а

P â t e ,

P

t s ,

9 .

РЪУе>

-

М .:

Н аука,

4 9 6 8 .

-

3 84

с .

I n s t a b i l i t y

and

P h o n o n -W id th

D aughton

W .J .,

De

F a c io

В.

L a ttio e

i n

r ti - j f S n x Te U

j .

P hye.

C.

S o l.

S t .

P hye.

-

197 8 .

-

JJL,

N

7 . -

Бахматюк Б .П .,

Н етяга

В .В .

Особенности

электрохим ического

61

интеркалирования м он оселещ дов индия и

гал л и я

галогенам и

Г ригорчак И.И. Термодинамизеские аспекты интеркалирования

слоистых полупроводников. I . Реш еточное состояние

гостевы х

65

атом ов и

сво й ства л н теркалатов . . ......................

.....................

..............

Прокипчук Т .П .,

Середок А .И . И сследование

процессов интер­

калирования - деинтеркалирования в водородных

и н тер кал атах

селенида

гал л и я

методом Ш

Р ............................................

..........................

71

Козьмик И.Д. Протонные интеркалаты : методы получения и не­

75

которые

физико-химические

с в о й с т в а ......................................................

Лукьянюк В .К .,

Товарницкий

М .В ., Воронюк С .П . О влиянии ин­

теркалирования

на оптические

и электри чески е сво й ств а

с е л е -

79

нидов индия

и

г а л л и я .................

......................................................................

Летюченко С .Д .,

Копыл А. И. И сследование

м онокристаллов

т в е ­

83

рдых растворов

РЗГ_Х £ех Те

,

выращенных

и з

паровой

фазы . . .

Данилок Г .В . Наблюдение

ЯМР в

м онокристаллических

п л асти ­

89

нах

Р Ь Т е

...................................................................................................................

Бахтине»

А.П. Легирующее дей стви е висм ута

в

селениде свинца

92

Водопьянов В .Н ., Кондратенко М.М, Точечные

дефекты

в т в е р ­

96

дых р аство р ах

А н в °

..................................

.....................................................

Вершигора З . К . ,

Руцуляк

В .Г .,

О манчуковская

И .В .,

О рлец -

кии В .Б . Р аспределение,

диффузия и раствори м ость прим есей

кадмия

и

германия

в

м онокристаллах

тверды х

р а с тв о р о в

100

f y , 9 l SnÔ ,08Se

...........................................................................................................

Мисюра И .В . Особенности

терм оэлектрических

эффектов в

кри ­

103

стал л ах

Pbf„%Sjft

Se<Mn> ............................................

.........................................

Данилевич О .И . Закономерности структурных изменений в полу­

107

проводниках,

обусловленные

лазерным

в о з д е й с т в и е м ....................

..

Слынько Е .И .,

Хавдожко А .Г .,

Слынько В .В . Я дерная

р е л а к с а -

110

ция

в кри стал л ах т Г е : Р е ,

с г

......................................................................

Фейчук П .И .,

Фочук П .М .,

Панчук О .Э . Анализ

компенсационных

118

процессов в легированных полупроводниках типа

/1 * 4 й .

. . . . .

Щербак Л .П . Дефекты структуры

кри сталлов

РЫЛе

, л еги р о ван ­

121

ных

Qe

............................................

....................................................

......................

Павлик В .И . Импульсное

лазерн ое напыление

тонких пленок

124

сложных

п о л у п р о во д н и к о в

....................

...............................................

Будзуляк

И .М .,

Новикова А .А ., М икрозовдовые

и эл ек тр о н н о -

микроокопические и сследован и я

ш вер х н о сти

полупроводни­

127

ко в

после

л азер н о го во зд ей стви я . . . ...................................

Комиссаров Г .П . Технология

получения

аморфного

г и д р о ге н и зи -

132

рованного

кремния и е г о

с в о й с т в а ...............................................................

Анткив З .П . К ритическая

тем пература

в узкощ елевы х

полупро­

водниках, испытывающих

структурный фазовый

п ер ех о д

. . . .

. . . . .