^{Министерство}образованияРеспубликиБеларусьБЕЛОРУССКИЙГОСУДАРСТВЕННЫЙУНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИИРАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедрафизики

ЛАБОРАТОРНАЯРАБОТА№3э.1

ИЗУЧЕНИЕДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГОГИСТЕРЕЗИСА

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

МЕТОДИЧЕСКОЕУКАЗАНИЕ

Минск2021

ЛАБОРАТОРНАЯРАБОТА№3э.1

ИЗУЧЕНИЕДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГОГИСТЕРЕЗИСАСЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

Цельработы:

1. Изучитьосновныехарактеристикидиэлектриков(векторполяризацииP,диэлектрическаявосприимчивостьχ,диэлектрическаяпроницаемость).

2. Изучитьнелинейныесвойствасегнетоэлектриков.

3. Ознакомитьсясметодомполученияпетлидиэлектрическогогистерезиса.

МЕТОДИЧЕСКОЕОБОСНОВАНИЕРАБОТЫ

Диэлектрики–вещества,которыепрактическинепроводятэлектрическийток.Вдиэлектрикахотсутствуютносителитока,т.е.заряды,способныепере-мещатьсяназначительныерасстоянияпосравнениюсмежмолекулярными. По-этому диэлектрики обладают большим удельным сопротивлением (более

10⁸Ом·м),вто времякаквметаллахоно составляет10^–8–10^–6Ом·м.

В твердом состоянии диэлектрики могут обладать как аморфной структу-рой, так и кристаллической. Поскольку у аморфных веществ отсутствует строгийпорядок в расположении атомов и молекул, то они изотропны – их физическиесвойства одинаковы по всем направлениям в пространстве. К аморфным диэлек-трикам относятся многие пластмассы, стекло, воск и др. В кристаллах атомы имолекулызанимаютопределенныеупорядоченныеположениявпространстве,образуя кристаллическую решетку. В связи с этим кристаллы обладают анизотро-пией –ихфизическиесвойствазависятотнаправления внутрикристалла.

Диэлектрики применяют в приборостроении, электротехнике, радиотехни-ке, опто-, микроэлектронной и лазерной технике. В зависимости от назначенияразличают электроизоляционные (пассивные) и управляемые (активные) диэлек-трики. В качестве электроизоляционных материалов используют природные ди-электрики (вакуумное пространство,воздух,нефтяные масла,лакии т. д.), а так-же искусственные (полимеры, стекла,керамикуи др.). Управляемыми диэлектри-ками являютсясегнетоэлектрики(титанатбария,ниобат лития, сегнетокерамика).В микроэлектронных устройствах наполупроводниках, в частности больших исверхбольших интегральных схемах накремниииарсениде галлия, используютсятонкие(0,002–2,0мкм)аморфные диэлектрические пленкиSiO₂,Si₃N₄,бор- ифосфорсиликатных стекол в качестве как пассивных, так и активных элементов.Перспективными являются диэлектрические пленкиоксида алюминия,нитридовбораигаллия.

Диэлектрики состоят либо из нейтральных молекул (в состав которых вхо-дят электроны и протоны), либо из положительных и отрицательных ионов, нахо-дящихсявузлахкристаллической решетки.

Связанныминазываются заряды, входящие в состав нейтральных молекулдиэлектрика, а также заряды ионов в кристаллических диэлектриках с ионной ре-шеткой. Связанные заряды могут смещаться только на малые расстояния в преде-лах электрически нейтральных молекул диэлектрика.

Сторонние заряды– это заряды, которые не входят в состав молекул ди-электрика. К ним относятся сообщенные телу избыточные заряды (например, врезультате трения), носители тока в проводниках и полупроводниках, положи-тельные ионы в металлах и др. Сторонние заряды могут находиться как внутри,таки внедиэлектрика.

Системаиздвухравныхпомодулюразноименныхточечных зарядов(q₊иq_–), находящихся на некотором расстоянииℓдруг от друга, называетсяэлек-трическим диполем. Основной характеристикой диполя является электрическийдипольныймоментp– вектор,равный:

где

qq_q_

–модульодногоизточечныхзаря-

– +

q

довдиполя; _q

–плечодиполя–вектор,проведенныйототри- ^–

цательногозарядаq_–кположительномуq₊(рис.1).В СИ[p]=Кл·м.

p

+

Рис.1

Под действием внешнего электрического поля, создаваемого стороннимизарядами, возникаетполяризациядиэлектрика – процесс смещения связанных за-рядов, в результате которого любой физически малый объем диэлектрика приоб-ретает отличный от нуля дипольный момент. Поляризация диэлектрика может по-являться и при упругой деформации (пьезоэлектрический эффект), при изменениитемпературы (пироэлектрический эффект), а также спонтанно (в сегнетоэлектри-ках). Механизм и вид поляризации диэлектрика во внешнем электрическом полезависитотстроения(типа)диэлектрика.

Диэлектрикиделятсяна3типа:неполярные,полярныеиионные.

Если в отсутствие внешнего электрического поля центры масс положитель-ных и отрицательных зарядов в пределах одной молекулы совпадают, то такиемолекулы называютсянеполярными, а состоящие из них диэлектрики –неполяр-ными диэлектриками(He,O₂,N₂,H₂идр.).

Если в отсутствие внешнего электрического поля центры масс положитель-ных и отрицательных зарядов в пределах одной молекулы не совпадают, то такиемолекулы называютсяполярными. Полярные молекулы обладают собственнымдипольныммоментомp,асостоящие изнихдиэлектрикиназываютсяполярными

диэлектриками(H₂O, CO₂, SiO₂и др.). В изотропных полярных диэлектриках вотсутствие внешнего электрического поля дипольные моменты отдельных моле-кулориентированыхаотично,поэтомувлюбомфизическималомобъеме_

.

Ионные диэлектрики– твердые диэлектрики, имеющие ионную кристалли-ческуюрешетку,вузлахкоторойрасположенычередую-

щиеся положительные и отрицательные ионы (NaCl, KCl идр.).Кристаллическуюрешеткуионныхдиэлектриковможнорассматриватькаксистему2-хвставленныхдругв

другаионныхподрешеток–сположительнымииотрица-тельнымиионами (рис.2).

Различают3 видаимеханизмаполяризации.

Рис.2

1. Деформационная(электронная)поляризациянаблюдается в неполяр-ных диэлектриках. Под действием внешнего электрического поля в пределах каж-дойнеполярноймолекулыпроисходитсмещениезарядов:положительныхпо

^{направлениюнапряженностиE}₀

внешнегополя,отрицательных–против.При

этом смещение атомных ядер ввиду их большой массы незначительно по сравне-нию со смещением электронов. Поэтому чаще всего говорят о смещении электро-новотносительноцентрамассядер,приводящемкдеформацииэлектронногооб-

лака–еговытягиваниювдоль

E₀.Врезультатемолекулаприобретаетиндуциро-

ванныйдипольныймомент,направленныйвдольE₀

(рис.3,а).

2. Ориентационная(дипольная)поляризацияпроисходитвполярныхдиэлектриках.Внешнееэлектрическоеполестремитсяориентироватьдипольные

моментыполярныхмолекулпонаправлениюнапряженности

E₀внешнегополя,

ноэтомупрепятствуеттепловоехаотическоедвижениемолекул.Врезультатеди-

польныемоментымолекулприобретаютпреимущественнуюориентациюпоE₀

(см.рис. 3,б).

3. Ионнаяполяризацияосуществляетсявионныхдиэлектриках.Приналожениивнешнегоэлектрическогополяположительнаяподрешеткасмещается

понаправлениюнапряженностиE₀

положнуюсторону(см.рис.3,в).

внешнегополя,аотрицательная–впротиво-

При всех видах поляризации диэлектрика в нем возникают области, содер-жащиенескомпенсированные(избыточные)связанные заряды, которые называ-ютсяполяризационными. В однородном изотропном диэлектрике, в котором нетсторонних зарядов, поляризационные заряды распределяются только по поверх-ностиэтогодиэлектрика.

Внутри диэлектрика электрическое поле образуется как сторонними, так иполяризационнымизарядами. По принципу суперпозиции напряженностьEэлек-трического поля вдиэлектрике равна:

EE_0E^,

^гдеE₀

–напряженностьвнешнегоэлектрическогополя(полястороннихзарядов);

E^–напряженностьполяполяризационныхзарядов(нескомпенсированных

связанных),причемвсегда

E^E₀^.

Поляризациядиэлектрикаприводитктому,чтонапряженностьполявнемстановитсяменьше,чем ввакууме.

Еслиповерхностьоднородногоизотропно-годиэлектрикаперпендикулярнасиловымлини-

ямвнешнегополя(рис.4),то

E^E₀

имодуль

напряженностиЕполявдиэлектрике

EE_0E^.

В этом случаедиэлектрическая проницае-мостьε вещества показывает, во сколько раз ве-личина напряженности электрического поля в ди-электрикеменьше,чем ввакууме:

^E0.

E

Рис.4

Вектор поляризацииP(поляризованность) – количественная мера поля-ризации диэлектрика, равная отношению суммы дипольных моментов всех моле-кулфизически малогообъемадиэлектрика к этомуобъемуΔV:

P1 Np, Vi i1

(1)

где –дипольныймоментi-ймолекулы,однойизNмолекул,содержащихсяв

объемеΔVдиэлектрика.ВСИ[P]=Кл/м².

Из опыта известно, что при небольших величинах напряженности внешнегоэлектрического поля вектор поляризацииPв любой точке изотропного диэлек-трикаудовлетворяетследующемусоотношению:

P0E01E,

(2)

где_08,8510^12Ф/м–электрическаяпостоянная,

1–диэлектрическаявосприимчивостьдиэлектрика (χ> 0);

E–напряженностьэлектрическогополявтойже точке диэлектрика.

D0EP.

(3)

Для описания электрического поля в диэлектриках, наряду с вектором поля-ризацииPи напряженностьюE, вводится в рассмотрениевектор электриче-ского смещенияD(вектор индукцииэлектрическогополя),определяемыйкак:

Подставляя выражение (2) в определение (3), получим соотношение вектораэлектрического смещенияDи напряженностиEэлектрического поля в любойточкеизотропногодиэлектрика:

D0E.

(4)

Диэлектрическая восприимчивость χ и диэлектрическая проницаемость ε визотропныхдиэлектриках не зависят отE, чего не наблюдается в случае анизо-тропных диэлектриков,напримерсегнетоэлектриков.

Сегнетоэлектрики(илиферроэлектрики–ferroelectrics, по аналогиисферромагнетиками)– кристаллические диэлектрики, обладающие в определенномтемпературном интервалеспонтанной(самопроизвольной) поляризацией, котораясущественноизменяется подвлияниемвнешнихусловий.

По сравнению с изотропными диэлектриками, сегнетоэлектрики обладаютрядомотличительныхсвойств,аименно:

• наличие в определенном интервале температур спонтанной поляризацииприотсутствии внешнегоэлектрического поля;

• резкая анизотропия свойств (зависимость диэлектрической проницаемо-сти ε от направления; особые свойства проявляются вдоль определенной кристал-лографическойоси–полярногонаправления);

• сверхвысокиезначениядиэлектрическойпроницаемостиεдо~10⁴;

• нелинейная зависимость диэлектрической проницаемости ε от темпера-турыТи напряженностиEэлектрическогополя;

• нелинейнаязависимостьвектораполяризацииPотнапряженностиE

электрическогополя;

• наличиедиэлектрическогогистерезисаидр.

Такие свойства сегнетоэлектриков наблюдаются лишь в определенном ин-тервале температур: для большинства из них – при температурахТ<Т_К, гдеТ_К–температура (точка) Кюри. Для каждого сегнетоэлектрика существует свое значе-ние температуры КюриТ_К.

Отличительные свойства сегнетоэлектриков обусловленыихособойкри-сталлическойструктурой–доменной.ПритемпературахТ<Т_Квесьобъемсегнето-электрикасамопроизвольноразбиваетсянадомены–микроскопическиеобласти,впределахкаждойизкоторыхдипольныемоментывсехмолекулсонаправлены(рис.5).Такимобразом,каждыйдоменмаксимальнополяризованиобладаетсобствен-

нымвекторомспонтаннойполяризациинасыщения

^Pнас^.

Размеры доменов (~10^–8–10^–2м) неодинаковы как для раз-личных сегнетоэлектриков, так и для одного и того же кри-сталла.Вравновесномсостояниибезвнешнегоэлектриче-

скогополявекторы

^Pнас

разныхдоменовмогутбытьориен-

тированыхаотически,ивесьобразецвцеломоказываетсяне

Рис.5

поляризованным.Кристаллическаямодификация,вкоторойсегнетоэлектрикспон-таннополяризован,называетсяполярной(сегнетоэлектрической)фазой.

ПринагреваниисегнетоэлектрикавточкеКюри(Т=Т_К)егодоменнаяструктураразрушается,необычныесвойстваисчезаютипритемпературахТ>Т_Констановитсяобычнымдиэлектриком.Модификация,вкоторойспонтан-

наяполяризациясегнетоэлектрикаотсутствует,называетсянеполярной

(параэлектрической)фазой.

В полярной фазе под влиянием внешнего электрического поля поляризациясегнетоэлектрика в общем случае происходит как за счет перестройки доменнойструктуры (спонтанная поляризация), так и за счет электронного и ионного сме-щения (индуцированная поляризация). Поэтому вектор поляризацииPсегнето-электрикапредставляется суммой:

PPспPинд,

(5)

где

^Pсп

• векторспонтаннойполяризации,направлениекотороговобщемслучае

можетнесовпадатьснаправлениемнапряженностиEэлектрическогополявсе-гнетоэлектрике;

^Pинд

• векториндуцированнойполяризации,обусловленныйсмещениемэлек-

троновотносительноцентрамассатомныхядер(электроннаяполяризация)и

смещениемионов(ионнаяполяризация).Векторы

^Pинд

иEсонаправлены.

Вследствие разбиения сегнетоэлектрика на домены, зависимостьР(Е) вели-чины поляризованности от модуля напряженности электрического поля имеет не-линейныйхарактер.

На рис. 6 представленаосновная кривая поляризации Р(Е) сегнетоэлектриче-ского образца, который первоначально не был поляризован. При малых значенияхЕосновнойвкладвполяризациювноситееиндуцированнаячасть.Этотобратимыйпроцесс в сегнетоэлектриках аналогичен поляризации обычных диэлектриков иР_индлинейнозависитотнапряженностиэлектрическогополя(отрезокОА).

Начинаяснекоторогозна- _Р

чениянапряженностиЕ_Аполя(в _C

точкеА),придальнейшемувели- ^{I B}

ченииЕнарядусиндуцирован- _Р

нойполяризациейвозникаютпроцессы, связанные со спонтан-нойполяризацией(участокАВ):

1. те домены, у которых векторыспонтаннойполяризациинасы-

инд

^Рнас_D

А

щения

^Pнас

близкипонаправле-

ниюкнапряженностиEполя,начинаютрасти,изменяясвоиграницызасчетсоседнихдоме-

О _ЕА

^Енас

Рис.6

^Емакс ^Е

нов;2)переориентациявекторов

^Pнас

доменовпонаправлениюнапряженности

внешнегоэлектрическогополя;3)зарождениеиростновыхдоменов,векторы

^Pнас

которыхсонаправленысE.Врезультатеэтихнеобратимыхпроцессоввели-

чинаспонтаннойполяризованностиР_спобразца,авместеснейизначениеР,не-линейно возрастаетс увеличениемЕ.

ПринекоторомзначениинапряженностиЕ_насвекторы

^Pнас

всехдоменовоб-

разцаоказываютсясонаправленнымисE(точкаВ).Такоеявлениеназывается

насыщениемспонтаннойполяризации,авеличинаЕ_нас–напряженностьюнасы-

щения. Дальнейшее увеличениеРс ростомЕобеспечивается только индуциро-ваннойполяризацией (отрезокВС,параллельныйотрезкуОА).

Экстраполяция прямолинейного участкаВСдо пересечения с осьюРв точ-кеDпозволяет определить величину спонтанной поляризованности насыщенияР_нас(длинаOD) и значение индуцированной поляризованностиР_инд. Например,Р_индпри напряженностинасыщенияЕ_насравнадлинеDI(см.рис.6).

Необратимые процессы перестройки доменной структуры во внешнем элек-трическом поле обуславливают характерное для сегнетоэлектриков явление ди-электрического гистерезиса.

Диэлектрическийгистерезис(отгреческого«отставание»,«запаздыва-ние») – явление зависимости вектора поляризации не только от приложенногоэлектрического поля, но и от предыстории данного образца, т. е. от его предше-ствовавшего состоянияполяризации.

При циклических изменениях напряженности внешнего электрического по-ля график зависимостиР_x(Е_x) имеет вид кривой, называемойпетлей гистерезиса(Р_xиЕ_x– проекции соответственно вектораPиEна полярное направлениеOxвкристалле,вдолькоторогоонисонаправлены).Есливнешнееполеизменяетсяв

пределах

^Emax^Ex^Emax

изначениеЕ_maxтаково,чтоспонтаннаяполяризация

достигаетнасыщения,т.е.предельного цикла.

E_maxE_нас^{,топетлягистерезисаназываетсяпетлей}

Нарис.7изображенапетлягистерезисапредельногоцикла(сплошнаяли-

ния) сегнетоэлектрического образца, находящегося во внешнем переменном элек-трическом поле с напряженностью вдоль полярной оси кристалла. Процесс поля-ризации,соответствующийосновнойкривойОАВС,описанвыше.

Еслипоследостиженияобразцомсостояния,отображаемоготочкойС,напряженностьполяуменьшать,тоснижениеполяризованностисначалаидет

E0

Рис.7

только за счет индуцированной поляризации (отрезокСВ). С последующим убы-ваниемЕ_x(отЕ_насдо 0) уменьшение поляризованности происходит с «запаздыва-нием» по сравнению с основной кривой поляризации, поскольку наряду с инду-цированной появляется спонтанная поляризация (участокВК). При отключениивнешнего электрическогополя(Е_x= 0)образецостается макроскопически поляри-

зованным:

^P_xEx0^P_ост.ВеличинаР_остназываетсяостаточнаяполяризован-

ность. Для полной деполяризации образца внешнее электрическое поле нужноприложить в противоположном направлении. С увеличением модуля напряжен-ности этого поля поляризованность образца уменьшается и приЕ_x= –Е_кона об-ращается в нуль (Р= 0). ВеличинаЕ_кназываетсякоэрцитивная силаилинапря-женность коэрцитивного поля. Дальнейший рост величины напряженности при-водитобразецсегнетоэлектрикавсостояниенасыщенияспонтаннойполяризации

(точкаL),тольконаправлениевекторов

^Pнас

всехдоменовпротивоположнопо

сравнению с состоянием в точкеС. Последующие изменения внешнего электри-ческогополясопровождаютсяпроцессами,аналогичнымиописаннымвыше.

Ввиду наличия процессов спонтанной поляризации, соотношение вектораэлектрического смещенияDи напряженностиEэлектрического поля в сегнето-электриках не выражается прямой пропорциональностью (4), а имеет достаточносложныйвид,содержащийтензордиэлектрическойпроницаемости–симметрич-

ныйтензорвторогоранга.Поэтомуоднозначноопределитьдиэлектрическуюпроницаемость сегнетоэлектрика не представляется возможным. Однако для ха-рактеристики свойств сегнетоэлектрического образца в зависимости от различныхусловий работы выбирается статическая, дифференциальная, реверсивная, эффек-тивнаяи др.диэлектрическая проницаемость.

Внастоящейлабораторнойработепредставляетсяцелесообразнымобра-титьсякопределениюстатической диэлектрическойпроницаемостиε:

D, 0E

(6)

гдеDиЕ– координаты точек основной кривой поляризацииD(Е) величины элек-трического смещенияотмодулянапряженностиэлектрическогополя.

^{Длябольшинствасегнетоэлектриков}₀E P^{,тогдаизопределения(3)}

следует,чтоDP. Тогдастатическая диэлектрическаяпроницаемостьравна:

1P, 0 E

(7)

гдеРиЕ–координатыточекосновнойкривойполяри-зации Р(Е) величины поляризованности от модуля ^{εнапряженности}электрическогополя.

Зависимостьε(Е)статическойдиэлектрическойпроницаемости от величины напряженности электриче-ского поля согласно выражению (7) полностью опреде-ляетсявидомосновнойкривойполяризацииР(Е)ив

общемслучаеимеетнелинейныйхарактер.Примерный^{О Е}

графикε(Е)представлен нарис.8. ^{Рис. 8}

В данной лабораторной работе используются образцы кристалла тригли-цинсульфата.

Триглицинсульфат(ТГС) – хорошо изученный представитель семьи сегне-тоэлектрических кристаллов. Он широко применяется в электронике и технике,так как его температура Кюриt_К= 49 °С и сегнетоэлектрические свойства прояв-ляются при комнатной температуре. Кроме того, кристаллы триглицинсульфатабольшихразмеров достаточнолегко выраститьизводных растворов.

Основныеобластиприменениясегнетоэлектриков:

• вконденсаторах,втомчислеивварикондах(конденсаторахснелинейноизменяющейсяемкостью);

• впьезоэлектрическихустройствах,преобразующихмеханическиесигна-лывэлектрическиеи обратно;

• втемпературныхдатчиках;

• впироэлектрическихприемникахИК-излучения;

• вкачествебитовыхячеекпамятивсистемахэлектрическойзаписиихра-ненияинформациии др.

Описаниелабораторнойустановки

Образецдля исследованийпредставляетсобойплоскопараллельнуюпла-стинку кристалла ТГС, вырезанную перпендикулярно полярной оси. Плоские по-верхности пластинки металлизируются, и такое устройство называется сегнето-конденсатором. Поскольку внешнее электрическое поле, прикладываемое к тако-му конденсатору, направлено вдоль полярной оси кристалла и толщинаdсегнето-конденсаторамалапосравнениюсеголинейнымиразмерами,поэтомуполенапря-женностиEиполяризованностиPвнемможносчитатьоднородным.

Электрическаясхемалабораторнойустановкиприведенанарис. 9.

Рис.9

НапоследовательносоединенныемеждусобойсегнетоконденсаторэлектроемкостьюСиэталонныйконденсаторемкостьюС_этподаетсявходноенапряжениеU. В цепь параллельно конденсаторам включен делитель напряжениянарезисторахсопротивлениямиR₁иR₂.

На вход «X» осциллографа ОС подается напряжениеU_xс сопротивленияR₂,ана вход «Y»–напряжениеU_yс эталонногоконденсатораС_эт:

UyUэт,

(8)

гдеU_эт–напряжениенаэталонномконденсаторе.

Поскольку сегнетоконденсаторCи эталонный конденсаторС_этсоединеныпоследовательно, то их заряды равны:q=q_эт. Поэтому модульРвектора поляри-зации, равный поверхностной плотности σ заряда на обкладках сегнетоконденса-тора,вычисляется как:

PqqэтCэтUэтCэтU, S S S S y

(9)

гдеS–площадьобкладоксегнетоконденсатора иучтеноравенство(8).

Входное напряжениеUи подаваемое на горизонтальные пластины осцилло-графанапряжениеU_xсвязанысоотношением:

UR1R2U. R2 x

(10)

Влабораторнойустановке

^Cэт

C^{,поэтомуU}_эт

U_C^{,гдеUC–напряжение}

насегнетоконденсаторе.ТогдавходноенапряжениеUможносчитатьравнымU_C:

UUэтUCUC.

(11)

МодульЕнапряженностиполявсегнетоконденсаторетолщинойdсучетомвыражений(10)и (11)равен:

EUCR1R2U. d R2d x

(12)

Подготовка лабораторной установки к работеиметодикаизмерений

1. Налабораторнойустановке рукоятку регулировкинапряженияпереве-стивкрайнее левоеположение.

2. Подключитьлабораторнуюустановкуиосциллографксети220В.

3. Включитьтумблер«Сеть»наустановкеиосциллографе.

4. Выждать1–2миндляпрогреваприборов.

5. Рукояткой регулировки напряжения выставить максимальное напряже-ние 100 В. Убедиться, что на экране осциллографа появилась петля гистерезисапредельного цикла.

6. При напряженииU= 100 В с помощью осциллографа измеритьU_xиU_y,значения которых указаны в меню, расположенном в правой части экрана осцил-лографа (значениеU_xпоказано после «1.», аU_y– после «2.»). Результат внести втабл.1.

Таблица1

№	U,B	Ux,В	Uy,В	E,В/м	P,Кл/м2	
1.	100
2.	95
…

7. Выполнитьп.7принапряженияхU=95В,90В,85В,...,покапетлянепревратитсявточку.

8. Рукояткурегулировкинапряженияперевестивкрайнеелевоеположение.

9. Выключитьтумблер«Сеть»наустановкеиосциллографе.

10. Отключитьлабораторнуюустановкуиосциллографотсети220В.