ФОС 3++ / 030303_ПК-4

Номер

задания

Правильный ответ (ключ)

Содержание вопроса/задания

Критерии

оценивания заданий

Задания закрытого типа

1

в кристаллах одного вещества углы между соответственными гранями и ребрами всегда одинаковы

З-н постоянства углов:

а) в кристаллах одного вещества углы между соответственными гранями и ребрами всегда прямые

б) в кристаллах одного вещества углы между соответственными гранями могут быть различны

в) в кристаллах разных веществ углы между соответственными гранями и ребрами одинаковы

г) в кристаллах одного вещества углы между соответственными гранями и ребрами всегда одинаковы

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

2

все грани кристалла отсекают на кристаллографических осях отрезки, длины которых либо бесконечны, либо относятся к длинам единичных отрезков как небольшие целые числа

З-н рациональности отношений параметров:

а) все грани кристалла отсекают на кристаллографических осях отрезки, длины которых либо бесконечны, либо относятся к длинам единичных отрезков как небольшие целые числа

б) все грани кристалла отсекают на кристаллографических осях отрезки, длины которых либо бесконечны, либо относятся к длинам единичных отрезков как большие нецелые числа

в) все грани кристалла отсекают на кристаллографических осях отрезки, длины которых либо бесконечны, либо относятся к длинам единичных отрезков как рациональные числа

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

3

шесть параметров – три ребра элементарной ячейки, три угла между ними

Кристаллическую решетку определяют

а) шесть параметров – три ребра элементарной ячейки, три угла между ними.

б) три базисных вектора

в) три ветора элементарных трансляций

в) три угла между базисными векторами

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

4

непараллельные плоскости, имеющие одинаковое атомное строение (равная плотность узлов на единицу площади

Кристаллографически эквивалентными плоскостями называются

а) параллельные плоскости, имеющие разное атомное строение (равная плотность узлов на единицу площади)

б) непараллельные плоскости, имеющие одинаковое атомное строение (равная плотность узлов на единицу площади

в) параллельные плоскости, имеющие одинаковое атомное строение (равная плотность узлов на единицу площади)

Правильно выбраны все соответствия – 1 балл

5

пара вакансий разных знаков в кристаллической решётке

Дефе́кт по Шо́ттки - это

а) пара дислокаций разных знаков в кристаллической решётке

б) пара вакансий разных знаков в кристаллической решётке

в) пара вакансия и дислокация

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

6

Однородность

Анизотропия

Способность к огранению

Симметрия

Выберите то, что является свойством кристалла

а) Однородность

б) Анизотропия

в) Твердость

г). Способность к огранению

д). Способность к плавлению

е). Симметрия

Правильно выбраны варианты ответов – 1 балл

7

Вакансии

Междоузельные атомы

Какие дефекты структуры относятся к нульмерным

а) Вакансии

б).Междоузельные атомы

в).Дислокации

г).Поры

д). Двойники

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

8

Поры

Трещины

Свили

Какие дефекты структуры относятся к объемным

а) Границы зерен

б) Поры

в) Трещины

г) Свили

д) Дисклинации

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

9

По отношению размеров по трем координатным осям

Облик в кристаллографии определяется

а) По отношению размеров по трем координатным осям

б) По развитию простых форм

в) По изломам

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

10

Простая форма – многогранник, который состоит из одинаковых по форме и величине граней, имеющих симметричное расположение

Простая форма

а) многогранник, который состоит из разных по форме и величине граней, имеющих симметричное расположение

б) многогранник, который состоит из одинаковых по форме и величине граней, имеющих симметричное расположение

в) многогранник, который состоит из одинаковых по форме и величине граней

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

11

ослабляют внешнее электрическое поле

 Диэлектрики

а) не взаимодействуют с внешним электрическим полем

б) ослабляют внешнее электрическое поле

в) усиливают внешнее электрическое поле

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

12

 1, 3,4

Полупроводник облучается светом. Запишите, при каких переходах электронов с уровня на уровень образуются свободные носители заряда, создающие фотопроводимость:

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

13

Алмаз C (ΔЕ =5,2 эВ);

Какие вещества по ширине запрещенной зоны ΔЕ следует отнести к диэлектрикам?

а). Алмаз C (ΔЕ =5,2 эВ);

б) Арсенид галлия GaAs (ΔЕ =1,43 эВ);

в). Кремний Si (ΔЕ =1,08 эВ);

г). Германий Ge (ΔЕ =0,66 эВ).

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

14

зона валентная полностью заполнена

В диэлектриках при 0К

a) зона проводимости частично заполнена

б) зона валентная частично заполнена

в) зона валентная полностью заполнена

г) зона проводимости полностью заполнена

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

15

б

Выберите типичный график зависимости проводимости от температуры для собственных полупроводников

а) б)

в) г)

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

16

Объем

Внутренняя энергия

энтропия

При фазовом переходе I рода скачкообразно изменяются параметры

а) Обьем

б) теплоемкость

в) внутренняя энергия

г) энтропия

д) симметрия

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

17

Переход жидкого гелия в сверхтекучее состояние

Переход ферромагнитных веществ в парамагнитные

Примеры фазовых переходов второго рода

а ) Кристаллизация

б) Переход жидкого гелия в сверхтекучее состояние

в) Переход ферромагнитных веществ в парамагнитные

г) Сублимация

д) Плавление

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

18

Выделением теплоты

Поглощением теплоты

Изменение объема

Фазовый переход I рода сопровождается

а) Выделением теплоты

б) Поглощением теплоты

в) Изменением симметрии

г) Изменением объема

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

19

Изменением теплоемкости

Изменением симметрии

Фазовый переход II рода сопровождается

а) Выделением теплоты

б) Изменением теплоемкости

в) Изменением симметрии

г) Изменением объема

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

20

LCR-метр

Для определения диэлектрической проницаемости материала вам потребуется

а) осциллограф

б) вольтметр

в) LCR-метр

г) термопара

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

21

ИК-спектрометр

Для определения коэффициента оптического пропускания материала вам потребуется

а) оптический микроскоп

б) ИК-спектрометр

в) дифрактометр

г) вибрационный магнитометр

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

22

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

23

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

24

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

25

Правильно выбран вариант ответа – 1 балл

Задания открытого типа

26

Элементы бесконечной симметрии

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

трансляция, плоскость скользящего отражения, винтовая поворотная ось

27

Определить класс, сингонию и категорию

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

L₄4L₂5PC Средняя категория, тетрагональная сингония, планаксиальный класс

28

Координационный многогранник (координационный полиэдр) - это

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

Условный многогранник, в центре которого находится частица, а вершины представлены ее координационным окружением

29

Изоморфизм - это

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

это свойство химичес­ки и геометрически близких атомов, ионов и их сочетаний замещать друг друга в кристаллической решетке, обра­зуя кристаллы переменного состава

30

Политипия, политипизм - это

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

существование у кристаллов двух или более кристаллических структур слоистого типа, которые отличаются последовательностью чередования и углами поворота кристаллографически сходных слоев

31

Элементарная ячейка - это

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

называется наименьший параллелепипед, с помощью которого непрерывным параллельным его переносом (трансляцией в трех направлениях пространства) можно построить всю пространственную решетку

32

Сингония - это

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

Сингония - совокупность кристаллов, элементарные ячейки которых характеризуются одинаковой симметрией и кристаллографической системой осей координат.

33

Определить тип дислокации

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

Краевая дислокация

34

Определить тип дислокации

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

Винтовая дислокация

35

Вектор Бюргерса - это

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

Вектор Бюргерса - мера искаженности кристаллической решётки, обусловленная присутствием в кристалле дислокации.

36

Во сколько раз увеличиться электропроводность кремния при повышении температуры от 300 К до 350 К? Ширина запрещенной зоны 1.2 эВ.

Правильный ответ – 1 балл

544

37

 Известно, что поверхность германия (IV) в качестве легирующей примеси содержит 3·10¹⁶ атомов на см³ (см^-3) мышьяка (V). Затем он легируется фосфором (V) в количестве 10¹⁷ см^-3 и после этого – бором (5·10¹⁷ см^-3). Полученная структура проходит термический обжиг, которая активирует все примеси. Определить тип проводимости.

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

p- тип (или дырочный)

38

 Вставьте пропущенное слово:

Емкость пустого конденсатора ……, чем емкость конденсатора с диэлектриком

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

меньше

39

Вставьте пропущенные слова:

 Полупроводник, в котором основным носителем заряда являются электроны, называется - полупроводником 1 , а в котором дырки - 2 .

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

1 – n-типа, 2 – p- типа.

Правильный ответ – 1 балл

40

 Закончите фразу:

С точки зрения зонной теории полупроводники отличаются от диэлектриков ……………………

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

 Шириной запрещенной зоны

41

Вставьте пропущенное слово:

Переход электрона в атоме с более высокого энергетического уровня на низкий сопровождается излучением света

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

кванта

42

Дайте определение электрической поляризации диэлектриков

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

Дипольный момент единицы объема диэлектрика (или отношение суммы всех диполей, закаченных в некотором объеме, к этому объему)

43

Возникновение дополнительных свободных носителей зарядов в полупроводнике при воздействии на него света называется ……………………

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ) 

фотопроводимость

44

Собственный полупроводник находится в электрическом поле напряжённостью Е = 1000 В/м. В каком направлении по отношению к полю будут двигаться свободные носители (электроны и дырки)?

Правильный ответ – 1 балл

Дырки – по полю, электроны – против поля

45

Отличие кристаллических тел от аморфных.

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

Дальний порядок, анизтропия свойств, строго определенная температура плавления

46

Для определения подвижности носителей заряда в полупроводниках в эксперименте измеряют ……………………………..

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

ЭДС Холла (или постоянную Холла)

47

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

48

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

49

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)

50

Правильный ответ – 1 балл

Правильный ответ (ключ)