Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

413_p292_c10_2118

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
15.04.2023
Размер:
228.63 Кб
Скачать

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕСИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

(ГОУ ВПО ИГУ)

КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

ИССЛЕДОВАНИЕ КОМПЛЕКСНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ РАДИОЧАСТОТАХ

Методические рекомендации

Иркутск 2005 г

Печатается по разрешению учебно-методического совета ГОУ ВПО Иркутского государственного университета

Рецензент: Доктор физ. – мат. наук, профессор кафедры электроники

твердого тела М.С. Мецик

 

 

Составители: Л.А. Щербаченко

доктор техн. наук, профессор

кафедры общей физики ИГУ

 

 

В.А. Карнаков

кандидат физ.- мат. наук, доцент кафедры

теоретической физики ИГУ С.Д. Марчукстарший преподаватель кафедры радиоэлектроники ИГУ

Цель работы

1.Ознакомится с резонансным методом измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков

вдиапазоне радиочастот.

2.Получить навыки работы на куметре.

3.Снять частотную зависимость диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков (по указанию преподавателя).

4.Теоретически обосновать полученные результаты.

Комплексная диэлектрическая проницаемость.

Свойства диэлектрика на переменном токе удобно рассматривать пользуясь понятием комплексной диэлектрической проницаемости εr= εr′ − jεr′′,

где εrи εr′′ - действительная и мнимая части комплексной диэлектрической проницаемости.

Путем введения комплексной диэлектрической проницаемости реальный диэлектрик, обладающий удельной проводимостью γa на частоте ω , заменяется

«идеальным» с проницаемостью εr . При этом уравнения электродинамики

сохраняют свою форму, характерную для диэлектрика без потерь. Мнимая и действительная части комплексной диэлектрической проницаемости связаны между собой соотношением εr′′ = εrtgδ . Мнимую часть комплексной

диэлектрической проницаемости называют коэффициентом диэлектрических

 

3.

 

Дипольная или ориентационная поляризация обусловлена ориентацией

потерь.

 

 

 

 

 

 

 

 

диполей в направлении электрического поля. Дипольной поляризацией

 

обладают полярные диэлектрики. Время ее установления 10-10 – 10-6 с.

 

 

 

 

 

 

Виды поляризации.

 

Дипольная поляризация относится к числу медленных или релаксационных

 

видов поляризации.

 

 

 

 

 

 

 

4.

Поляризация – это способность диэлектрика под действием

 

 

Миграционная поляризация наблюдается в неоднородных

 

электрического поля поляризоваться, т.е. изменять в пространстве

 

диэлектриках, в которых электрические заряды накапливаются на границе

 

расположение связанных заряженных частиц диэлектрика.

 

радела неоднородностей. Процессы установления миграционной поляризации

 

 

 

Существует несколько видов поляризации.

 

очень медленны и могут протекать на протяжении минут и даже часов.

 

1.

 

Электронная поляризация – это смещение электронных орбит

 

5.

 

Ионно – релаксационная поляризация обусловлена избыточным

 

относительно положительно заряженного ядра. Оно происходит во всех атомах

перебросом слабо связанных ионов под действием электрического поля на

 

любого вещества, т.е. во всех диэлектриках. Электронная поляризация

 

расстояния, превышающие постоянную-

решетки. Ионно – релаксационная

 

устанавливается за время 10

15

-10

-14

с.

 

 

 

поляризация проявляется в некоторых кристаллических веществах при наличии

2.

 

Ионная поляризация – смещение относительно друг друга разноименно

в них примесей в виде ионов или неплотной упаковке кристаллической

-13

заряженных ионов в веществах с ионными-8 -4

связями. Время ее установления 10

 

решетки-

. Время ее установления 10

– 10

с.

 

- 10

12

с. Электронная и ионная поляризация относятся к числу мгновенных или

6.

 

Электронно-релаксационная поляризация возникает за счет

 

деформационных видов поляризации.

 

 

 

возбужденных тепловой энергией избыточных «дефектных» электронов или

 

«дырок». Этот вид поляризации, как правило, обуславливает высокое значение диэлектрической проницаемости.

7. Спонтанная поляризация – самопроизвольная поляризация возникающая в некоторых веществах (например, сегнетовой соли) в

Спектр диэлектрической проницаемости.

При рассмотрении изменения составляющих комплексной диэлектрической проницаемости (εr,εr′′) в зависимости от частоты наблюдается следующая картина (рис. 1). В гамма и рентгеновском диапазоне частот (выше

εr

εrc

 

 

εM

εr

εg

εu

n

2

 

ε

1

 

0

 

ω

 

 

εr′′

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωpM

ωpg

 

 

 

ω3

ω2

ω1

 

 

 

 

переориентироваться за полупериод изменения электрического поля,

 

 

 

 

 

 

 

Рис.1. Зависимость εr

 

εr′′ от част ты

 

 

 

 

наблюдаются релаксационные

потери. В неоднородных диэлектриках при

низких17

частотах возникает миграционная поляризация, изменяющая εrна εM ,

10

Гц) εr

равна единице, а εr′′

 

- нулю; при понижении частоты начиная с

 

и связанные с ней потери, имеющие максимум на частоте релаксации

 

 

ультрафиолетовой и видимой областей, появляется электронная поляризация,

миграционной поляризации (ωpM ). Как видно из рис.1, наибольшее возможное

дающая вклад в εrна всех более низких частотах в твердых и жидких

 

 

значение ε

диэлектрика есть ε

,

 

 

 

14

 

16

 

 

 

 

 

постоянном напряжении (или

диэлектрикахr

. В области дисперсr иизмеренноеэлектр

наой поляризации (10

 

– 10

 

Гц),

накогдаинфранизкойчастота внешнегочастоте)поля– этосовпадтак называемаяет с однойстатическаяиз частот собственныхдиэлектрическая проницаемостьколебаний электронныхεrc, а наименьшееоболоч кзначе(ω1 ), наблюдаютсяие εr, - измеренноеузкие максимумына чрезвычайно

разностныхвысокой частпоте,рьпр, известныеближающейсякак оптическиечастоте световыхспектры пкоглощениялебаний–. этоВ

инфракрасном диапазоне (1021 – 1014 Гц) вслед за изменением поля начинают оптическая диэлектрическая проницаемость εr. Разность εr = εrc εr

смещаться более тяжелые частицы – ионы. При этом появляется ионная называется инкрементом диэлектрической проницаемости.

поляризация, увеличивающая εrна более низких частотах на εu . На частотах

резонансаЧастотнаяионовзависимость(ω2 ,ω3 ) наблюдаюдействительнойся максимумымнимойрезонансногочастикомплекснойглощения. В

радиочастотномдиэлектрическойдиапазонепроницаемости(1013 – 10и11 тангенсаГц) у полярныхугла диэлектрическихдиэлектриков появляетсяпотерь

дипольная поляризацияпри, приводящаярелаксационныхдальнейшемупроцессахповышению. εrна εg . В

области релаксационной дисперсии, когда диполи не успевают Используя формулу Дебая, описывающую частотную зависимость

комплексной диэлектрической проницаемости, εr = εr+ ε1rc+jωεrrможно

получить выражение для действительной и мнимой составляющей εr , а также

εr

 

 

εr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εrc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εrc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εrnp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω

 

 

 

εr

 

 

εr′′

 

 

ε′′

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tgδ

 

 

 

 

 

 

 

 

εr′′

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tgδ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tgδ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωp

ωt

ω

0

 

 

ωp

ωp

2

 

ω

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

Рис.2. Зависимость εr,

εr′′ и tgδ

 

Рис.3. Зависимость εr, εr′′

и tgδ от

 

от частоты для диэлектрика с

 

частоты для диэлектрика с двумя

 

 

 

одним временем релаксации

 

временами релаксации

 

 

 

 

 

 

Как видно из рис.3 в частотном ходе tgδ

наблюдаются два максимума.

 

Первый максимум лежит при частоте ωp1 =

1

 

εrc , а второй - ωpz =

1

εrnp

, где

 

 

 

r

 

ε

rnp

 

r

ε

r

 

 

 

 

1

 

 

 

1

 

 

εrnp - промежуточное значение диэлектрической проницаемости. Набор времен релаксации τ , лежащих близко друг от друга дает низкий размытый максимум в

tgδ

 

 

 

 

 

 

 

 

tgδ

 

 

 

 

 

Определение диэлектрической проницаемости и тангенса угла

 

диэлектрических потерь методом вариации реактивной проводимости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ3

 

 

 

 

Для определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ2

диэлектрических потерь при высоких частотах широкое применение получили

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ1

резонансные методы. Резонансные цепи с сосредоточенными параметрами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω

 

(содержащие катушкиω

 

 

 

Рис.2. Зависимость tgδ

от

 

 

индуктивности, конденсаторы и

 

 

 

 

Рис.3. Завис мость tgδ обусловленная

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

резисторы) применяются в

 

 

 

 

частоты для диэлектрика с

 

релаксационной поляризацией и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

набором времен релаксации

 

 

диапазоне частот от нескольких

 

 

Г

 

Cx

сквозной проводимостью

 

 

 

 

L

 

 

C

V

десятков килогерц до 200 МГц.

 

частотном ходе tgδ

(рис.4). При учете потерь сквозной проводимости при их

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Одним из резонансных

росте релаксационные потери играют все меньшую и меньшую роль. На рис.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

методов нашедших широкое

изображена частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

применение, является метод

обусловленных релаксацией поляризации и сквозной проводимостью. Как

Рис.6. Принципиальная схема метода вариации

вариации реактивной

видно (рис.5), по мере роста потерь сквозной проводимости релаксационные

реактивной проводимости

 

 

 

 

 

проводимости. Изменение

потери играют все меньшую роль.

 

(вариация) реактивной

проводимости

U

 

 

 

осуществляется

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

изменением емкости

U

 

 

 

колебательного

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

максимум, а затем уменьшается. Наибольшее напряжение на контуре отвечает состоянию резонанса. Контур обладает потерями, поэтому эквивалентная схема, помимо L и C, содержит проводимость gk ,

соответствующую потерям (рис.7,б). Если по оси абцисс откладывать емкость конденсатора C0 и снимать зависимость U (C) , т. е. резонансную кривую, один

раз для контура без образца и второй – с образцом (конденсатор неизвестной емкости), то во втором случае (рис.7,а) максимум получается более тупым и сдвинутым влево, так как для получения резонанса на той же частоте колебаний приходится уменьшать емкость конденсатора на значение емкости образца. Снижение значения напряжения в максимуме обусловлено тем, что при подключении емкости Cx с потерями, общая активная проводимость

увеличивается на g x (рис.7,в). Первоначально настраивают контур без образца в резонанс, определив соответствующую емкость C1 конденсатора (кривая 1, рис.7,а) и наибольшее напряжение контура U , изменяя емкость в ту или иную сторону от точки резонанса, следует найти значение C1 , соответствующее

уменьшению напряжения до U2. Это значение выбрано с целью получения

простого выражения для проводимости контура. Включив образец, вторично настраивают схему в резонанс и находят новое значение емкости C2 (кривая 2, рис.7,а) и напряжения U ′′. В момент резонанса индуктивная проводимость контура равна его емкостной проводимости, поэтому полная проводимость содержит только активную составляющую. Напряжение на контуре без образца при первом резонансе (рис.7,а)

U ′ =

I

,

(1)

gk

где gk - активная проводимость контура, I - ток в цепи. При расстройке

контура напряжению

U

 

будет отвечать новое значение емкости C1:

U

 

 

1

 

 

2

 

=

 

 

 

 

 

(2)

2

 

 

1

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

gk

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

ωL ωC1

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

Из условия равенства реактивных проводимостей при резонансе (ωC1 = ω1L1 )

находим

gk2 +(ωC1 +ωC1)2 = gk2 +(ωC1 )2

(3)

где C1 = C1 C1. Разделив (1) на (2) с учетом (3) и возведя в квадрат обе части равенства получим:

 

 

g 2

+(ωC )2

. Отсюда найдем активную проводимость контура

2 =

 

k

1

 

 

gk2

 

 

 

 

gk

=ωC1 .

(4)

Из (4) можно сделать вывод, что для определения активной проводимости gk

достаточно уменьшить (или увеличить) емкость колебательного контура относительно его значения при резонансе на величину C1 , соответствующую

снижению напряжения при резонансе U1до 0,707U ( U2). Отрезок 2C1

получил название ширины резонансной кривой. По ширине резонансной кривой можно определить добротность контура Q1 . При резонансе в контуре без образца, согласно теории переменных токов

1

 

=

ωL

=

gk

.

 

(5)

 

Q

 

R

 

 

 

 

 

 

 

k

 

ωC

 

 

1

 

 

 

1

 

 

 

Так как gk

=ωC1 , то

1

=

C1 .

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Параметры неизвестного конденсатора ( Cx , tgδ ) удобно выразить через добротность контура. Не присоединяя Cx , настраивают контур в резонанс, измеряют добротность контура Q1 и отсчитывают емкость C1 . По формуле (5) находят проводимость контура gk .

 

 

 

gk =

ωC1 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(6)

 

 

 

 

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

можно определить по ширине резонансной кривой.

 

Добротность Q1

 

Подключив

Cx и изменяя емкость переменного конденсатора, добиваются

генератором высокой частоты Г индуктивно связан контур, который состоит из

резонанса при другом значении емкости C2

 

переменного конденсатора;

 

катушки связи К, сменной катушки индуктивности L, Rx

(каждая катушка

измеряют новое значение добротности контура

 

Q2 . Так как частота не меняется,

рассчитана на определенный диапазон частот) и воздушного конденсатора

то емкость при второй настройке в резонанс C2

+Cx должна равняться емкости

переменной емкости

C0 . Параллельно конденсатору

C0

включен вольтметр,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω(C2 +Cx )

ωC1

шкалаC1 , т.е.которогоCx = C1 Cпроградуирована2 . Общая активнаяединицахпроводимостьдобротностиgk + gx =Q . К зажимам=

C.x

параллельно C0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q2

Q1

 

присоединяется исследуемый образец. Конденсатор

C0 имеет

Используя (6) для проводимости g получим g

 

 

 

1

 

1

 

. Тогда тангенс

 

=ωC

 

 

 

 

 

 

 

 

минимальные потери, поэтому сопротивлениеk

контураx 1

без исследуемого

 

образца равняется сопротивлению Rk .

 

 

 

 

 

Q

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

1

 

 

 

 

угла диэлектрических потерь:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

gx

 

 

 

 

C1

 

 

 

 

L

 

Rk

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tgδ =

 

=

 

 

mΑ

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωC

x

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cx Q

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г

R0

C0

Q

Rx Cx

 

Измеритель добротности – куметр.

 

Измерение диэлектрической проницаемости и тангенса угла

 

диэлектрических потерь осуществляется с помощью куметра (рис.8). С

Рис.8. Принципиальная схема куметра

Катушка связи К нагружена на безреактивное сопротивление R0 , величина

1.Определение εrи tgδ при постоянном расстоянии между электродами

измерительной ячейки.

При заданной частоте измерением емкости измерительного конденсатора настраивают измерительный контур без измерительной ячейки в резонанс с частотой генератора и фиксируют значение C1 (наличие резонанса указывает максимальное отклонение стрелки куметра).

При той же частоте настраивают измерительный контур в резонанс с подключенной к зажимам Cx куметра измерительной ячейкой, между

электродами которой зажат исследуемый образец толщиной h и диаметром D ( D D0 ), где D0 - диаметр электродов измерительной ячейки, и фиксируют

значения C2

и Q2 . Для параллельного контура с образцом

 

 

 

ωC1

 

 

 

 

Q2 =

 

,

 

 

 

(7)

(γk +γ0 )

 

 

 

где γk , γ0

- активные проводимости контура без образца и с образцом.

 

C1 = C2

+ εrD2

+

D02 D2

+Cm +Cn +Ck +C,

(8)

 

 

 

14,4h

 

14,4h

 

где Сm - монтажная емкость измерительной ячейки; Cn - емкость высокопотенциального электрода на землю; Ck - краевая емкость образца; C-

краевая емкость электродов.

При той же частоте настраивают измерительный контур в резонанс с подключенной к зажимам Cx куметра измерительной ячейки без образца, при

расстоянии между электродами равным толщине образца, и фиксируют значения C3 и Q3 . Для параллельного контура с образцом

Расчет емкωC1ости производится по формуле

 

 

 

 

 

 

 

(9)

Q3

=

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cx

=πγDk(0,029 0,058lg h)

при изменении расстояния между электродами

2. ОпределениеD2

εr

и tgδ

C1

= C3

+

0

 

 

+Cm

+Cn

+C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

измерительной14ячейки,4h .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из выражений (8) и (10) находим

емкости измерительного конденсатора

При заданной14,4h(C частотеC C изменением)

εr

=1

+

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

2

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(11)

настраивают

измерительный

контур в резонанс с подключенной к зажимам

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

которой зажат

 

 

Cx куметра измерительной ячейкой, между электродамиγ

 

 

Из выражений (7) и (9) с учетом того, что tgδ =

x

 

 

, найдем

 

 

ωC

 

 

 

 

исследуемый образец толщиной h, и фиксируют значениеx

Q1 . Увеличивая или

уменьшая емкостьC

измерительного1 1

конденсатора до значения C добиваются

tgδ =

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

(12)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

растройки контураC C ,CприQкоторойQ

показания прибора падают до значения 0,707Q .

 

 

 

3

2

 

 

 

x

2

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

. Затем возвращают измерительный

1

Находят

 

 

 

 

 

емкости

C =

 

C C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Без учетазначениякраевой емкости

1выражения1

 

 

(11) и (12) принимают вид

 

 

 

 

 

14,4h(C C

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

конденсатор в исходное3 2 состояние.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εr

=1

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При той же частоте настраивают измерительный контур в резонанс,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

уменьшая расстоян1

ие между электродами измерительной ячейки, из которой

tgδ =

 

 

C

 

 

1

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и Q

 

. Увеличивая или

вынут исследуемыйC C QобразецQ , и фиксируют значения h

2

2

 

 

 

3

2

 

 

 

2

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

уменьшая емкость измерительного конденсатора до значения C2 добиваются

растройки контура при которой показания прибора падают до значения

C2 .

 

Находят изменение емкости C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

=

 

C C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.Ознакомится с описанием лабораторной работы.

2.Получить допуск у преподавателя на право выполнения работы.

3.Подготовить куметр к работе (последовательность проведения операций указана на стенде установки).

4.Определить εrи tgδ при постоянном расстоянии между электродами

измерительной ячейки (частоты задаются преподавателем).

5.Провести измерения необходимых величин.

6.Используя выражение (13) определить краевую емкость образца.

7.Вычислить, используя (11) и (12), εrи tgδ .

8.Полученные данные занести в таблицу 1.

Определение εr

и tgδ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица1

 

при постоянном расстоянии между электродами измерительной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ячейки

 

 

 

 

 

 

 

 

f ,

 

C1 ,

 

C2 ,

 

Q2

C3 ,

Q3

Ck ,

 

εr

 

tgδ

 

Гц

 

 

 

пФ

 

пФ

 

 

 

пФ

 

 

пФ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.

 

 

Построить графики зависимости εr′ = εr( f ) и tgδ = tgδ( f ) .

 

 

 

 

10.Объяснит полученные результаты.

 

 

 

 

 

 

 

 

11.Определить εrи tgδ при изменении расстояния между электродами

 

измерительной ячейки.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.Провести измерения необходимых величин.

 

 

 

 

 

 

13.Используя выражение (13), определить краевую емкость.

 

 

 

 

14.Вычислить, используя (16) и (17), εrи tgδ .

 

 

 

 

 

 

15.

.Полученные результаты занести в таблицу 2.

 

 

 

 

 

 

 

Нарисовать и объяснить принципиальную схему куметра.

 

Таблица 2

 

6.

 

 

Чем объясняется выбор сменной катушки индуктивности?

 

 

7.

Определение εr

и tgδ

при измен нии расстояния между электродами измерительной

 

 

 

Почему входное напряжение должно быть постоянно при определении εr

 

и tgδ

 

 

с помощью куметра?

 

ячейки.

 

 

 

 

 

 

 

 

,

C1 ,

C1 ,

C2 ,

Ck ,

 

εr

 

f

 

h1 ,

 

h2 ,

C ,

C2 ,

 

tgδ

8.

 

 

Почему вольтметр можно проградуировать в единицах добротности?

 

Гц

 

 

 

см

см

пФ

пФ

пФ

пФ

пФ

пФ

 

 

 

9.

 

 

Какие геометрические параметры необходимы

для расчета εr?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.В чем принципиальное отличие двух описанных методов определения

диэлектрической проницаемости с помощью куметра? 16.Построит график зависимости εr′ = εr( f ) и tgδ = tgδ( f ) .

17.Объяснить полученные результаты.

Контрольные вопросы и задания.

1.Какие виды поляризации вы знаете?

2.Как изменяется диэлектрическая проницаемость с частотой?

3.Нарисовать и объяснить частотные зависимости εr, εr′′ и tgδ для

диэлектрика с одним временем релаксации.

4. Нарисовать и объяснить частотные зависимости εr, εr′′ и tgδ для диэлектрика с двумя временами релаксации.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]