Лабы / 9206_Талгатулы_ЛР№1_Усикова

3) графики зависимостей 1/С² = F(U) и N = F(x).

Рисунок 1. График зависимости 1/С² = F(U) диода 2Д213Б

Рисунок 2. График зависимости 1/С² = F(U) диода Д226

Рисунок 3. График зависимости 1/С² = F(U) диода Шотки

Рисунок 4. График зависимости N = F(x) диода 2Д213Б

Рисунок 5. График зависимости N = F(x) диода Д226

Рисунок 6. График зависимости N = F(x) диода Шотки

Вывод.

В данной лабораторной работе были исследованы зависимости распределения концентрации примеси, используя вольт-фарадные характеристики для трех различных диодов.

По графикам виден нелинейных характер изменения барьерной емкости от напряжения, который появляется благодаря нелинейной зависимости ширины р-n-перехода от приложенного напряжения. Иными словами для резких р-n-переходов изменение толщины происходит по квадратичному закону, а для плавных - по кубическому.

Также заметим, что с увеличением обратного напряжения барьерная емкость падает. Это связано с тем, что с увеличением приложенного обратного напряжения возрастает величина напряженности внешнего электрического поля, которая в свою очередь накладывается на внутреннее (диффузионное поле).

По полученным зависимостям концентрации от координаты можно наглядно оценить распределение примеси внутри полупроводника.