новая папка 1 / 294550
.pdfтравление шлифов. В то же время при получении изображений в отраженных электронах шлифы травлению не подвергаются. Размеры образцов для РЭМ определяются габаритами предметного столика микроскопа. Образцы не обязательно должны быть электропроводящими, но тогда для сканирования необходимо меньшее ускоряющее напряжение, в пределах 5 кВ, в противном случае диэлектрик будет заряжаться, что отрицательно скажется на результатах сканирования. Для обеспечения надежного закрепления на предметном столике, для предотвращения смещения образца в процессе сканирования используются держатели образцов со специальным клейким покрытием, позволяющим надежно зафиксировать образец. В случае, когда происходит исследование сильных диэлектриков, на их поверхность наносится напылением тонкая пленка золота, графита и т. д. При работе с органическими материалами нужно учитывать, что при длительном взаимодействии электронного зонда с образцом возможно термическое разрушение последнего. Перед испытанием образцы должны быть тщательно очищены, чтобы не образовывались газообразные продукты, затрудняющие получение требуемого вакуума при откачке микроскопа и загрязняющие его колонну. Рекомендуется проводить очистку образцов в различных растворителях с использованием ультразвука в случае, если природа объекта исследования позволяет это. При проведении топографических исследований нельзя допускать окисления поверхностей излома. Прибор JSM-6380LV позволяет производить наблюдение влажных объектов без их обезвоживания и наблюдение диэлектрических образцов без их предварительной подготовки (нанесения электропроводящего слоя) в низковакуумном режиме (при давлении в рабочей камере не выше 130 Па) и при использовании отраженных электронов.
Цель работы
Целью работы является изучение основ растровой электронной микроскопии, изучение конструкции и принципов работы прибора, получение навыков обработки и представления экспериментальных результатов, проведение измерения образцов, подготовленных для исследования на растровом электронном микроскопе.
Задание по работе
1.Произвести загрузку образцов для сканирования и перевод микроскопа в рабочий режим.
2.Осуществить подбор ускоряющего напряжения в соответствии с выбранным образцом и режимом исследования.
11
3.Получить предварительное изображение. Произвести фокусировку и настройку для получения наиболее четкого изображения.
4.Провести сканирование при разных режимах сканирования и при разных увеличениях. Сохранить результаты сканирования.
5.Провести измерение линейных размеров объектов по указанию преподавателя.
Методические указания по выполнению работы
Перед выполнением заданий необходимо изучить строение сканирующего электронного микроскопа, методические указания по выполнению лабораторных работ на микроскопе, изучить основные характеристики прибора и особенности подготовки образцов к сканированию. Осуществить сканирование выданного преподавателем образца. Переместить сканер на необходимый участок образца. Увеличить и провести детальное сканирование с сохранением изображений. Провести сканирования в указанных участках образца в заданных режимах.
Контрольные вопросы
1.Представьте функциональный состав растрового электронного микроскопа.
2.Каково назначение отдельных составных частей растрового электронного микроскопа?
3.В чем состоит принцип работы растрового электронного микроскопа?
4.Расскажите об особенностях подготовки образцов для измерений.
5.Каковы возможности растрового электронного микроскопа в исследовании наноструктурированных материалов?
6.Какиеусловиянеобходимособлюдатьприсканированиидиэлектриков?
7.В чем состоит влияние астигматизма на получаемые изображения?
8.Каковы особенности изображения, полученного во вторичных электронах и в отраженных электронах?
Литература
1.Власов А. И. Электронная микроскопия : учеб. пособие / А. И. Власов, К. А. Елсуков, И. А. Косолапов. – М. : Изд-во МГТУ, 2011. – 168 с.
2.Пул Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул, Ф. Оуэнс. – М. : Техносфера, 2006. – 306 с.
3. Фельдман Л. Основы анализа поверхности и тонких пленок / Л. Фельдман, Д. Майер. – М. : Мир, 1989. – 344 с.
12
4.Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / пер. с англ. ; под ред. В. И. Петрова. – М. : Мир, 1984. – Т. 1. – 303 с.
5.Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / пер. с англ. ; под ред. В. И. Петрова. – М. : Мир, 1984. – Т. 2. – 348 с.
13
Учебное издание
ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ
Учебно-методическое пособие для вузов
Составители: Юраков Юрий Алексеевич, Леньшин Александр Сергеевич,
Середин Павел Владимирович
Редактор И.Г. Валынкина Компьютерная верстка О.В. Шкуратько
Подписано в печать 11.03.2014. Формат 60×84/16. Усл. печ. л. 0,81. Тираж 50 экз. Заказ 1270.
Издательский дом ВГУ.
394000, Воронеж, пл. им. Ленина, 10. Тел. 220-82-98, 259-80-26 (факс) http://www.ppc.vsu.ru; e-mail: pp_center@ppc.vsu.ru
Отпечатано в типографии Издательского дома ВГУ. 394000, г. Воронеж, ул. Пушкинская, 3. Тел. 220-41-33
14