Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Технология многослойных печатных плат

..pdf
Скачиваний:
41
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
9.99 Mб
Скачать

ным углем с последующей продувкой паром. Пар вымывает раст­ ворители из сорбента и переносит их в конденсатор. Разница удельных весов воды и растворителя позволяет завершать и этот процесс регенерации с помощью отстойников. Таким образом, можно извлечь до 9 9 % растворителей из выбрасываемых паров, причем возможно регенерировать до 60 70% растворителей. Потери имеют место в результате частичного разложения раство­ рителей при десорбции паром.

5.3. ВИДЫ БРАКА ПРИ РАБОТЕ С СПФ

Качество МПП во многом зависит от того, как выполняются операции фотолитографии. Поэтому большое внимание уделяется вопросам выявления причин брака и устранения их (табл. 5.1).

5.4. АДДИТИВНО-СУБСТРАКТИВНЫИ ФОТОРЕЗИСТ СПФ-АС-1

По ТУ 6-17-691. П—83 серийно выпускается СПФ-АС-1, неко­ торые свойства которого приведены в табл. 5.2.

Фоторезист должен обладать: гальваностойкостью и при тол­ щине светочувствительного слоя 50 мкм обеспечивать осаждение слоя меди в течение 60 мин из электролита гальванического мед­ нения с последующим осаждением сплава ОС в течение 20 ... 25 мин без проведения термообработки фоторезиста; химической стойкостью — обеспечивать травление меди травителями на осно­ ве хлорной меди в течение 4 мин, а также выдерживать обработку

в горячих

(70° С)

растворах химического меднения в течение 20 ч.

Установлено,

что

применение

СПФ-АС-1 позволяет получить

проводники

140... 160

мкм.

Сначала отрабатывался режим

экс-

Т а б л и ц а

5.2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Свойства СПФ-АС-1

 

 

 

 

 

Показатель

 

 

Норма

 

 

 

 

 

 

СПФ-АС-1-25

I СПФ-АС-1-50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Внешний вид

 

 

 

 

 

Трехслойный, окрашенный

ма­

 

 

 

 

 

 

 

териал без

воздушных

и

ме­

 

 

 

 

 

 

 

ханических

включений

и

на­

Эффективное

 

время

экспонирования че-

плывов

25

 

 

 

25

 

 

рез фотошаблон (на

лампах

ДРТС-

 

 

 

 

1000), с, не более

 

 

 

линию

100+10

125± 12,5

 

 

Способность

 

воспроизводить

 

 

обеспечивает

 

получение

проводников

 

 

 

 

шириной, мкм

 

 

 

органических

4

4

 

 

Остатрчное

содержание

 

 

растворителей

в

светочувствительном

 

 

 

 

слое, %, не более

 

 

 

 

 

 

 

 

Установлено, что с увеличением времени проявления ширина проводников увеличивается, тонкие проводники (0,1 мм) смыва­ ются. При малом времени проявления фоторезист полностью не вымывается с неэкспонированных участков, при времени боль­ шем 2,5 мин наблюдается вспучивание фоторезиста, особенно на участках повышенной плотности рисунка. При оптимальном вре­ мени проявления в 1 л и 2%-ного проявителя можно обрабаты­ вать 0,4 м2 поверхности. Качество проявления изображения прове­ ряется выборочно на 1—2 заготовках методом подтравливания и 10%-ном растворе персульфата аммония в течение 5...7 с. Подтравливание должно быть равномерным по всей ширине печатно­ го проводника, медь на проявленных участках должна иметь рав­ номерную розовую окраску, а защитный рельеф должен быть од­ нородного цвета по краям и на поверхности заготовки. Для облег­ чения проверки качества проявления рисунка схемы предложено заготовки плат после проявления окрашивать в водных и спирто­ вых растворах некоторых красителей. Наиболее эффективным для фоторезиста СПФ-ВЩ-2 оказался водный раствор индикатора ме­ тилового фиолетового (ТУ6-09-945—76), который окрашивает как фоторезист, так и совсем незначительные его остатки. Для опре­ деления качества проявления рисунка заготовку ПП или слой МПП после проявления и промывки окрашивает в течение 5...7 с в растворе индикатора метилового фиолетового концентрацией 1... 2 г/л, промывают проточной водой 10... 20 с, сушат фильтро­ вальной бумагой, а затем осуществляют визуальный контроль без микроскопа. Отсутствие окрашенных участков на пробельных мес­ тах свидетельствует о качественном проявлении. Снятие этого фо­ торезиста с пробельных мест осуществляется в 5... 10%-ным рас­ творе едкого натра, используя установку ГГМ.1.254.001. Установ­ ка для снятия фоторезиста должна быть оборудована фильтрую­ щей системой для улавливания пленки фоторезиста из раствора и для очистки раствора. Фоторезист СПФ-ВЩ-2 может быть исполь­ зован при гальваническом наращивании металлов и сплавов только из кислых растворов.

5.6. ФОТОРЕЗИСТ ЗАЩИТНЫЙ СПФЗ

Разработан и серийно выпускает по ТУ 16-505.049—82 сухой пленочный фоторезист защитный (СПФЗ) для электроизоляцион­ ной защиты, а также обеспечения защиты поверхности ПП от раз­ личных загрязнений при монтаже и пайке компонентов и от небла­ гоприятных воздействий окружающей среды. Кроме того, электро­ изоляционные свойства защитного покрытия на основе СПФЗ поз­ воляют отказаться от установки изолирующих прокладок под ком­ поненты.

В [13] приведены результаты исследования СПФЗ с толщиной светочувствительного слоя 100... 120 мкм, предназначенного для нанесения на ПП с высотой проводников до 80 мкм.