Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

673_Raschet_analogovykh_i_diskretnykh_ustrojstv_

.pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
12.11.2022
Размер:
548.77 Кб
Скачать

Федеральное агентство связи

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики» (СибГУТИ)

Ю. В. Рясный Е. В. Дежина Ю. С. Черных М. С. Чашков С. Л. Ремизов

РАСЧЕТ

АНАЛОГОВЫХ И ДИСКРЕТНЫХ УСТРОЙСТВ

ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Учебно-методическое пособие к курсовому проектированию

Новосибирск

2016

УДК 621.377.4.001.24.(075.8)

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ

Рецензент канд. техн. наук, доц. С.С. Абрамов

Рясный Ю. В., Дежина Е. В., Черных Ю. С., Чашков М. С., Ремизов С. Л.,

Расчет аналоговых и дискретных устройств электрических цепей : Учебнометодическое пособие к курсовому проектированию / Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. – Новосибирск, 2016. – 46 с.

В учебно-методическом пособии к курсовому проектированию по дисциплинам «Теория электрических цепей» и «Основы теории цепей» приведены краткие теоретические сведения и пример расчета дискретного фильтра и его характеристик, даны необходимые справочные материалы для проведения расчетов и указания по оформлению работы.

Учебно-методическое пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки направлениям: 210400 «Телекоммуникация»; 210700 «Информационные технологии и системы связи»; 090320 «Информационная безопасность информационных систем».

Кафедра теории электрических цепей (ТЭЦ)

©Рясный Ю.В., Дежина Е.В., Черных Ю.С., Чашков М.С., Ремизов С.Л., 2016 ©Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2016

2

ВВЕДЕНИЕ

Целью курсовой работы является систематизация и закрепление знаний, полученных при изучении курса теории цепей.

В процессе самостоятельной работы студенты должны спроектировать дискретный фильтр, выделяющий одну из гармоник, полученных на выходе нелинейного преобразователя.

Устройство, которое необходимо разработать, содержит как аналоговую, так и дискретную части. Его структурная схема приведена на рисунке 1.

Блок питания

Электронный

ключ

Авто-

 

Согласующее

 

Нелинейный пре-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дискретный

 

 

 

 

 

 

 

генератор

 

устройство

 

образователь

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

БИХ-фильтр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fд

аналоговая часть

Рис. 1. Структурная схема устройства

Аналоговая часть схемы содержит автогенератор, вырабатывающий исходное (задающее) колебание; нелинейный преобразователь, искажающий форму сигнала; масштабирующий усилитель для согласования автогенератора и нелинейного преобразователя по уровню сигнала, входному и выходному сопротивлениям, а также блок питания. Дискретная часть схемы представляет собой БИХ-фильтр четвертого порядка.

В помощь студентам в настоящих методических указаниях приведены необходимые справочные материалы, рекомендации по расчету, а также ссылки на соответствующие разделы в учебной литературе.

Курсовая работа оформляется на листах формата А4. Работа должна содержать необходимые расчеты с пояснительными графиками и схемами и функциональную схему устройства. Все формулы представляются сначала в буквенном виде и только после этого в численных значениях с указанием единиц измерения конечных результатов.

Все формулы, таблицы, рисунки должны быть пронумерованы. Расчетные значения конденсаторов и резисторов следует округлять до

стандартных величин, предусмотренных ГОСТом. Графическая часть должна выполняться с соблюдением требований ЕСКД.

3

1. ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Спроектировать дискретный фильтр, выделяющий гармоническое колебание заданной частоты из сигнала на выходе нелинейного преобразователя и удовлетворяющий условиям, указанным в таблице 1.

Табл. 1.1. Технические требования к устройству

 

Заданные параметры

Обозначения

Требования к автогенератору

 

1.

Тип автогенератора

Схема рис. 3.1 а или б

2.

Тип транзистора

VTавт

3.

Частота генерации

fг

4.

Напряжение питания

Uпит авт

5.

Сопротивление в коллекторной цепи

Rк авт

Требования к нелинейному преобразователю

 

1.

Тип нелинейного преобразователя

Схема рис. 2 а, б или в

2.

Тип нелинейного элемента

VTнел или VDнел

3.

Напряжение смещения

U0

4.

Амплитуда напряжения на входе

Uт

 

 

Требования к БИХ-фильтру

 

1.

Порядок НЧ-прототипа

m

2.

Номер гармоники, выделяемой фильтром

l

3.

Неравномерность ослабления в полосе пропуска-

А

ния

Amin

4.

Ослабление в полосе непропускания

4

2.МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РАСЧЕТУ

2.1.Расчет автогенератора

Вкачестве задающего генератора в работе используются схемы на биполярном транзисторе с пассивной RC-цепью обратной связи (рис. 3.1). Однако по согласованию с преподавателем может быть выбрана любая из известных схем автогенераторов на полевых транзисторах, операционных усилителях (ОУ), либо схемы с колебательными контурами. При этом в пояснительной записке желательно привести обоснование принятого решения.

Теория автоколебательных цепей изложена в [1-3]. Исходными данными для расчета задающего генератора являются:

- тип схемы; - тип активного элемента (биполярный транзистор – для схем рис. 3.1);

- напряжение питания Uпит авт;

- сопротивление Rк авт в коллекторной цепи биполярного транзистора.

Автогенератор собран на составном транзисторе VT1 - VT2 для увеличения входного сопротивления транзисторного каскада.

При расчете RС-генератора необходимо руководствоваться следующими практическими соображениями. Сопротивление нагрузки выбирается так, что-

бы выполнялось условие: Rк авт R (по меньшей мере, на порядок, т.е. в 10

раз). Поскольку это сопротивление задано, то при выполнении расчетов нужно следить за тем, чтобы вычисленные значения сопротивлений R в цепи обратной связи удовлетворяли бы указанным условиям.

Существуют рекомендации и по выбору сопротивления базы Rб :

Rб R. Подобный выбор удобнее делать после расчета значений сопротивлений R.

Емкости конденсаторов С цепи обратной связи обычно выбирают в пределах 100 пФ 1 мкФ, а величину емкости разделительного конденсатора Ср -

из условия: Cр С . В пояснительной записке нужно обосновать применение

такого разделительного конденсатора.

В отличие от напряжения питания активного элемента (биполярного транзистора), которое можно найти в исходных данных к работе, напряжение смещения uбэ0, задающее положение рабочей точки на проходной вольтампер-

ной характеристике (ВАХ) транзистора iк F uбэ , выбирается студентами

самостоятельно. Если это не оговорено особо, то рабочую точку лучше всего выбрать в середине линейного участка проходной ВАХ.

Расчет генератора считается законченным, если:

-определены значения всех элементов схемы, найдена амплитуда стационарного колебания на выходе генератора;

-приведена полная схема задающего генератора.

5

Rк авт

Необходимые справочные данные для расчета приведены в разделе 3 (табл. 3.1 и 3.2, рис. 3.1).

В таблице 3.1 использованы обозначения:

Hус j – комплексная передаточная функция цепи прямой связи (т.е.

активного усилительного элемента);

Sср – средняя крутизна ВАХ активного элемента генератора;

– сопротивление в коллекторной цепи биполярного транзистора;

Ri – внутреннее сопротивление активного элемента;

Hос j – комплексная передаточная функция цепи обратной связи;

R – сопротивление в цепи обратной связи; С – ёмкость в цепи обратной связи;

Rн – входное сопротивление составного транзистора.

Для получения комплексной передаточной функции Hус j транзистор

был заменен упрощенной эквивалентной схемой, т.е. активный элемент был представлен источником тока, управляемым напряжением (ИТУН) (рис. 2.1). Передаточные функции Hос j для цепей обратной связи легко находятся известными из теории электрических цепей методами.

Рис. 2.1. Эквивалентная схема звена усиления

При пользовании формулой для Hус j следует иметь в виду, что

обычно Ri Rк авт . Этот факт позволяет упростить формулу:

Н

ус

j S

ср

R

S

ср

R

ej .

(2.1)

 

 

к авт

 

к авт

 

 

В таблице 3.2 приведены входные и выходные характеристики некоторых транзисторов.

ПРИМЕР РАСЧЕТА: Рассчитать RС-генератор (рис. 3.1а). Тип транзистора 2Т658А.

Частота генерации fг 10кГц

Напряжение питания U

20 В

 

питавт

Сопротивление нагрузки в коллекторной цепиRк авт 1кОм

В стационарном режиме работы автогенератора на частоте генерации

6

г 2 fг должны выполняться условия баланса амплитуд и фаз:

НУС ( г) НОС ( г) 1

,

(2.2)

 

 

)

 

(

) 2

(

ОС

 

 

УС

г

 

г

 

 

 

где Hус г , Hос г – модули передаточных функций Hус j (уси-

лительного элемента), Hос j (цепи обратной связи), соответственно;

ус г , ос г – аргументы этих передаточных функций.

Для заданной схемы:

Нус г SсрRк авт .

(2.3)

Из формулы 2.1 видно, что ус г , значит для выполнения условия

баланса фаз необходимо, чтобы цепь обратной связи вносила сдвиг фаз, равный. Это будет выполнено при равенстве нулю мнимой части знаменателя выражения Hос j из табл. 3.1:

6 R2 г2C2 4R Rн 0.

(2.4)

Отсюда получаем выражение для частоты генерации:

г

6 4R / Rн

.

(2.5)

 

 

RC

 

Теперь можно записать, что:

Нос г

1

 

.

(2.6)

29 4(R / R )2

23R / R

 

н

н

 

Для схемы, приведенной на рис. 3.1б, также можно получить выражение для частоты генерации:

 

г

 

1

 

R Rн

(2.7)

RC

3R 6R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

н

 

и коэффициента передачи цепи обратной связи на частоте генерации:

Hос( г)

 

(R Rн)Rн

 

 

 

 

.

(2.8)

29R2

38RR

12R2

 

н

н

 

 

 

Найдём значения сопротивлений Rн и R, входящих в 2.5, 2.6 для расчёта

г и Hос( г).

Входное сопротивление Rн составного транзистора:

Rн Rбэ2,

(2.9)

7

 

где – коэффициент усиления транзистора по току (для VT1); Rбэ2 – входное сопротивление транзистора VT2.

Для определения и Rбэ2 нужно выбрать рабочую точку транзистора. Для этого вначале необходимо построить проходную характеристику

транзистора iк F uбэ – зависимость значения тока в выходной цепи от вход-

ного напряжения uбэ . В свою очередь, исходными для построения проходной характеристики являются:

– входная характеристика транзистора iб F uбэ (рис.2.2);

– выходная характеристика транзистора iк F uкэ (рис.2.3).

Эти и подобные им характеристики для разных типов транзисторов являются справочным материалом и приведены в настоящем пособии в разделе 3, табл. 3.2. На семействе выходных характеристик используемого транзистора 2Т658А (рис. 2.3) проводится нагрузочная прямая через точки с координатами:

Uпит авт;0 и 0;Uпит авт

Rк авт .

iб,мA

1,5

1,0

0,5

0uбэ, В

0,1 0,2 0,3

Рис. 2.2. Входная характеристика транзистора

iк , мА

20

iб 0,1мA

16

12

8

iб

4

0

5 10 15 20 25 uкэ, В

Рис. 2.3. Выходные характеристики транзистора

8

По точкам пересечения нагрузочной прямой с выходными характеристиками строим промежуточную характеристику iк F uбэ . Для этих целей удобно составить таблицу:

Табл. 2.1 Промежуточная характеристика транзистора

 

 

 

 

 

iб, мA

 

0

0,1

 

0,2

 

0,3

 

0,4

 

 

0,5

 

 

0,6

 

0,7

 

0,8

0,9

 

1,0

1,1

 

 

 

 

 

iк, мA

 

0

2,5

 

4,6

 

6,5

 

8,2

 

 

10,0

 

 

12,2

 

13,8

 

15,0

16,3

 

17,3

18,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

iк,мA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iб,мA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

0,4

0,6

0,8

 

 

1,0

1,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 2.4. Промежуточная характеристика транзистора

 

 

 

 

 

 

 

Затем, используя полученную зависимость (рис. 2.4) и входную характе-

ристику iб F uбэ

(рис. 2.2), определяют требуемую зависимость: iк F uбэ

(рис. 2.5).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим расчет проходной характеристики подробнее. Зададим зна-

чение

напряжения

uбэ 0,1В

 

и

 

по

 

входной

характеристике

транзистора

 

iб F uбэ

(рис. 2.2) определим

соответствующее ему значение тока

базы

 

iб

 

 

uбэ 0,1В 0,1мА. Затем

по промежуточной

характеристике

iк F iб

(рис.

 

 

 

2.4)

определим

соответствующее

 

ему

 

значение

тока

 

коллектора

 

iк

 

i 0,1мА 2,5 мА.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б

Все данные, необходимые для построения характеристики, сведены в

 

 

 

 

 

 

таблицу 2.2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9

Табл. 2.2. Проходная характеристика транзистора

uбэ, В

0

0,1

0,13

0,16

0,18

0,2

0,22

iб, мA

0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

iк, мA

0

2,5

4,6

6,5

8,2

10,0

12,2

uбэ, В

0,23

0,25

0,26

0,27

0,28

0,3

0,35

iб, мA

0,7

0,8

0,9

1,0

1,1

1,25

1,75

iк, мA

13,8

15,0

16,3

17,3

18,2

18,2

18,2

По проходной характеристики определяют положение рабочей точки. Лучше всего задаться значением uбэ0 0,2 В– это середина линейного участка проходной ВАХ, изображенной на рисунке 2.5.

Определим входное сопротивление составного транзистора Rн , являющееся нагрузкой для звена обратной связи.

Сначала по входной ВАХ транзистора определяют динамическое входное сопротивление транзистора VT2 в рабочей точке:

R

 

 

 

 

uбэ

 

0,25 0,15

0,2 кОм.

(2.10)

 

 

 

 

 

 

 

бэ2

 

u

0,2В

 

iбэ

0,75 0,25

 

 

 

 

 

 

бэ0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Затем определим коэффициент усиления транзистора по току:

 

iк0

 

 

 

10

20.

(2.11)

iб0

 

u

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

бэ0 0,2

В

 

 

 

Зная Rбэ2 и , по формуле 2.9 можно рассчитать сопротивление Rн составного транзистора:

Rн Rбэ2 20 0,2 4 кОм.

Величину сопротивления R выбирают из условия R Rк авт. Зададим первоначально R 10 Rк авт 10кОм. Но эту величину необходимо уточнить при дальнейшем расчёте.

Определим амплитуду стационарного колебания на выходе генератора. Для этого построим колебательную характеристику – зависимость средней крутизны проходной характеристики Sср от амплитуды напряжения обратной свя-

зи um бэ: Sср F um бэ .

Значение средней крутизны для разных значений uбэ можно определить по формуле:

Sср

0,5(iк max iк min)

.

(2.12)

um бэ

10