39

Министерство общего и профессионального образования Российской Фе­дерации

Воронежский государственный технический университет

Ю.Г.Крюков

Конструирование микросхем и микросборок

Конспект лекций Воронеж 1998

Составитель: докт. техн. наук, профессор Ю.Г.Крюков

УДК 621.396.9(075)

Конструирование микросхем и микросборок: Конспект лекций/ Воронеж. госуд. техн. ун-т. Сост. Ю.Г.Крюков. Воронеж, 1998. 37 с.

JSBN 5-230-04414-4

В работе рассмотрены принципы действия, структуры, характеристики и применение полупроводниковых микросхем, выполненных на основе биполяр­ных и полевых транзисторов.

Конспект лекций предназначен для индивидуальной работы студентов дневной и заочной форм обучения при изучении дисциплины “ Конструирова­ние микросхем и микросборок “ специальности 2000800 “ Проектирова­ние и технология радиоэлектронных средств.

Тематика конспекта лекций соответствует программе дисциплины, утверждённой методической комиссией радиотехнического факультета.

Рукопись набрана в текстовом процессоре Word 97 и размещена на дискете 3,5 дюйма в виде файла KMM_1.doc.

Ил. 22. Библиогр.: 5 назв.

Научный редактор доктор техн. наук, профессор Муратов А.В.

Рецензенты: кафедра физики полупроводников и микроэлектроники

Воронежского государственного университета;

доктор техн. наук П.А.Попов

Печатается по решению редакционно-издательского совета Воронеж­ского государственного технического университета.

 Воронежский государственный технический университет, 1998

Оглавление Введение 4

1. 1. Изоляция 5

2. Биполярные активные структуры 6

2. 3. Диоды 12

4. Униполярные МДП-транзисторы 14

5. Резисторы 21

6. Конденсаторы 23

7. Межэлементные соединения и контактные площадки 25

8. Диоды Шотки 26

9. Приборы с зарядовой связью 30

10. Инжекционные структуры 33

Библиографический список литературы 37 Введение

Современный радиоинженер конструктор-технолог радиоэлектронных средств (специальность 200800 “ Проектирование и технология радиоэлектронных средств “) должен обладать такими умениями и знаниями в области микроэлектроники, которые обеспечивают ему возможность проектирования микросхем и микросборок (МСБ) на основе новейших и перспективных в будущем технологических процессов изготовления как гибридных плёночных микросхем (ГИС), так и полупроводниковых интегральных микросхем (ИС), применяющихся в МСБ в виде корпусных или бескорпусных конструкций.

Грамотное конструирование микросхем и МСБ невозможно без знания плёночных структур ГИС и полупроводниковых ИС. Технологические про­цессы микроэлектроники в соответствии с государственными образовательным стандартом высшего профессионального образования по специальности 200800 изучаются в одноимённом курсе, а в учебной дисциплине ” Конструирование микросхем и микросборок “ рассматриваются вопросы проектирования ГИС и МСБ и приводятся общие представления о структурах, принципах действия и характеристиках полупроводниковых ИС. В связи с имеющейся обширной ли­тературой по полупроводниковым ИС в данном конспекте лекций приводятся в достаточно краткой форме обобщённые сведения о полупроводниковых ИС, необходимые для радиоинженера конструктора-технолога радиоэлектронных средств для конструирования МСБ.

В дальнейшем тексте абревиатура ИС используется для полупроводнико­вых ИС.