Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебное пособие 1833

.pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
30.04.2022
Размер:
2.37 Mб
Скачать

УДК 539.216.2

СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК (In2O3/C)74

П.М. Хлоповских1, студент гр. ПФм-151 О.В. Жилова1, И.В. Бабкина1, А.В. Ситников1, О.И. Сысоев2

1Воронежский государственный технический университет

Кафедра физики твердого тела 2ВУНЦ ВВС «ВВА имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина» (г. Воронеж)

Кафедра физики и химии

Представленная работа посвящена исследованию структуры и электрических свойств гетерогенной системы (In2O3/C)74. С целью исследования, методом ионнолучевого распыления были получены многослойные образцы [1]. Причем проводилось последовательное осаждение In2O3 и C на вращающуюся ситалловую подложку при одновременном распылении соответствующих мишеней. Для изменения толщин, напыляемых пленок, между мишенью и подложкодержателем устанавливался V-образный экран. За время напыления были проведены 74 цикла формирования бислоев (In2O3/C). Толщина полученной пленки менялась от 0,028 мкм до 0,136 мкм.

Рентгеновская дифракция исследуемых пленок проводилась на дифрактометре D2 PHASER фирмы BRUKER.

Дифрактограммы пленок (In2O3/C)74 в исходном состоянии:

1 – 0,028 мкм; 2 – 0,054 мкм; 3 – 0,084 мкм; 4 – 0,108 мкм; 5 – 0,135

На рисунке представлены зависимости рентгеновской дифракции пленок (In2O3/C)74 в исходном состоянии для разных толщин. Видно, что при толщинах 0,028 мкм и 0,054 мкм пленка имеет рентгеноаморфную структуру, выраженную широким гало. Пики на дифрактограмме при толщинах больше 0,084 мкм пленка свидетельствуют о кристаллической структуре, причем кристаллическим является кубический оксид индия. При отжигах пленок, имеющих кристаллическую структуру в исходном состоянии наблюдается увеличение размера гранул In2O3. В образцах, имеющих аморфную структуру в исходном состоянии, после термической обработки 250 °С происходит кристаллизация оксида индия. Анализ малоугловых дифрактограмм многослойной структуры пленок не выявил.

Анализ удельного электрического сопротивления пленок показал, что при увеличении толщины пленки ρ уменьшается. Такая зависимость может быть объяснена поверхностным рассеянием носителей заряда и структурными изменениями.

Работа выполнена при поддержке Минобрнауки в рамках проектной части государственного задания (проект № 3.1867.2017/4.6).

31

УДК 537.9

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ZnO, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ЛУЧЕВЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ

И.С. Ильяшев, студент гр. ТФ-131, М.А. Каширин, Д.М. Логошин, студент гр. ТФ-131, В.А. Макагонов, С.Ю. Панков, аспирант

Кафедра физики твердого тела

Образцы тонких пленок ZnO были получены методом ионно-лучевого распыления на установке, спроектированной и изготовленной на кафедре физики твердого тела ВГТУ [1]. Мишени размером 280х80 мм2 представляли из себя керамические пластины ZnO, закрепленные на медном водоохлаждаемом основании. Напыление производилось как на неподвижную, так и на вращающуюся подложку. Для получения тонких пленок разной толщины в едином цикле напыления между мишенью и подложкодержателем устанавливался V-образный экран. Образцы были промаркированы таким образом, что с увеличением номера толщина пленки ZnO увеличивалась.

На рис. 1 представлена зависимость электросопротивления тонких пленок ZnO (рис.1) в зависимости от номера образца. Видно, что с увеличением номера (толщины) образца электросопротивление понижается на несколько порядков, как для пленок полученных на неподвижную, так вращающуюся подложку. При этом для тонких пленок с низким порядковым номером, полученным первым способом, электросопротивление выше, чем полученных вторым. Это может быть связано с неравномерностью толщины пленки вдоль образца.

Рис.1. Зависимости электросопротивления от номе-

Рис.2. Зависимости термоэдс от номера образца 1 –

ра образца 1 – без вращения подложки при напыле-

без вращения подложки при напылении, 2

– с вра-

нии, 2 – с вращением подложки при напылении

щением подложки при напылении

 

Для определения типа носителей заряда в тонких пленках ZnO было проведены исследование термоэдс методом горячего зонда (рис. 2). Полученные зависимости приведены на рис. 2 и свидетельствуют о том, что основным типом носителей заряда, вне зависимости от параметров распыления являются электроны. Кроме того, из графиков видно, что для образцов, полученных без вращения подложки термоэдс увеличивается с увеличением номера образца, в то время как термоэдс пленок, напыленных на вращающуюся подложку термоэдс практически не изменяется.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект 16-08-36411).

Литература 1. Ситников А.В. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем ме-

талл – диэлектрик: дис. … д–ра физ. – мат. наук : 01.04.07 / Ситников А.В.; Воронежский гос. тех. университет. – Воронеж: 2010. – 318 с.

32

УДК 538.935

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ МАТРИЦЫ

 

 

 

НА МАГНИТОРЕЗЕСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В КОМПОЗИТАХ Co-MgF2

 

 

 

 

 

 

Т.В. Трегубова, аспирант, В.В. Кирпан, магистрант гр. ПФм-161,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А.В. Ситников, O.В. Стогней

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кафедра физики твердого тела

 

 

 

 

 

Методом ионно-лучевого распыления составной мишени получены композитные

образцы в системе с бескислородной диэлектрической матрицей Coх(MgF2)100-х. Состав по-

лученных образцов плавно изменяется в широком диапазоне концентраций (14

Со, ат.%

62). Проведены исследования структуры композитов (методом рентгеновской дифрак-

ции),

электрических

(методом

двухзондовой потенциометрии) и магниторезистивных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

свойств (в магнитных полях до 10 кЭ).

 

 

 

104

 

 

 

 

 

 

 

В исходной структуре композитов, находящих-

 

103

 

 

 

 

 

 

 

ся на краях исследованного интервала составов, иден-

 

102

 

 

 

II

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тифицируется мелкозернистая фаза MgF2

или нано-

 

101

I

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

III

 

размерные зёрна гексагонального кобальта. В середи-

 

10-1

 

 

 

 

 

 

не исследованного интервала – смесь этих двух фаз.

kOm*mm 10-2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Концентрационная зависимость удельного сопротив-

 

10-3

 

 

 

 

 

 

 

 

10-4

 

20

30

40

50

60

70

ления образцов Coх(MgF2)100-х (рис. 1) типична для

 

 

10

композитных систем металл-диэлектрик. Наблюдается

 

 

 

 

Концентрация Co, ат.%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

участок резкого уменьшения сопротивления на кон-

Рис.1. Концентрационнная зависимость

центрационной зависимости,

соответствующий элек-

трической перколяции. Оценка концентрации, соот-

электрического сопротивления системы

 

композитов Сox(MgF2)100-x

 

ветствующей электрическому порогу перколяции, дает

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

значение 36 ат. % Со.

 

 

 

 

-8

 

 

 

 

 

 

 

а

В композитах Coх(MgF2)100-х наблюдается отри-

 

-6

 

 

 

 

 

 

 

цательное изотропное туннельное магнитосопротив-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ление (MR), величина которого достигает 7 % вблизи

%

-4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MR,

 

 

 

 

 

 

 

 

порога перколяции (рис. 2, а). Высокие значения MR в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-2

 

 

 

 

 

 

 

 

данной системе обусловлены большой шириной за-

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

прещенной зоны

диэлектрического фторида

магния

 

 

 

Исходное состояние

 

(12,3 эВ), а также низкой степенью дефектности ди-

 

 

 

 

 

 

2

 

 

После отжига при180 °C

 

 

 

электрической матрицы. В образцах с концентрацией

 

 

 

15

20

25

30

35

40

 

 

 

близкой к порогу перколяции, помимо отрицательного

 

 

 

Концентрация Co, ат. %

 

 

 

эффекта, наблюдается положительное магнитосопротив-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,5

Co32MgF68

 

 

б

ление (рис 2, б). Причем, при увеличении концентрации

 

0,0

 

 

кобальта в композите на полевых зависимостях MR по-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

является гистерезис, обусловленный формированием

R,%

-1,0

 

 

 

 

 

 

 

 

ферромагнитных

кластеров.

Положительный

эффект

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

связан с особенностями морфологии композитов вблизи

М

-1,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

порога перколяции и аналогичен эффекту, наблюдаемо-

 

-2,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

му в композитах Co-SiO2 и Co-Al2O3.

 

 

 

-2,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-10

 

-5

0

 

5

10

Термические отжиги, проводимые в вакууме при

 

 

 

 

 

 

Н,kOe

 

 

180 °С, не влияют на магниторезистивный эффект и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 2. Магнеторезестивный эффект

удельное сопротивление композитов. После увеличения

температуры отжига до 350 °С наблюдается значитель-

композитов системы Сox(MgF2)100-x:

ное рост электросопротивления композитов (на один-два

a) концентрационная зависимость;

 

 

б) полевая зависимость

 

порядка), а также уменьшение магниторезистивного эф-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

фекта в доперколяционных образцах.

 

 

33

УДК 538.953

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА ГРАДИЕНТНЫХ ПОКРЫТИЙ NI-ZrO2 МЕТОДОМ ОБРАТНОГО РЕЗЕРФОРДОВСКОГО РАССЕИВАНИЯ (RBS)

М.С. Филатов, аспирант, О.В. Стогней

Кафедра физики твердого тела

Одним из возможных путей улучшения различных механических свойств функциональных покрытий является создание покрытий металл керамика с градиентным профилем. Для исследования структуры и свойств подобных покрытий необходимо использование сложных аналитических методик. В данной работе представлены результаты исследования элементного состава градиентных композитов Ni-ZrO2 с помощью резерфордовского обратного рассеивания (RBS). Метод RBS является уникальным методом неразрушающего контроля поверхности. В основе метода лежит явление кулоновского рассеяния быстрых ионов атомами исследуемого вещества на углы больше 90°. Зависимость энергии рассеянного иона от массы рассеивающего атома обеспечивает возможность элементного анализа образцов [1]. На рисунке представлен глубинный концентрационный профиль градиентных пленок Ni-ZrO2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пленки были получены с помо-

 

0,7

 

 

 

 

 

 

 

а

 

 

щью магнетронного ВЧ метода путем

 

0,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

одновременного распыления двух ме-

 

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

таллических мишеней (Ni и Zr83Y16) в

0,4

 

2

 

 

1

 

 

 

 

ат.

 

 

 

 

 

 

 

 

смешанной атмосфере аргона и кисло-

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

O

 

N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

Zr

 

рода. Градиентность

пленки

обеспечи-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

Ni

 

валась

последовательным

снижением

 

0,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мощности на магнетроне с никелевой

 

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

 

0,5

3

 

 

 

 

 

 

б

 

 

мишенью. Толщина

пленок

составила

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

0,8 мкм. Для

напыления образцов ис-

 

0,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

O

 

пользовались

две

схемы

изменения

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ат.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

Zr

 

мощности магнетронов, что позволило

N

 

 

 

 

 

 

 

 

Ni

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

получить образцы с разными концен-

 

0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

трационными профилями (см. рис.). Ри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

1000

 

2000

 

3000

 

4000

 

5000

сунок

условно можно разбить на 3 об-

 

 

 

 

 

1015 ат/см2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ласти. В первой области фиксируется

Глубинный концентрационный профиль градиентных

содержание кислорода подложки, а так-

 

 

 

 

пленок Ni-ZrO2

 

 

 

 

же момент выхода процесса напыления

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на рабочий режим. В области номер два наблюдается снижение концентрации никеля, в то

время как концентрация циркония остается неизменной. Разброс значений принадлежа-

щих кислороду, по всей видимости, связан с большой погрешностью в определении кон-

центрации «легких» атомов. Кроме этого, при расшифровке спектра, не учитывалось со-

держание иттрия в циркониевой мишени, что также могло повлиять на вычисление расчет

концентраций. Несмотря на это, рассчитанные профили концентраций в области 2 хорошо

согласуются с технологией получения пленок. По мере уменьшения мощности на магне-

троне с никелевой мишенью, происходит снижение концентрации Ni вплоть до заверше-

ния процесса. Таким образом, прямым методом послойного измерения концентрации эле-

ментов подтверждена возможность получения концентрационно-градиентных покрытий.

Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 16-42-360778 р_а.

Литература 1. Горшков, О.Н. Применение методов резерфордовского обратного рассеяния ио-

нов и ионно-индуцированного рентгеновского излучения для анализа элементного состава и структурного совершенства твердых тел: учебно-методические материалы / О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, В.К. Васильев. – Нижний Новгород. – 2007. – 59 с.

34

УДК 678.01:539.3/.4

РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ВЫКЛАДКИ ПОЛИМЕРНОГО КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА

К.С. Габриельс, О.А. Караева, А.М. Кудрин, Д.В. Полухин

Воронежский государственный технический университет

В настоящее время полимерные композиционные материалы (ПКМ) находят широкое применение в различных отраслях промышленности. Наиболее востребованы углеродными ПКМ оказались в авиакосмической сфере, так как вес и прочность играют ключевую роль в конструкции изделий. Тенденции развития современной авиационной отрасли задают новые, высокие требования, предъявляемые к качеству, точности и повторяемости изготовления деталей, повышению технологичности производственных процессов, сокращению трудоемкости и повышению производительности. В связи с этим, автоматизация процессов получения композиционных материалов на сегодняшний день является одной из самых актуальных задач современного производства ответственных изделий из ПКМ.

Процесс адаптации полимерных композиционных материалов под нужды систем автоматизированных выкладок является комплексным и включает в себя несколько стадий. На примере армирующего материала Formosa TC-35 12K и полимерного связующего Т-107 была разработана и отработана технология подготовки исходного сырья в соответствии с техническими требованиями комплекса выкладки MAGViper 1200, которая включала в себя этапы порезки широкой ленты на жгуты 6,35 мм и их перемотка на отдельные бобины. На основе полученного сырья, в автоматическом режиме были выложены партии образцов экспериментальных однослойных и многослойных пластин, в соответствии с заданными в управляющих программах значениями управляющих параметров. Из полученных образцов пластин были изготовлены элементарные образцы и проведен комплекс их физико-механических испытаний, анализ результатов которого позволил выбрать наиболее оптимальный технологический режим выкладки и формования. Основные прочностные характеристики партии представлены в таблице.

Результаты физико-механических испытаний

Предел

 

Предел

Предел

Модуль

Предел проч-

Предел

Модуль уп-

прочности

прочности

упругости

прочности

ности (меж-

прочности

ругости (при

при сжатии

(сдвиг в

(сдвиг в

(при Тком),

слоевой сдвиг),

при отрыве

Тком), ГПа

(при Тком),

плоскости

плоскости

МПа

МПа

от сот, МПа

 

МПа

листа), МПа

листа), ГПа

 

 

 

 

2097,58

146,92

986,3

176,32

15,97

87,93

7,35

Одновременно с решением практических задач, были проведены исследовательские работы и теоретического характера. Основываясь на результатах отработки и разработки технологии автоматизированной выкладки и значениях прочностных характеристик образцов выбранного материала, была построена математическая модель оценки влияния управляющих параметров процесса выкладки на физико-механические свойства композиционных материалов.

База теоретических и практических разработок позволяет их применять в дальнейшем при проведении работ по адаптации новых материалов к нуждам комплексов автоматизированных выкладок.

35

УДК 678.01:539.3/.4

РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ПРОЦЕССА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ВЫКЛАДКИ

М.Ю. Воскобойник, О.А. Караева, А.М. Кудрин, Д.В. Полухин, А.А. Лялин

Воронежский государственный технический университет

Внастоящее время полимерные композиционные материалы (ПКМ) получили широкое распространение при изготовлении изделий в различных областях промышленности. Высокая прочность, низкий вес и стойкость к переменчивым условиям окружающей среды, обусловили применение ПКМ при производстве легких высоконагруженных изделий и конструкций. В авиационной, ракетно-космической и машиностроительной областях промышленности наибольшее применение нашли изделия из ПКМ изготовленные по препреговой технологии.

С увеличением объемов производимых изделий возникает необходимость в оптимизации технологического процесса, путем перехода от ручного метода выкладки материала к автоматизированному. С применением оборудования для автоматизированной выкладки изменяются требования, предъявляемые к получаемому технологическому материалу. Таким образом, существует потребность в адаптации применяемых материалов и разработке технологии получения технологического материала для автоматизированной выкладки в соответствии с требованиями имеющегося оборудования.

Впроцессе разработки технологии получения технологического материала для автоматизированной выкладки, выбраны армирующие наполнители и полимерные связующие растворного и расплавного типа. Отработаны оптимальные режимы получения препрегов на основе однонаправленных углеродных лент с использованием нитей Formosa TC-35 12K, а также углеродных лент марок ЛУ/П и УОЛ-300Р с применением связующих марок ЭНФБ, Т-6815 и Т-107.В процессе изменения управляющих параметров пропитки (режимов) изготовлены опытные партии технологических материалов и проведены исследовательские испытания физико-механических свойств. Результаты испытаний представлены в таблице.

Результаты исследовательских испытаний

Наименование углепла-

σр, МПа

σсж, МПа,

τ12, МПа,

τ13, МПа,

стика ПКМ

(ASTM D 3039)

(ASTM D 695)

(ASTM D 3518)

(ASTM D 2344)

 

 

 

 

 

ЛУ/П + ЭНФБ

1060,64

819,2

66,22

43,9

УОЛ-300Р + ЭНФБ

1719,09

510,8

144,80

52,3

Безутковая лента на ос-

 

 

 

 

нове нитей Formosa TC-

1871,66

1133,5

112,66

93,3

35 12K + T-6815

 

 

 

 

Безутковая лента на ос-

 

 

 

 

нове нитей Formosa TC-

1887,21

1004.7

154,27

60,41

35 12K + T-107

 

 

 

 

Лента на основе Formosa

 

 

 

 

TC-35 12K/ ВМПС + Т-

1914,24

1201,8

171,56

90,7

107

 

 

 

 

σ, МПа – предел прочности при растяжении и сжатии; τ12, МПа – предел прочности при сдвиге в плоскости листа; τ13, МПа - предел прочности при межслоевом сдвиге.

На основе результатов проведена корректировка оптимальных режимов изготовления технологического материала. Все изготовленные опытные партии материалов на основе расплавных связующих (Т-6815, Т-107) в дальнейшем показали высокую технологичность для процессов автоматизированной выкладки.

36

СОДЕРЖАНИЕ

 

Разработка математической модели термоэлектрического модуля Пельтье

3

Д.Г. Лизнева, О.В. Калядин

 

Моделирование рабочих процессов термоэлектрического охлаждающего модуля

 

в стационарном режиме

4

Д.Г. Лизнева, О.В. Калядин

 

Особенности поведения второй гармоники сигнала отклика Bi-ВТСП на

 

переменное магнитное поле

5

А.С. Баркалова, А.В. Сергеев, И.М. Голев

 

Нелинейный отклик сверхпроводника системы Bi-Sr-Ca-Cu-O на переменное

 

магнитное поле

6

В.А. Гвоздевская, А.В. Сергеев, И.М. Голев

 

Теплопритоки в железнодорожных холодильных установках

7

Е.В. Дворецкая, И.М. Шушлебин

 

Тепловой режим термобудок на базе автомобиля «ГАЗель»

8

Е.В. Михеев, И.М. Шушлебин

 

Технология получения высокотемпературных сверхпроводников методом

 

медленной кристаллизации из расплавов

9

А.А. Павлова, А.В. Сергеев

 

Использование программного комплекса ANSYS в технической физике

10

В.В. Кирпан, К.Г. Королев

 

Нелинейный диэлектрический отклик в наноструктурированном титанате бария

В.В. Запорожский, Д.А. Лисицкий, В.М.О. Аль Мандалави, Л.Н. Коротков

Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных самосмещенных

композитах Tb0,12Dy0,2Fe0,68 – PbZr0,53Ti0,47O3 при изгибных и продольных колебаниях

А.В. Калгин, С.А. Гриднев, Д.Р. Суворков, А.А. Порядский

Обратный магнитоэлектрический эффект в слоистом композите

Fe0,45Co0,45Zr0,1 - ЦТС-35 - Fe0,45Co0,45Zr0,1

А.И. Котляров, М.В. Хахленков, A.A. Камынин, С.А. Гриднев

Определение моды резонансных колебаний образца магнитоэлектрического композита Ni–PZT–Ni

И.И. Попов, С.А. Гриднев

Диэлектрические свойства тетрахлорцинката рубидия в условиях ограниченной геометрии

Л.С. Стекленева, А.Н. Дудина, Л.Н. Коротков

Концентрационная зависимость магнитной проницаемости керамического композита (1 - х) BiFeO3 - x MgFe2O4

М.В. Хахленков, А.С. Шпортенко, A.A. Камынин, С.А. Гриднев

Эффект смены типа проводимости в тонкопленочных композиционных покры-

тиях LiNbO3+Nb2O5

Г.С. Рыжкова, В.А. Дыбов, А.В. Костюченко, М.П. Сумец

Влияние потенциала смещения на подложке на состав, структуру и механические свойства фосфат-кальциевых покрытий, полученных в процессе высокочастотного магнетронного распыления

В.А. Дыбов, аспирант, А.В. Костюченко, Р.Н. Пономарев

11

12

13

14

15

16

17

18

Структура границ зерен в фосфатах кальция

19

А.В. Костюченко, С.А. Солдатенко, Е.Н. Федорова

 

Синтез ЦТС содержащих покрытий

20

Д.В. Сериков, В.Ю. Тунееков

 

Твердофазный синтез пленок карбида кремния

 

С.А. Солдатенко, В.О. Кузьмина

21

37

Влияние легирующих добавок на термоэлектрические свойства PbTe

22

В.В. Бавыкин, А.С. Шуваев

 

Синтез теллурида свинца

23

В.В. Бавыкин

 

Особенности электрических свойств нанокомпозитов Ni-MgO при низких

 

температурах

24

А.А. Гребенников, О.В. Стогней

 

Измерительный комплекс для регистрации параметров медленно протекающих

 

процессов на базе модуля ЛА-20USB

25

А.А. Гребенников, К.Ф. Балыкин, М.К. Ельчанинов

 

Фазовые превращения в многослойных пленках (SnO2/C)77 при термической

 

обработке

26

И.В. Бабкина, А.А. Прошунин, О.В. Жилова

 

Получение и электрические свойства тонких пленок CuXC1-X

27

А.А. Краснова, М.А. Каширин, В.А. Макагонов, Л.И. Янченко, О.И. Сысоев

 

Мемристорный эффект в градиентных пленках композита CoFeB-LiNbO3

28

Г.С. Рыжкова, И.С. Матлаев, В.А. Писеуков, А. В. Ситников

 

Влияние вакуумного отжига на электрические свойства многослойной наност-

 

руктуры Mg/NbO

29

А.Н. Смирнов, О.В. Стогней, А.В.Ситников

 

Магнитодинамические свойства композитов (Co40Fe40B20)65(SiO2)35 напыленных

30

на стеклоткань

 

О.С. Тарасова, В.В. Филиппов, А.В. Ситников

 

Структура и электрические свойства пленок (In2O3/C)74

31

П.М. Хлоповских, О.В. Жилова, И.В. Бабкина, А.В. Ситников, О.И.Сысоев

 

Электрические свойства тонких пленок ZnO, полученных ионно-лучевым

 

распылением

32

И.С. Ильяшев, М.А. Каширин, Д.М. Логошин, В.А. Макагонов, С.Ю. Панков,

 

Влияние элементного состава металлической матрицы на магниторезестивный

 

эффект в композитах Co-MgF2

33

Т.В. Трегубова, В.В. Кирпан, А.В. Ситников, O.В. Стогней

 

Определение элементного состава градиентных покрытий Ni-ZrO2 методом об-

 

ратного резерфордовского рассеивания (RBS)

34

М.С. Филатов, О.В. Стогней

 

Разработка технологии автоматизированной выкладки полимерного компози-

35

ционного материала

 

К.С. Габриельс, О.А. Караева, А.М. Кудрин, Д.В. Полухин

 

Разработка технологии изготовления технологического материала для процесса

36

автоматизированной выкладки

 

М.Ю. Воскобойник, О.А. Караева, А.М. Кудрин, Д.В. Полухин, А.А. Лялин

 

38

Научное издание

57 ОТЧЕТНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПРОФЕССОРСКО-ПРЕПОДАВАТЕЛЬСКОГО СОСТАВА, СОТРУДНИКОВ, АСПИРАНТОВ И СТУДЕНТОВ

Секции

«Физика твердого тела», «Физика и техника низких температур»

Тезисы докладов

(г. Воронеж, 17 апреля 2017 г.)

В авторской редакции

Подписано к изданию 08.12.2017. Объем данных 2,2 Мб.

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14