книги / Электронные приборы
..pdf3.Напряжение сток — исток, при котором насту пает насыщение.
4.Напряжение затвор — исток, при котором на ступает насыщение.
21.Укажите форму канала и области объемного за ряда (заштрихованы) в МДП-транзисторе с индуциро
ванным каналом при напряжениях на выводах, соответ ствующих режиму насыщения. [1. стр. 353]
^ р -ка п а л |
р - канал |
\ |
С |
И |
|
|
|
1Г |
РА
ш
22. Что называется |
напряжением |
насыщения |
|
МДП-транзистора |
с |
индуцированным |
каналом? |
[1, стр. 353] |
|
|
|
1.Напряжение сток — исток, при котором образу ется канал проводимости.
2.Напряжение затвор — исток, при котором об разуется канал проводимости.
3.Напряжение сток — исток, при котором проис ходит перекрытие канала.
4.Напряжение затвор — исток, при котором про исходит перекрытие канала.
23.Укажите форму канала и области объемного за ряда (заштрихованы) в МДП-транзисторе с индуциро
ванным каналом при напряжениях на выводах, при ко торых отсутствует режим насыщения. [1, стр. 353]
|
р -капал* |
|
р-капал |
С |
И |
С |
И |
24.Укажите приближенную зависимость тока стока
врежиме насыщения/с нас от напряжений в МДП-тран зисторе с индуцированным р-каналом. [1, стр. 354]
^ С н а с ~ (^ С И н а с ^ З и ) 2- |
IQнас~ (^С И нас — |
^ З И п о р ) 2, 3 . |
/ С иас ~ (^ С И |
^ З и ) 2’ |
4 ’ ^ С н а с ~ ( ^ З И |
^ З И пор)2, |
|
25. Укажите связь напряжения насыщения с порого вым напряжением в МДП-транзисторе с индуцирован ным р-каналом. [1,стр. 354]
1 |
^ с и н а е = |
^ З И |
пор* |
и си нас = |
и зи пор |
и з и . |
|
|
^ с и |
нас = |
( ^ З И |
^ З И |
пор)2, |
^ С И нас ~ |
|
= |
^ З И |
пор |
U Ш - |
|
|
|
|
26. В чем состоит различие между МДП-транзисто- |
|||||||
р£ми с индуцированным |
и встроенным |
каналами? |
|||||
[1, стр. 349; 2, стр. 244] |
|
|
|
|
1. В транзисторе со встроенным каналом канал проводимости существует уже при нулевом напря жении затвор — исток.
2. |
Различие между |
транзисторами отсутствует. |
3. |
В транзисторе со |
встроенным каналом канал |
проводимости не может быть перекрыт напряже нием затвор — исток.
4.Правильного ответа нет.
27.Какой полярности напряжения затвор — исток яв ляются рабочими для МДП-транзистора со встроенным
каналом? [1, стр. 349]
1.Только той же полярности, что и в транзисто ре с индуцированным каналом.
2.Только противоположной полярности в сравне нии с транзистором с индуцированным затвором.
3.Любой полярности в пределах напряжений, при которых обеспечивается проводимость через канал.
28.Можно ли получить канал проводимости в МДП-
транзисторе при нулевом напряжении затвор — исток, если использовать неидеальную структуру МДП? (См. разъяснение)
1. Можно. 2. Нельзя.
10-3. ОБОЗНАЧЕНИЯ И СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Схемы включения полевых транзисторов ограничены рассмотрением транзистора с управляющим р-п перехо дом. МДП-транзисторы из-за отсутствия тока в цепи за
твора и возможности подачи напряжения разной поляр ности (в случае встроенного канала) допускает большое разнообразие рабочих смещений и потому не рассмат риваются.
1. Укажите, обозначение в схемах транзистора с управляющим р-п переходом и п-каналом. [2, стр. 385]
2. Укажите обозначение.в схемах транзистора с изо лированным затвором обогащенного типа (с индуциро ванным каналом) с p-каналом и выводом от подложки. (См. разъяснение)
3. Укажите обозначение в схемах транзистора с изо лированным затвором обедненного типа (со встроен ным каналом) с n-каналом. (См. разъяснение)
4. Укажите обозначение в схемах транзистора с изо лированным затвором обогащенного типа (с индуциро ванным каналом) с n-каналом. (См. разъяснение)
5. Укажите обозначение в схемах транзистора с управляющим р-п переходом и р-каналом. [2, стр. 386]
4 ? У
/г
6.Укажите обозначение в схемах транзистора с изо лированным затвором обогащенного типа (с индуциро ванным каналом) с p-каналом. (См. разъяснение)
Ф й |
Ф V |
7.Укажите обозначение в схемах транзистора с изо
лированным затвором обедненного типа (со встроенным каналом) с p-каналом. (См. разъяснение)
^ |
V |
1 ^ |
^ |
^ |
8. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ ляющим р-п переходом и «-каналом в схеме с общим ис током? [1, стр. 344]
г |
|
л i.'©-Л {г©1Л |
|
|
Л С__ Л 1!__ л |
||
1 |
2 |
J |
4 |
9. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ ляющим р-п переходом и p-каналом в схеме с общим стоком? (См. разъяснение)
Л |
Л |
E |
t g |
c , |
Л |
L |
|
|
|
|
|
||
t ______ Л Г |
Л |
Г |
... |
|
л ? л |
г |
10. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ ляющим р-п переходом и p-каналом в схеме с общим за твором? (См. разъяснение)
ГЖЛ СЖЛ ГЖ1 ГЖД
Г М Г Г Г Г1 LXJ
11. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ ляющим р-п переходом и n-каналом в схеме с общим стоком? [1, стр. 344]
1_©п _i |
L ©л +i i+ |
.1 |
i, ®-i.i |
||
II I ! |
Г |
J t |
] |
t |
Л |
12. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ ляющим р-п переходом и /г-каналом в схеме с общим за твором? [1; стр. 344]
ПЖ1 1ГЖЛ ГЖ71 Г (ЙЛ
Г _ ] И Х Л LJ_ J
13. Каково рабочее смещение на транзисторе с управ ляющим р-п переходом и p-каналом в схеме с общим ис током? (См. разъяснение)
© Л |
г © |
71 |
Г - |
Г Г |
|
' Л |
t |
7 1 |
Л1 71 г__.J I!__.71
J |
* |
Рассматриваются характеристики полевого транзис тора с управляющим р-п переходом и характеристики транзистора с одним верхним изолированным затвором; положительные направления напряжений и токов вы браны, как в четырехполюснике, при этом характеристи ки передачи рассматриваются для основного режима ра боты транзистора — режима насыщения.
1. Какие семейства статических характеристик тран зистора называются выходными? [1, стр. 346]
1. М ^зи ) при ^си = const.
2* 1с (^си) при t/3H = const.
3. Iс (£/зи) при / 3 = const.
4- /3 (t/си) при Um = const.
2. Какие семейства статических характеристик тран зистора называются входными? [1, стр. 346]
1• 7з (^зи) при |
= const. |
2* (^си) при £/3и == const,
73 (^зи) при / с = const,
4* 7з (^си) при Um = const.
3. Какие семейства статических характеристик тран зистора называются характеристиками прямой переда чи? [1, стр. 346]
!• |
7с (7з) при Ucli = const. |
2- |
и си {и зи) при /с = const. |
3. |
/3 (/с) при U3ll = const. |
4- |
М ^зи) при и си = const. |
4. Укажите выходную характеристику транзистора с управляющим р-п переходом и «-каналом. [1, стр. 346; 2, стр. 233]
5.Укажите входную характеристику транзистора с
управляющим р-п переходом и «-каналом при [/си = 0 . [1, стр. 348; 2, стр. 235]
6.Укажите характеристику прямой передачи транзи
стора с управляющим р-п переходом и «-каналом. [1, стр. 348; 2, стр. 235]
7. Укажите графическую зависимость / C (UCH ), яв ляющуюся геометрическим местом точек, соответствую щих переходу транзистора с управляющим р-п перехо дом и n-каналом в режим насыщения. [1, стр. 346; 2, стр.233]
8. Укажите выходную характеристику транзистора с изолированным затвором и индуцированным «-каналом при UzvO Uзинор • [1. стр. 353; 2, стр. 244]
9. Укажите входную характеристику транзистора с управляющим р-п переходом и n-каналом при Uси >0*
[2, стр. 235]
10. Как изменится выходная характеристика транзи стора с управляющим р-п переходом и n-каналом при уменьшении напряжения затвор — исток? [1, стр. 346; 2, стр. 233]
11. Укажите характеристику передачи транзистора с изолированным затвором и индуцированным п-каналом.
[2, стр. 244]
12.Укажите характеристику передачи транзистора с
изолированным затвором и встроенным р-каналом. [1, стр. 349; 2, стр. 244]
13. Как изменится выходная характеристика тран зистора с изолированным затвором и встроенным п-ка- налом при увеличении напряжения затвор — исток?
[1, стр. 349; 2, стр. 244]
14.Укажите характеристику, передачи транзистора с
изолированным затвором и встроенным л-каналом. [1, стр. 349; 2, стр. 244]
15. Укажите область насыщения (заштрихована) в семействе выходных характеристик транзистора с управ ляющим р-п переходом и п-каналом. [1, стр. 346; 2, сдр. 233]
16. Укажите характеристику передачи транзистора с управляющим р-п переходом и р-каналом. [1, стр. 348; 2, стр. 235]
17.Как изменится выходная характеристика транзи
стора с изолированным затвором и индуцированным n-каналом при увеличении напряжения затвор — исток? [1, стр. 353; 2, стр. 244]