Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / СВЧ-энергетика. Генерирование. Передача. Выпрямление

.pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
19.44 Mб
Скачать

тиметрового диапазона, имевший коэффициент шума 30 дб. Читателя, интересующегося подробностями этих экспе­ риментов, мы отсылаем к работе [6].

Важным фактором при выборе источника энергии СВЧ для мощной системы является его долговечность в эксплуа­ тации. Так как пока изготавливались только эксперимен­ тальные плазмеппо-лучевые усилители, данных по сроку службы этих приборов пет. То обстоятельство, что для получения плазмы катоду прибора, возможно, придется работать при давлениях газа 10"4 мм ргп. ст. и выше, означает, что катод будет подвергаться более тяжелой ионной бомбардировке, чем в обычных усилителях СВЧ. Но если удастся использовать преимущества плазмен­ ного усиления, плотность тока катода можно будет зна­ чительно уменьшить и компенсировать в какой-то степе­ ни вредное действие ионной бомбардировки.

VII. Краткие выводы

В этом разделе мы показали, как можно получить энергию СВЧ в результате взамодействня плазмы с элек­ тронным пучком, не используя сложных ВЧ-структур из металла, характерных для ЛБВ и клистронов. Было отмечено также, что без какого-либо решения проблемы устройств связи не удастся полностью извлечь выгоды, которые потенциально имеются в механизме плазменнолучевого взаимодействия. Применение резонаторов или спиралей в качестве устройств связи ограничивает воз­ можности прибора, но даже при этих ограничениях реали­ зуются большие усиления при малой длине пространства взаимодействия; кроме того, для работы прибора не тре­ буется магнитного поля. Время покажет, найдут ли плаз­ менно-лучевые усилители практическое применение в мощных системах СВЧ.

О б о з н а ч е н и я

В — магнитная

индукция,

вб!м*(тл);

е — заряд

электрона,

к;

гц;

/пл

— плазменная

частота,

т

— масса

электрона,

кг;

 

 

п — концентрация

электронов, ,и"3;

 

 

 

 

 

*

— фазовая

скорость,

м/сек;

 

 

 

 

 

 

 

05 *6

— тензор

 

диэлектрической

проницаемости;

 

 

 

е — эффективная

диэлектрическая

проницаемость;

е0 — диэлектрическая

проницаемость

свободного

про­

 

 

странства,

ф/м\

рад/сек;

 

 

 

 

 

 

со — круговая

частота,

 

 

рад/сек;

 

<1>ц — циклотронная

круговая

частота,

 

сопл — плазменная

круговая

частота,

рад/сек.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л И Т Е Р А Т У Р А

 

 

 

1.

В о у с1 О. Б.,

О о и 1 д

К. V/.,

Р I е 1 <1

Ь. М.,

1п1егасиоп

 

 

о! а тос1и1а1е<1 е1ес1гоп Ьеаш \уНЬ а р1азта,

Ргос. 1РЕ, 49, рр.

 

1906—1916(Эес. 1961); есть русский перевод: ТИИЭР, 49, № 12,

2.

стр. 2189 (1961).

 

 

С Ь о г п е у

Р.,

Ргора^аИоп ш юп 1оас1ес1

5 ш и I И п

 

Ь. О.,

 

 

хуауе^иЫез, Ргос. 5ушр. Е1ес1гошс. Мауе^иМез, Вгоок1уп Ро1у-

 

 

1есЬ. 1пз1. 1958, рр. 229—247, Ые\у Уогк, Ро1у1есЬшс Ргезз, АргП

 

 

1958.

 

 

 

е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 .

Т г 1 V е 1 р

1

е с

А . \У .,

О о и 1

с! Р . IV .,

5 р асе -сЬ аг§ е

ш а у е

 

1п суПпбпса! р !а 5 ш а

со!ишп5,

Арр1. Р1гуз., 30, р р .

1784—1793

4.

оу. 1959).

К. Ь.,

Ап е!ес1гоп Ъеат-р1азта атрНПег а! писппуа-

Р е г г а г 1

5.

уе 1геяиепс1ез,

 

Е1ес(гоп. Соп1го1., 17, рр. 49—65 (1и1у 1964).

В е е к

А. Н. V/.,

О г е § о г у

В. С.,

М о и г 1 е г

С., Ехреп-

 

теп1з

оп а

р1азта

Ьаск\уагс1\уауе озсПЫог, Ргос. 1п1егп. СопГ.

 

АИсгомауе Ор1. СепегаНоп АтрППсаИоп,

61Ь, 1966, рр. 480—

6.

484, 1пз1. о! Е1ес. Епд., Ьпс!., 1966.

Ъеагп-р]азта

атрИПегз,

С Ь о г п е у

 

Р.,

Ресеп!

абуапсез т

 

1ЕЕЕ

1п{егп. Сопу. Ресогй, Р1. 5, рр. 5—16 (МагсЬ 1966).

2.8. КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ

Вейле т е ке

I.Введение

Вэтом разделе мы рассмотрим некоторые принципиаль­ ные и конструктивные особенности квантовых генерато­

ров. Основное внимание будет уделено лазерам, а не ма­ зерам, так как, хотя по принципу действия лазеры и ма­ зеры очень близки друг к другу, выходная мощность ма­ зеров очень мала по сравнению с мощностью обычных источников энергии СВЧ или лазеров.

Лазеры появились совсем недавно, но за прошедшие пять-шесть лет они стали объектом весьма интенсивных исследований. Поэтому в данной книге уместно рас­ смотреть основные свойства и некоторые важнейшие ха­ рактеристики этих приборов. Доводом в пользу такого рассмотрения будет также то, что недостатки, присущие лазерам, несомненно, будут сведены к минимуму в ходе дальнейшего развития этой области техники. Достигну­ тые недавно успехи еще раз подтверждают этот, вывод. Почти до самого последнего времени серьезным недостат­ ком лазеров был их низкий к. п. д., который лишь в ред­ ких случаях превышал 1—2%. Сейчас можно сказать, что в лазерах на С02 этот барьер преодолен; современные лазеры этого типа в непрерывном режиме генерировали мощность около 1 кет при к. и. д. 12%1}. Такие квантовые генераторы могут оказаться лучше генераторов СВЧ во многих энергетических применениях.

II. Основы теории квантовых генераторов

Квантовые генераторы принципиально отличаются от их классических конкурентов. Мы начнем наше рассмо­ трение с выяснения этих различий. Как классические, так и квантовые генераторы генерируют излучение в ре-)*

*) К.п.д. лазеров на СО., — Ма — Не доходит даже до 30% .—

Прим. ред.

зультате взаимодействия ансамбля возбужденных элек­ тронов с определенным полем излучения. Однако в клас­ сической системе энергия отдельных электронов, т. е. запасенная энергия, приходящаяся на один электрон, много больше кванта энергии Ну поля излучения, созда­ ваемого данным генератором. Более того, состояния дви­

жения электронов

в классических генераторах таковы,

что энергетический

спектр электронов

является либо

непрерывным, либо

квазииепрерывиым.

Следовательно,

в классическом приборе происходит непрерывный про­ цесс энергетического обмена между электронами и полем излучения и при описании его характеристик необяза­ тельно рассматривать квантовые свойства ансамбля элек­ тронов или поля излучения.

В квантовом генераторе, напротив, накопленная энер­ гия, приходящаяся на один электрон, обычно не намного больше энергии кванта или фотона поля излучения, с ко­ торым происходит взаимодействие; в то же время расстоя­ ние между энергетическими уровнями отдельного элек­ трона очень близко соответствует энергии фотонов. Это означает, что процессы энергетического обмена в таких приборах существенно зависят от квантовых свойств как электронов, так и поля излучения, с которым они взаимодействуют.

Другое различие между классическими и квантовыми приборами выражается в различном характере движения электронов в этих приборах. В классическом генераторе все электроны находятся в состояниях свободных или почти свободных переходов. В квантовом генераторе они находятся в сравнительно сильно связанных состояниях, т. е. электроны связаны в атомах, ионах или молекулах в газовых лазерах, связаны в ионах в лазерах на твердом теле или связаны с периодическим распределением потен­ циалов решетки в полупроводниковых лазерах. Поэтому

теория квантовых

электронных генераторов строится

на базе динамики

связанных электронов этого типа.

А.Основные свойства системы связанных электронов.

Вобщем случае энергия связанной системы, какой яв­ ляется атом, молекула или ион, квантована. Это озна­ чает, что возможны лишь такие состояния системы, для

которых энергия принимает дискретные значения №1,

№а>••• .Следовательно, если такая система находится на своем основном уровне \У1г она может поглощать энер­ гию (с последующим излучением или без него) только дискретными порциями

Если источником поглощаемой энергии служит поле излучения, т. е. если переход системы из энергетического состояния и?! в состояние №п является излучательным, то данное поле должно содержать частотные компонен­ ты, близкие к \>л1, где, согласно постулату^Бора,

=

Ж

(2)

здесь к — постоянная Планка

="6,63* 10" 34

д Ж ’Сек).

Обратно, если в такой системе происходит излучатель­

ный переход из состояния п в состояние т

при \Уп > №т ,

то частота излучения будет определяться

выражением

В общем случае изолированный атом, ион или моле­ кула будут иметь четко выраженный спектр энергетиче­ ских уровней, зависящий только от свойств данной свя­ занной системы. Схематически такой спектр можно пред­ ставить так, как показано на фиг. 1, а. Спектр изолиро­ ванной системы можно определенным образом изменить, подвергая ее внешним воздействиям электрического поля (эффект Штарка) или магнитного поля (эффект Зеемана). В результате такого воздействия энергетический спектр возмущается, как показано схематически на фиг. 1, б. Структура спектра зависит при этом не только от свойств атома, но и от величины и формы возбуждающего поля. На фиг. 1, б схематически показаны два эффекта возму­ щения: простое повышение или понижение уровнями рас­ щепление энергетического уровня. Расщепление уровня происходит по следующей причине. В отдельном" изоли­ рованном атоме несколько внутренних состояний могут характеризоваться в точности совпадающей энергией. Тогда эти состояния неразличимы друг от друга и'на энер­ гетической диаграмме их представляют одним и тем же уровнем, который называют вырожденным. Но когда ^тот атом помещают в электрическое или магнитное поле*

возмущение приводит к тому, что состояния, ранее ха­ рактеризующиеся одинаковой энергией, теперь обладают различной энергией, а первоначально вырожденный уро­ вень расщепляется. Если же энергетический уровень был невырожденным или если возмущение не уменьшает чис­ ла вырожденных уровней, то после возмущения этот энер­ гетический уровень на энергетической диаграмме занимает просто более высокое или более низкое положение.

Фи г . 1.

Схема энергетических уровнен изолированного

атома (а)

и того же атома в электрическом и магнитном по­

 

лях (б).

До сих пор мы рассматривали энергетический спектр изолированного атома (иона) или изолированного атома, возмущенного внешними электрическим или магнитным полем. Рассмотрим теперь энергетическое распределение ансамбля атомов или ионов. Обычно мы рассматривали такие ансамбли в состоянии термодинамического равно­ весия (при некоторой температуре Т) или в близком к нему состоянии. Мы предположим, что этот ансамбль всегда имеет настолько малую плотность, что взаимодействия между атомами или ионами в этой системе достаточно слабые, т. в. ни один из ио*нов сильно не возмущается

остальными частицами системы. Тогда все атомы или ионы можно описать одной схемой уровней энергии и имеет смысл поставить вопрос, каково распределение атомов или ионов по энергетическим уровням этого ансамбля, находящегося при температуре Т Для всех случаев, которые представляют интерес в данном изложении, это распределение описывается формулой Больцмана

N = ]\/ ёпехр ^~~

__

(3)

"ех р (-^,„//еГ )’

/7 1

где Ып — населенность уровня с энергией №я, §п — вырожденность (статистический вес) я-го уровня, т. е. число энергетических состояний с энергией 1^я, N — полное чис­ ло атомов или ионов в ансамбле и к — постоянная Больц­ мана = 1,38-10" 23 дж/град).

Б. Излучательные процессы, в которых участвуют отдельные атомы или ионы. Прежде чем перейти к описа­ нию излучательных взаимодействий в ансамблях, со­ стоящих из связанных электронов, рассмотрим процессы, в которых участвует только один атом или ион. Пусть изолированный атом обладает энергией, превышающей его основной уровень. Общее свойство таких атомных си­ стем состоит в том, что их энергия уменьшается путем излучения. Это означает, что любой изолированный атом или ион, энергия которого превышает основной уровень, будет спонтанно излучать. Такой процесс излучения описывается с помощью коэффициентов спонтанного излу­ чения Апт, где п — исходный уровень, а т — некоторый конечный уровень, при котором №т < \Рп. Полный коэф­ фициент спонтанного излучения для я-го уровня можно записать в виде

4 = 2 Л „„

(4)

/71= 1

Излучательный процесс по существу является стати­ стическим, а коэффициент Апт — это изменение вероят­ ности нахождения атомной или ионной системы на уров­ не я (за 1 сек) вследствие спонтанного перехода с уровня я на заданный более низкий уровень т . Этот переход со­

провождается излучением кванта энергии на соответст­ вующей частоте

Таким образом, вероятность

перехода системы (за 1 сек)

с уровня п на уровень т

выражается как

Р

=

А

л пт

 

Л ппг

Аналогично Ап представляет вероятность перехода системы (за 1 сек) с уровня п иа любой более низкий уро­ вень т . Этот переход сопровождается излучением на одной из частот

= №п—№т)1К где т = 1,2,.... п— 1.

Кроме спонтанного излучения, атом или ион может излучать в результате возбуждения, обусловленного взаи­ модействием с существующим полем излучения. Если атом имеет энергию \Упи энергетический уровень №т<.№п, то изотропное поле излучения с частотными составляю­ щими

может вынудить переход данной системы на нижний уровень с вероятностью (в единицу времени)

Р п т = В п т о (у„,п).

Здесь р(^„,) — плотность лучистой энергии на единичном частотном интервале в изотропном поле излучения1*, а

Впт — коэффициент Эйнштейна для вынужденного (ин­ дуцированного) излучения при переходе между уровнями

п и т . Величина Репт имеет размерность сек'1, размер­

ность р(упт) дж-сек/м3, а коэффициент В еп,п выражается в единицах м3/дж‘сек2. Наконец, атом или ион можно вынудить поглощать излучение. Если атом, первоначаль­

но находящийся на уровне

<.

\Уп, взаимодействует

с полем излучения, то вероятность

вынужденного погло­

щения одного фотона с частотой чпт, отнесенная к единице времени, будет такова:

Ратп = Ватпр {\т)>

(6)

4) Плотность фотонов соответствующей частоты, индуцирую­ щих переходы между уровнями п и т .— Прим. ред.

где ВтП— коэффициент Эйнштейна для вынужденного поглощения при переходе между уровнями п и т .

Можно показать, что все три коэффициента Лпт%

ВеПт и В%п не являются независимыми и связаны между собой следующим соотношением:

§пВп'п —ётРтп,

или в общем виде

ё п ^ п т = ё т ^ т п С^)

независимо от того, является ли процесс излучением или

поглощением.

Величину

мы уже ввели ранее как ста­

тистический

вес уровней

\Рп. Итак, если

> №'т ,

вероятность вынужденного излучения для этих уровней, отнесенная к единице времени, будет

^п т ^ ш п Р ( улш )’

авероятность вынужденного поглощения, отнесенная к единице времени, составит

^тп ВтпР (уши) — (ёп/ёт) А |/л Р (уш п)в

Следовательно, для Ртп также имеем

ёп^пт^ ётРтп'

(8 )

В заключение можно показать, что при

(9)

или

А пт = (ъ8Ь * !с * ) ( ё т 1ёп) В,пп-

Следует подчеркнуть, что все эти соотношения и коэффициенты получены с использованием выражений для плотности излучения в изотропном поле излучения1). Их можно также выразить и через интенсивность поля излучения. Тогда для спонтанного излучения при пере­ ходе с уровня Г п на более низкий уровень №т , как и прежде,

______________

Рпт. =*= А

*) Связь между коэффициентами ^4 и б находится из закона Планка.— Прим. уед.

но для вынужденного излучения или поглощения соответ­ ственно получим

Р п т — (4п/с) Впт1(улт)

(11)

Р п т = ( * Ф ) втп1( V , , ,, , ) .

(12)

Здесь с — скорость света, м/сек, а I имеет размерность вт/м2-стерад. Наконец, если рассмотреть анизотропное поле излучения, вероятность перехода можно определить следующим образом. Для спонтанного излучения, как и прежде,

Рп т —А п 1 л ш

а для вынужденного излучения или поглощения

Р п т =

( \ т)

(13)

И

 

 

Ртп= с-'Втп7(улт),

(14)

где

 

 

Т(чпт) = $1

 

(15)

а <И&— элементарный телесный

угол

около радиуса-

вектора г.

В. Уширение спектральной линии. Исходя из вышеиз­ ложенного, можно было бы подумать, что энергетические уровни имеют бесконечно малую ширину и что ширина спектральной линии излучения также будет исчезающе малой. Поскольку это не соответствует действительности, рассмотрим вкратце механизмы, определяющие существо­ вание уровней энергии и, следовательно, уширение спек­ тральных линий излучения и поглощения. Можно разли­ чать два вида уширения спектральной линии: однородное и неоднородное. Однородное уширение непосредственно связано с соотношением неопределенностей Гейзенберга, примененным к отдельному атому или иону:

АЕЫ^Н/2*. (16)

Это соотношение можно интерпретировать следующим образом. Ни один энергетический уровень атомной или ионной системы нельзя определить с точностью выше Н/2п&1, где Л* — время наблюдения данной системы.