книги из ГПНТБ / Страховский Г.М. Основы квантовой электроники учеб. пособие
.pdfГ. M. СТРАХОВСКИЙ, А. В. УСПЕНСКИЙ
ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Д о п у щ е н о М и н и с т е р с т в о м в ы с ш е г о и с р е д н е г о
с п е ц и а л ь н о г о о б р а з о в а н и я С С С Р в к а ч е с т в е у ч е б н о г о п о с о б и я
д л я с т у д е н т о в в у з о в , о б у ч а ю щ и х с я по с п е ц и а л ь н о с т и
« П о л у п р о в о д н и к и и д и э л е к т р и к и »
МОСКВА «ВЫСШАЯ ШКОЛА» 1973
531.9 С 83
УДК 537.311.33 + 537.226 (075.8)
Страховский Г. М., Успенский А. В.
С 83 Основы квантовой электроники. Учеб. посо бие для студентов вузов специальности «Полу проводники и диэлектрики». М., «Высш. шко ла», 1973.
|
|
|
|
312 с. с ил. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Книга состоит |
из трех |
разделов. В первом разделе излага |
|||
|
|
|
ются физические |
основы |
квантовой |
электроники, |
во втором |
||
|
|
|
разделе |
рассматриваются |
приборы |
квантовой |
электроники, |
||
|
|
|
в третьем |
разделе — вопросы использования мощного когерент |
|||||
|
|
|
ного электромагнитного излучения. |
|
|
||||
С |
3312 — |
398 |
124 — 73 |
|
|
|
531.9 |
||
001 |
(01) |
—73 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Рецензентыі
кафедра атомной физики МГУ; докт. техн. наук проф. В. А. Дьяко в
(Московский институт электронного машиностроения)
© Изд-во «Высшая школа», 1973
ПРЕДИСЛОВИЕ
Квантовая электроника — очень молодая наука. Рождение ее от носится к 1954—1955 гг., когда в результате многолетних фундамен тальных исследований независимо и почти одновременно в СССР
Н. Г. Басовым и А. М. Прохоровым и в США группой в составе Дж. Гор дона, X. Цайгера и Ч. Таунса был запущен квантовый генератор на пучке молекул аммиака. Тем самым был открыт новый метод генера ции и усиления электромагнитных волн, основанный на использова нии индуцированного излучения квантовых систем в возбужденном состоянии.
За создание квантового генератора на пучке молекул аммиака со ветским ученым Н. Г. Басову и А. М. Прохорову присуждена Ленин ская премия. А в 1964 г. Нобелевский комитет отметил заслуги двух вышеназванных групп в создании квантовой электроники, присудив Нобелевскую премию по физике советским ученым, ныне академикам, Н. Г. Басову и А. М. Прохорову и американскому ученому Ч. Таунсу.
Интересно отметить, что обе группы физиков работали в области радиоспектроскопии над созданием радиоспектроскопов высокой раз решающей силы. Впоследствии в лекции, прочитанной после вручения ему Нобелевской премии, акад. А. М. Прохоров отмечал, что это совпа дение не было случайным, не было случайным и то, что к идее нового метода усиления и генерации пришли физики, работавшие в области радиоспектроскопии. Именно радиоспектроскопия явилась непосред ственной предшественницей квантовой электроники. Она помогла уста новить структуру уровней, частоты и интенсивности переходов и ре лаксационные свойства веществ. Эти данные в настоящее время важны для квантовой электроники, а сама радиоспектроскопия является одной из составных частей квантовой электроники.
Физики, работавшие в области радиоспектроскопии, с одной сто роны, понимали значение индуцированного излучения; с другой сто
роны, они знали, что если |
система усиливает проходящее излучение, |
то с помощью ее возможно |
создать генератор, но необходима обратная |
связь — резонатор. Вне сомнения, некоторые ученые еще в сороковых годах нашего века понимали, что если атомы привести в возбужденное состояние, то они будут усиливать электромагнитное излучение. Так, еще в 1939 г. советский ученый В. А. Фабрикант указал на возможность экспериментального обнаружения «отрицательной абсорбции» в работе, посвященной изучению оптических свойств газового разряда. Однако
3
в то время никто не говорил о возможности создания квантовых гене раторов. Это предложение не только было осмыслено теоретически, но и реализовано практически лишь в 1954—1955 гг. двумя вышеназван ными группами исследователей СССР и США.
Основные этапы развития квантовой электроники таковы. Вскоре после создания квантового генератора на пучке молекул аммиака было выдвинуто (а затем и реализовано) предложение по созданию кванто вых усилителей на основе парамагнитных кристаллов. Затем квантовая электроника начинает продвигаться в оптический диапазон длин волн. В 1960 г. был запущен первый оптический квантовый генератор на кристалле рубина, положивший начало целому классу генераторов и усилителей на ионных кристаллах и стеклах. Несколько позднее был запущен первый газовый оптический квантовый генератор, а затем квантовые генераторы и усилители на полупроводниках. Появилось и интенсивно развивается новое направление квантовой электроники — нелинейная оптика. Квантовая электроника бурно развивается и в на стоящее время; безусловно, здесь еще будут созданы новые направ ления и получены новые замечательные результаты.
Цель настоящего учебного пособия — систематически изложить основы квантовой электроники для студентов специальности «Полу проводники и диэлектрики».
Книга |
рассчитана |
на читателя, |
имеющего подготовку по |
общей |
|
физике, квантовой |
механике и элементарные знания в области |
радио |
|||
техники. |
|
|
|
|
|
Материал данного учебного пособия логически распадается на три |
|||||
больших |
раздела: |
I . |
Физические |
основы квантовой электроники; |
|
I I . Приборы квантовой электроники; |
I I I . Взаимодействие мощных ко |
||||
герентных |
потоков |
электромагнитного излучения с веществом. |
|
Первый раздел знакомит читателя с физическими основами но вого метода генерации и усиления электромагнитного излучения. Во втором разделе рассмотрены приборы, разработанные квантовой электтроникой, их возможности и применения. В третьем разделе приведены новые направления научных исследований, которые стали возможны в результате разработки квантовой электроникой источников мощного когерентного электромагнитного излучения.
Немного о терминологии. В настоящее время в этом вопросе нет еди нообразия. Даже для названия квантовой электроники часто употреб ляют другой термин— «квантовая радиофизика». Для устройств кван товой электроники в зарубежной литературе наиболее широко исполь зуются термины «мазер» (maser) и «лазер» (laser). Оба эти слова образо ваны начальными буквами целых английских фраз (microwave ampli fication by stimulated emission of radiation — усиление СВЧ излучения с помощью индуцированного излучения и light amplification by stimu lated emission of radiation—усиление света с помощью индуцирован ного излучения).
Словом «мазер» обозначаются квантовые усилители и квантовые ге нераторы радиодиапазона, словом «лазер» — квантовые усилители и квантовые генераторы оптического диапазона.
4
В отечественной литературе, кроме терминов «мазер» и «лазер», используются названия «квантовый усилитель» и «квантовый гене ратор» с указанием диапазона (радиодиапазона или оптического диа пазона). Часто используются сокращения, например, ОКГ — оптиче ский квантовый генератор, ОКУ—оптический квантовый усилитель. Специальная терминология существует для квантовых генераторов и усилителей на основе полупроводников. Например, полупроводнико вый квантовый генератор называют иногда лазерным диодом. В лите ратуре по квантовой электронике встречаются все указанные термины, поэтому авторы не сочли возможным ограничиться какой-либо группой терминов. В отношении остальной терминологии авторы старались сле довать книге «Квантовая электроника» (изд-во «Советская энцикло педия», 1969).
Несколько слов об обозначениях. Для понимания основ квантовой электроники необходимы знания из различных областей физики, где уже установились определенные каноны в обозначениях величин. Ав торы старались по возможности следовать этим канонам, вводя для различения схожих по написанию величин какие-либо индексы. На пример, р ѵ — спектральная плотность энергии поля, р — полная плотность энергии электромагнитного поля, р 3 — плотность зарядов, Рі — плотность состояний, р — матрица плотности, ptJ — элемент матрицы плотности. Особо отметим, что для обозначения напряженностей электрического и магнитного полей использованы два обозна чения: Щ и Е — для напряженности электрического поля и Ж, H -~ для напряженности магнитного поля. Символы Е и Ж использованы либо в общем случае, либо для обозначения напряженностей высоко частотных полей, символы Е и Я обозначают напряженности полей, не зависящих от времени.
Прежде чем излагать основы квантовой электроники, дадим ее оп ределение.
«Квантовая электроника — это область физики, исследующая вза имодействие электромагнитного излучения с электронами, входящими в состав атомов, молекул, твердых тел, и создающая на основе этих ис
следований квантовые |
устройства |
различных диапазонов |
длин волн |
и разных назначений» |
(«Квантовая |
электроника». Изд-во |
«Советская |
энциклопедия», 1969, стр. 13). |
|
|
Авторы
Р А 3 Д Е Л I
Ф И З И Ч Е С К ИЕ О С Н О В Ы КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Г Л А В А 1
О С Н О В Н Ы Е Ф И З И Ч Е С К И Е П О Н Я Т И Я
КВ А Н Т О В О Й Э Л Е К Т Р О Н И К И
§1.1. Энергетические уровни квантовых систем. Спонтанное и индуцированное излучение.
Коэффициенты Эйнштейна
Вклассической электронике (электронные лампы, клистроны, маг
нетроны) усиление и генерация электромагнитных волн происходят за счет к и н е т и ч е с к о й энергии электронов. В квантовой элект ронике усиление и генерация электромагнитных волн происходят за счет изменения в н у т р е н н е й энергии атомов, молекул, ионов и т. д. В дальнейшем, в тех случаях где не будет требоваться детальная конкретизация, будем говорить просто о частицах и их внутренней энер гии.
Из квантовой механики известно, что внутренняя энергия частиц квантована, т. е. может принимать ряд определенных дискретных зна чений, называемых в физике энергетическими состояниями, или энер гетическими уровнями. Самый нижний энергетический уровень (внут
ренняя энергия |
частицы наименьшая) носит название |
о с н о в н о г о . |
|
Остальные энергетические уровни соответствуют более |
высокой |
внут |
|
ренней энергии |
частицы и носят название в о з б у ж д е н н ы |
х . |
Когда говорят, что частица перешла с одного энергетического уров ня на другой, то имеют в виду, что внутренняя энергия частицы изме нилась на величину, равную разности энергий этих энергетических уровней. При переходе на более высокий энергетический уровень ча стица поглощает энергию, а при переходе на более низкий — отдает.
Эти переходы могут быть как и з л у ч а т е л ь и ы м и, т. е. пе реходами с и з л у ч е н и е м или п о г л о щ е н и е м электромаг нитного излучения (они и будут рассмотрены ниже), так и безизлучательными. Рассмотрим в первую очередь взаимодействие электромаг нитного поля с частицами (веществом). Здесь квантовая электроника оперирует двумя фундаментальными физическими понятиями — спон танного и индуцированного излучения.
Представим себе частицу с двумя |
энергетическими состояниями |
||
(уровнями) m и п, соответствующими |
значениям |
внутренней энергии |
|
Wmn Wn. Пусть для определенности |
Wm> |
Wn, |
т. е. энергетический |
6
уровень с номером m лежит выше, чем энергетический уровень с номером л. Если частица занимает более высокий энергетический уровень (т), то она может даже при отсутствии внешнего электромаг нитного поля перейти на более низкий энергетический уровень (п),
излучив квант энергии fiv ~ |
Wm — Wn. Такое излучение носит |
наз |
вание с п о н т а н н о г о |
( с а м о п р о и з в о л ь н о г о ) |
излу |
чения. |
|
|
При спонтанном переходе различные частицы излучают неодно временно и независимо, поэтому фазы излучаемых ими фотонов не свя заны между собой. Больше того, направление распространения излу чаемого фотона и его поляризация (направление вектора электриче ского поля в электромагнитной волне) тоже носят случайный характер, а частота ѵ колеблется в некоторых пределах, определяемых соотно шением неопределенности. Таким образом, спонтанное излучение не-\ направлено, неполяризовано и немонохроматично. j
Существование спонтанного излучения хорошо объясняется на ос нове как классических, так и квантовых представлений. Сточки зрения классической электродинамики электрон в атоме при движении по кру говой орбите вокруг ядра излучает энергию в виде электромагнитной волны. Это и есть спонтанное излучение. При этом сам электрон тор мозится, теряет энергию. С точки зрения квантовой электродинамики спонтанное излучение — это испускание кванта поля частицей с пере ходом с более высокого уровня на более низкий под влиянием нулевых флуктуации поля.
Во внешнем электромагнитном поле переход частиц с верхнего энер-І гетического уровня на нижний происходит быстрее, чем при отсутст-| вии поля, т. е. электромагнитное поле способно увеличить вероятность излучения кванта энергии частицей. Это дополнительное излучение под действием электромагнитного поля носит название и н д у ц и р о в а н н о г о ( в ы н у ж д е н н о г о ) излучения.
Индуцированное излучение обладает чрезвычайно важным свой ством: частота, поляризация и направление распространения кванта поля, излученного индуцированным образом, совпадают с этими же ха рактеристиками квантов внешнего электромагнитного поля.
Кроме спонтанного и индуцированного излучения, в системе частиц во внешнем электромагнитном поле может происходить также резонанс ное поглощение. Частица, находящаяся на нижнем из рассматривае мых энергетических уровней (я), под действием электромагнитного поля может перейти на более высокий энергетический уровень (т), погло
тив квант энергии hv — Wm — Wn. В этом |
случае говорят о р е з о- |
|
н а н с н о м |
п о г л о щ е н и и или просто о поглощении. |
|
Понятия |
спонтанного и индуцированного |
излучения впервые ввел |
в физику Эйнштейн. Он же использовал для установления закономер ностей спонтанного и индуцированного^излучения термодинамический подход, основные черты которого здесь и будут воспроизведены.
Рассмотрим не одну, а много частиц в электромагнитном поле. Вве дем спектральную плотность энергии электромагнитного поля р ѵ .
7
Полная плотность энергии электромагнитного поля р определится че рез р ѵ следующим образом:
со
Р= § Рѵ (ѵ) dv.
о
Всистеме из многих частиц в электромагнитном поле могут про исходить все три процесса: спонтанное излучение, индуцированное излучение и поглощение. Обозначив через dxsfmn вероятность частице, занимающей уровень т, перейти спонтанно на уровень п с излуче
нием кванта энергии hv ----- Wт — Wn за интервал времени dt. Эйнш тейн предположил, что dw£n можно записать в виде
dwZ=Amndt, |
(1.1) |
где коэффициент Атп не зависит от времени и спектральной |
плотности |
энергии электромагнитного поля. |
|
Частица может перейти за тот же интервал времени dt с |
уровня m |
на уровень п с излучением кванта энергии hv = Wm — Wn и в резуль тате индуцированного перехода. Эйнштейн постулировал, что вероят ность этого события dWmn пропорциональна спектральной плотности энергии электромагнитного поля:
dWmn = BmnPvdt. |
(1.2) |
Коэффициент Втп, так же как и коэффициент Атп, |
не зависит от |
времени и спектральной плотности энергии электромагнитного поля. Наконец частица с уровня п может поглотить квант энергии элект ромагнитного поля hv = Wm — Wn и перейти на более высокий уро вень m за интервал времени dt. Вероятность этого события обозначим
dWnm. Тогда по Эйнштейну
|
dWnm = BnmPvdt, |
(1.3) |
|
где коэффициент Впт |
опять-таки не зависит от времени и спектральной |
||
плотности энергии электромагнитного поля. |
|
|
|
В дальнейшем нам понадобится выражение для вероятности |
погло |
||
щения в единицу времени. Эту величину будем обозначать |
Wnm. |
Оче |
|
видно, |
|
|
|
|
W n m - B n m P v . |
|
(1.3а) |
Чтобы установить |
связь между коэффициентами Атп, |
Втп |
и Впт |
(их называют коэффициентами Эйнштейна), Эйнштейн рассмотрел на бор частиц, находящихся в полости в тепловом равновесии с окружаю щими их стенками полости при температуре Т. Тепловое равновесие означает, что частицы излучают такое же число квантов энергии, как и поглощают. Дадим количественную формулировку этого положения.
Пусть Nm |
— число частиц на уровне m, a Nn •— число частиц на |
|
уровне п в 1 см3 |
вещества. Для невырожденной квантовой системы ве |
|
личины Nm и Nn |
носят название н а с е л е н н о с т е й энергетиче |
|
ских уровней |
тип. |
8
Если V — объем полости, заполненной частицами, то число излу ченных квантов энергии в результате спонтанных переходов (при пере ходе с уровня т) равно:
NmVdwm^-=NmVAmndt. (1.4)
Число излученных (при переходе с уровня т) квантов энергии за счет индуцированных переходов составляет за этот же интервал вре мени
NmVdWmn = NmVBmnPvdt. |
(1.5) |
Число же квантов поля, поглощенных частицами с уровня п, равно:
NnVdWnm = NnVBnmPvdt. |
(1.6) |
Приравняем число квантов поля, излученных системой частиц в результате спонтанного и индуцированного излучения [формулы (1.4), (1.5)], числу квантов поля, поглощенных системой [формула (1.6)]. После сокращения на Vdt получим:
Nm(Amn+Bmnpv) |
= NnBnmpv. |
(1.7) |
Известно, что при тепловом равновесии распределение частиц по уровням подчиняется распределению Больцмана. Иначе говоря, число частиц на уровне с номером і в 1 см3 вещества равно:
Здесь N — полное число частиц на всех энергетических уровнях в
1 см3 вещества; 2—статистическая |
сумма: 2 |
е х Р | — — ). agt — |
||||||||
|
|
|
|
|
і |
\ |
|
kT J |
|
|
статистический вес уровня. Для простоты в последующем |
изложении |
|||||||||
примем, что рассматриваемая система невырожденная (gt |
= |
1). Тогда |
||||||||
из формулы (1.8) следует, что число частиц на уровне m в 1 см3 |
вещества |
|||||||||
* (населенность уровня m) Nm |
= ^exp |
( — — |
Ѵачисло частиц на уров- |
|||||||
|
|
2 |
1 V |
kT |
|
|
|
|
|
|
не я в 1 см3 вещества (населенность уровня п) Nn = — exp |
(— -—^. Под- |
|||||||||
|
|
|
|
|
2 |
|
\ |
kT |
I |
|
ставляя эти выражения в равенство (1.7), получаем: |
|
|
|
|
|
|||||
(Ann |
+ Втп Pv) exp |
( — ^ |
) = |
Bnm |
P v exp ( - |
^ |
j |
. |
|
( 1.9) |
При T |
oo спектральная плотность энергии излучения р ѵ |
неогра |
ниченно возрастает и, следовательно, при достаточно высоких темпе
ратурах Втп р ѵ > А
тп •
С другой стороны, оба экспоненциальных множителя при Т - > оо стремятся к единице. Поэтому при Т ~> оо равенство (1.9) переходит в В1ПпPv = Bnmpv. Отсюда получается первое соотношение между коэффициентами Эйнштейна:
Втп = Впт. |
(1.10) |
9