Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ненакаливаемые катоды

..pdf
Скачиваний:
20
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
24.03 Mб
Скачать

НЕНАКАЛИВАЕМЫЕ

КАТОДЫ

Под редакцией профессора М. И. Е Л И Н С О Н А

МОСКВА «СОВЕТСКОЕ РАДИО» 1974

УДК621.382.+ 537.525.2

Ненакаливаемые катоды. Под ред. М. И. Е л и н с о н а . М., «Сов.

радио» 1974, 336 с.

Изложены физические принципы работы нснакаливаемых катодов (НК) различных типов: низковольтных маломощных НК для использова­ ния в вакуумных интегральных схемах, в специальных электронно-лу­ чевых и индикаторных приборах и высоковольтных мощных НК для

сверхвысокочастотной, рентгеновской и ускорительной техники. Приводятся экспериментальные данные но исследованию эмиссион­

ных свойств НК и их основные эксплуатационные параметры. Рас­ сматриваются технологические методы изготовления, а также перспек­

тивы дальнейших применений и разработок НК.

Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой НК и электронных приборов на их основе, для научных работников, аспирантов и студентов, изучающих эмиссионную электронику.

161 рис., '13 табл., библ. 558 назв.

Ав т о р ы : М. И. Елинсон, Г. А. Кудшгцева, Ю. А. Кулюпин.

Р. Д.

Федорович, А. С. Сухариер, В. И. Покалякин, П. М. Томчук,

Г. В. Степанов,

М. С. Кауфман,

А. Л. Мусатов, О. И. Львов,

Г. H.

Фурсей, В.

Н. Шредник, Г. А.

Месяц.

Редакция литературы по электронной технике

 

 

ГОС.

ПУБЛИчТГлЙ

Л-0 Л ' - ' ' /

НАУЧНО-TEX; ,ИЧЕСКАЛ

БИБЛИОТЕКА СССР

У

__к- /

7 4

f 5 № Z

 

 

30407-016

 

046 (01)-74

58-73

© Издательство «Советское радио» 1974 г.

Оглавление

Предисловие (М. И. Елинсон) ......................................................

 

 

 

 

 

5

ч а с т ь

п е р в дя

 

 

 

 

 

 

 

 

НИЗКОВОЛЬТНЫЕ МАЛОМОЩНЫЕ

Н ЕНАКАЛ И ВАЕМЫЕ

КАТОДЫ

9

Г л а в а

1. Ненакаливаемые катоды на основе тонких пленок

9

1.1. Введение (/VI. И. Елинсон) .........................................

 

 

металличе­

9

1.2.

Электронная эмиссия из диспергированных

 

 

ских ' пленок

(Ю. А, Кулюпин,

Р.

А.

Федорович,

 

1.3.

А. С. С у х а р и е р ) ..............................................................

па основе

 

 

10

 

Ненакаливаемые

катоды

пленок двуокиси

29

1.4.

олова (Г. А. Кудинцева,

М. И. Елинсон)

 

. . .

Ненакаливаемые катоды на орнове пленок окиси бария

35

1.5.

(А. С. Сухариер) .......................................................................

пленок

сернистого

кадмия

Электронная

эмиссия из

37

1.6.

(Р. А. Ф е д о р о в и ч ) .....................................................................

 

 

 

 

 

Вакуумные активные элементы, основанные на исполь­

39

1.7.

зовании тонких

пленок

(А. С. Сухариер)

 

. . .

Заключение (М.

И. Е л и н с о н ) .................................................

 

 

 

 

45

Г л а в а

2. Ненакапливаемые катоды на основе эмиссии горя­

46

чих электронов из полупроводников

..................................

 

 

 

2.1. Введение (М.

И. Елинсон) .................................................

 

 

 

 

46

2.2.Физическое представление о .горячих электронах в по­ лупроводниках; некоторые примеры функций распреде­

ления и формул для плотности эмиссионного тока го­

47

рячих электронов (Я. М. Томчук ) ..........................................

 

2.3. Ненакаливаемые катоды на основе р-п переходов, сме­

57

щенных в запирающем направлении (В.

И. Покалякин)

2.4. Ненакаливаемые

катоды на основе

транзисторных

67

структур (В. И.

П о к а л я к и н ) .................................................

 

2.5.

Заключение (М. И. Елинсон)

. . . . . .

.

68

Г л а в а

3.

Ненакапливаемые

катоды

на

основе структур

ме­

69

талл

 

(полупроводник)— диэлектрик — металл . .

.

3.1.

Введение (Г. В.

Степанов). . . . . . . .

.

69

3.2.

Физическая модель катода(Г.

В.

Степанов)

.

70

3.3.

Теоретический

анализ явлений

в МДМ-структурах

73

3.4.

(Г.

В. С т е п а н о в ) .....................................................................

на

основе

МДМ-структур

Ненакаливаемые

катоды

81

 

(Г. А. К у д и н ц е в а ) .....................................................................

 

 

 

 

 

 

3.5. Заключение (А1

 

И.

Е л и н с о н ) ...............................................

 

 

 

 

100

Г л а в а

4. Ненакаливаемые катоды на основе структур полу­

102

проводник— м е т а л л ..........................................................................

 

 

 

 

 

 

 

4.1. Введение (М. И.

Елин сон ) ......................................................

основе

структур

полу­

102

4.2.

Идеальная модель катода

на

 

 

проводник — металл

с

 

прямым

смещением

103

 

(А1

С. К а у ф м а н ) ...................................................................

 

 

 

 

и

воз­

4.3. Реальные структуры

полупроводник — металл

 

 

можные ограничения эмиссионных параметров катодов

109

4.4.

(В.

И. П о к а л я к и н ) ....................................................................

 

 

 

 

 

 

О прохождении горячих электронов через тонкие плен­

122

 

ки металлов (Г.

В. С т е п а н о в ) ...............................................

 

 

 

 

3

4.5.

О

снижении

работы вывода

меГаллйческих

йленбк

 

 

(М. С. К а у ф м а н ) .............................................................

 

127

 

4.6. Ненакаливаемые катоды на основе структур металл —

129

 

полупроводник (Г. В. Степанов) ..................................

133

4.7. Заключение (М. С. Кауфман) ..................................

 

Г л а в а

5.

Ненакаливаемые катоды на основе полупроводни­

135

ковых

структур

с отрицательным

электронным сродством

5.1.Условия реализации отрицательного электронного сродства. Анализ работы катодов на примере фото­

эмиссии

из

GaAs

{А. Л.

М у с а т о в ) ...........................

 

 

 

135

 

5.2. Фотокатоды на основе полупроводников с отрицатель­

141

ным электронным сродством

(А. Л. Мусатов)

.

.

5.3. Инжекционные

ненакаливаемые

катоды

на основе

 

систем

с

отрицательным

электронным

 

сродством

155

5.4.

(М. С.

К а у ф м а н ) .....................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оптоэлектронные

катоды на основе систем с отрица­

160

5.5.

тельным электронным сродством(А. Л. Мусатов)

.

 

Заключение

(714.

И. Е л и н с о н ) ...............................................

 

 

 

 

 

 

164

Ч А С Т Ь В Т О Р А Я

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ НЕНАКАЛИВАЕМЫЕ КАТОДЫ (МОЩНЫЕ

и

165

М АЛОМ ОЩ НЫ Е )..................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г л а в а

6. Теория

автоэлектронной

э м и с с и и ...........................

. . . .

 

165

6.1.

Введение (В. Н.

Шредник) . . .

 

 

165

6.2.

Теория

 

автоэлектронной

 

эмиссии

 

металлов

 

{В.

Н. Ш р е д н и к ) ....................................................................

 

теории

 

 

 

 

 

166

 

6.3. Границы применимости

Фаулера — Нордгейма

169

6.4.

и уточнение теорий АЭЭ (В. Н. Шредник)

. .

.

Особенности поведения автоэлектронной эмиссии в об­

 

 

ласти

сильных

 

полей

 

и

высоких

плотностей

тока

178

 

(Г. Н.

Фур е е й ) .....................................................................

эмиссия

 

полупроводников

6.5. Автоэлектронная

 

 

190

Г л а в а

(О. И.

Л ь в о в ) ..........................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7. Ненакаливаемые катоды на основе автоэлектрон­

207

ной

эм и с с и и .......................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.1. Введение (В. Н. Шредник)......................................................

 

 

 

 

 

 

207

7.2.

Источники стационарного эмиссионного тока на основе

208

 

проводников (В. Н, Шредник)

...............................................

 

соединений

7.3. АЭК

на

основе

металлоподобных

232

7.4.

(Г. А.

К у д и н ц е в а ) ......................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Перспективы практического использования АЭК из по­

237

7.5.

лупроводников

 

(Г. Н.

 

Ф у р с е й ) ........................................

 

 

формируе­

Мощные импульсные источники электронов,

 

Г л а в а

мые па основе АЭЭ (Г. Н.

Ф у р с е й ) ...........................

 

 

 

241

8. Взрывная

электронная

эмиссия

начальных стадий

269

вакуумных

разрядов

(Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей)

.

.

8.1.

Введение (Г. А.

Месяц,

Г.

Н. Фурсей)

 

. . . .

 

269

8.2.

Возникновение

электронной эмиссии при

 

взрыве ме­

273

8.3.

таллических острий (Г. А. Месяц, Г.

Н. Фурсей) .

.

Источники электронов с использованием взрывной

278

8.4.

эмиссии (Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей ).................................

 

 

 

 

Управление возбуждением

взрывной эмиссии и управ­

287

8.5.

ляемые источники электронов (Г. А. Месяц)

.

.

Сравнение

взрывной

 

эмиссии с

автоэлектронной

292

 

(Г. Н.

Фурсей,

В. II.

Ш р е д н и к ) ........................................

 

 

 

 

 

Список л и т е р а т у р ы ................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

304

Светлой памяти Дмитрия Владимировича Зернова

посвящается

Предисловие

Предлагаемая читателю книга посвящена ненакаливаемым катодам (НК), т. е. таким эмиссионным струк­ турам, для функционирования которых не требуется на­ грева материала катода.

В наши дни, в связи с бурным развитием полупровод­ никовых приборов и различных микроэлектронных устройств, основанных на физических явлениях в твер­ дых телах, и следовательно, не использующих эмиссию

электронов в вакуум, несомненно,

уменьшился интерес

к проблеме катодов

любых типов,

поскольку

наиболее

массовые вакуумные

приборы — электронные

лампы —

практически вытеснены полупроводниковыми приборами. Однако многие типы электровакуумных приборов не только не потеряли актуальности в современных радио­ электронных системах, но и продолжают интенсивно совершенствоваться, и, по-видимому, принципиально не могут быть заменены твердотельными приборами. К та­ ким приборам относятся различные типы электронно­ лучевых приборов, такие, как передающие и приемные телевизионные трубки очень высокого разрешения, элек­ тронные микроскопы, трубки для функциональных преоб­ разований, масс-спектрометры и др.; получающие все более широкое распространение в приборостроении ин­ дикаторные приборы, в особенности цифровые; различно­ го типа мощные и сверхмощные электронные приборы, такие, как некоторые приборы СВЧ диапазона, рентге­ новские приборы, лазеры с электронным возбуждением,

инжекторы в ускорителях заряженных частиц.

Наконец, в последние годы начинает интенсивно раз­ виваться новая ветвь микроэлектроники, так называемые вакуумные интегральные схемы (ВИС). Объективная необходимость возникновения ВИС связана с тем, что полупроводниковые интегральные схемы не могут функ­ ционировать в широком интервале температур, имеют

5

низкую радиационную стойкость и, следовательно, не могут использоваться в ряде важных радиоэлектронных устройств. Все сказанное является основой для продол­ жающихся исследований в области совершенствования и поиска новых источников электронов.

Разработчиков никогда не покидала мысль о созда­ нии эффективных НК. Их потенциальные преимущества связаны с практически мгновенной готовностью к работе (не требуется времени на разогрев катода), с отсутстви­ ем испарений материала катода, с высокой экономично­ стью. Очень часто нежелательным является наличие теплового излучения катода и паразитных засветок от­ дельных частей прибора. В ряде типов НК возможно внутреннее управление эмиссией, недоступное для термо­ электронных катодов. Есть надежда на получение специ­ ального вида вольт-амперных характеристик приборов, основанных на свойствах НК. Далее, плотности эмис­ сионных токов у термоэлектронных катодов, даже в им­ пульсном режиме, недостаточны, и желательно создание НК с гораздо более высокими плотностями токов.

Наконец, в ВИС крайне желательны максимальная степень миниатюризации катодов и отсутствие областей повышенной температуры в объеме, занимаемом инте­ гральной схемой, что связано с нестабильностью параме­ тров пассивных элементов.'

Таким образом, проблема создания НК, несомненно,

актуальна, и это является главным основанием для на­ писания предлагаемой книги.

Другой важной причиной, побудившей авторов взять­ ся за труд по написанию книги, является то, что многие промышленные организации ведут разработки различных типов НК и не имеют единого литературного пособия по этой проблеме.

Между тем в настоящее время существует много исследуемых типов НК, сведения о которых разбросаны в многочисленной периодической, а также патентной литературе. Составить по этим данным цельное пред­ ставление о физическом механизме и эксплуатационных возможностях отдельных типов НК, а тем более о срав­ нительных достоинствах и недостатках различных типов НК очень трудно.

Авторам кажется, что в этой ситуации кроется опас­ ность постановки ложных направлений исследования, неправильных прогнозов, неправильной эксплуатации

6

катодов ii в ряде случаев дискредитации отдельных на­ правлений исследования.

Систематизация сведений по НК, а также заключения и рекомендации, приводимые в книге, в значительной степени позволят устранить указанные недоразумения.

Первая часть книги посвящена низковольтным мало­ мощным НК, т. е. структурам, для функционирования которых нужны низкие рабочие напряжения (до десят­ ков вольт), и которые эмиттируют малые абсолютные токи. К таким структурам относятся: НК на основе тонких пленок и эмиссии горячих электронов из полу­ проводниковых систем, НК на основе структур металл (полупроводник)— диэлектрик — металл и структур по­ лупроводник— металл, а также НК на основе структур с отрицательным электронным сродством полупроводни­ ков, в том числе оптоэлектронные катоды.

В первой части обсуждается, таким образом, боль­ шое число типов НК. Они рассчитаны в основном на использование в ВИС для создания микроминиатюрных активных элементов, в электронно-лучевых и индикатор­ ных приборах, в некоторых классах масс-спектрометри- ческих приборов и пр.

Вторая часть посвящена высоковольтным НК, тре­ бующим для своего функционирования высоких напря­ жений (103 ... 106 В). В основном это автоэлектронные катоды на основе металлов, металлоподобных соедине­ ний и полупроводников. Большое внимание в этой части уделено мощным (10 ... 105 А) НК импульсного дейст­ вия и их применениям в технике СВЧ, рентгеновской и ускорительной технике. В особую группу НК этого типа выделены так называемые «взрывные» катоды. Во вто­ рой части обсуждаются также высоковольтные мало­ мощные катоды (10~6 . . . 10“3 А) для электронной ми­ кроскопии и других специальных применений.

Визложении материала авторы уделили наибольшее внимание физическому механизму работы того или ино­ го типа НК, поскольку только на основе ясного пони­ мания механизма можно составить четкое представление

оего эксплуатационных параметрах. Теория физических явлений, на которой базируется данный тип НК, изла­ гается непосредственно перед изложением эксперимен­ тальных данных, технологии и эксплуатационных пара­ метров, относящихся к этому типу НК.

Впредисловии к книге нам представляется сущест­

7

венным отметить также следующее. Несмотря на до­ вольно длительную историю (10 ... 20 лет) исследова­ ния различных типов НК, они не получили массового распространения. Некоторые типы НК продвинуты до­ статочно далеко (автоэлектронные катоды импульсного действия на основе тугоплавких металлов, катоды на основе диспергированных металлических пленок и на основе полупроводниковых пленок Sn02) и осваиваются в тех приборах, в которых их использование целесооб­ разно. Другие типы НК находятся на этапе чисто науч­ ных исследований. Экспериментально полученные эмис­ сионные данные часто ниже ожидаемых теоретически.

Основными причинами многих трудностей, с которы­ ми сталкиваются разработчики, являются: недостаточ­ ное понимание некоторых эффектов (например, меха-- низма рассеяния носителей в приконтактных областях) и, главным образом, отсутствие оптимальных материа­ лов в форме структурно совершенных, свободных от неконтролируемых примесей монокристаллов и пленок, а также оптимальных технологических методов создания необходимых эмиссионных структур.

При изучении книги читателю станет ясным, что трудности различны для различных типов НК, и всегда следует соразмерять объем необходимых затрат с той пользой, которую удается извлечь при использовании данного типа НК, даже если его параметры будут в точ­ ности соответствовать теоретическим данным.

Отметим, наконец, одну из важных особенностей книги. Коллектив авторов состоит из наиболее извест­ ных исследователей НК в нашей стране, поэтому мате­ риалы книги выходят «из первых рук». Значительную долю содержания книги составляют оригинальные ис­ следования авторов.

Многочисленность авторского коллектива с неизбеж­ ностью привела, несмотря на серию совещаний, к раз­ личию в стиле изложения. Возможно, редактору не уда­ лось в нужной степени придать книге цельность. Это, в частности, касается обозначений в формулах и сохра­ нения одинаковых пропорций при обсуждении разных аспектов работы конкретных типов НК. В связи с этим редактор будет признателен тем читателям, которые укажут на недостатки и неточности в книге.

М. Елинсон

Ч а с т ь п е р в а я

Низковольтные маломощные ненакаливаемые катоды

Г л а в а 1

Ненакаливаемые катоды на основе тонких пленок

1.1. Введение

Тонкие пленки полупроводников и металлов по це­ лому ряду свойств являются перспективными для со­ здания на их основе ненакаливаемых катодов.

К настоящему времени разработано много методов получения тонких пленок, таких, как термическое рас­ пыление материалов в вакууме, катодное (в том числе реактивное), плазменное, электронно-лучевое распыле­ ние, эпитаксиальное наращивание вакуумным, газо­ транспортным и жидкостным методами, химические ме­ тоды (гидролиз, пиролиз), электролитические методы и т. д. Для каждого из перечисленных методов разрабо­ тана и выпускается достаточно совершенная и удобная аппаратура, оснащенная в ряде случаев автоматически­ ми устройствами, обеспечивающими контроль параме­ тров пленок в процессе их получения и, следовательно, их воспроизводимость.

Фундаментально исследуются механизмы роста пле­ нок, причем имеется реальная возможность получения в ближайшем будущем пленок с управляемой структу­ рой, в том числе пленок совершенной структуры в ши­ роком интервале толщин.

В связи с развитием микроэлектроники темп иссле­ дований тонких пленок непрерывно нарастает. Для раз­ работки ненакаливаемых катодов на основе тонких пленок не требуется создание специальной технологи­ ческой базы, а может быть использована существующая база.

Существенное достоинство катодов на основе тонких пленок состоит в возможности микроминиатюризации

9

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ