книги из ГПНТБ / Медников, В. А. Высоковольтные модулированные униполярные генераторы

пряжений до 50-^-60 кв при токе до 1^-2 ма.

Модуляцйю высокого

напряжения рационально осуществлять спектром

частот от 0 до

5 кгц. Применение модулирующих частот свыше

5-М О кгц неце­

лесообразно из-за увеличения реактивных

токов

емкостной на­

« ь 0.2 — толщина слоя

первичной и вторичной обмоток;

В — статический коэффициент передачи тока триодом;

Вт — максимальная индукция сердечника;

Внач — начальная индукция;

Вн — индукция насыщения сердечника;

В 0 — остаточная индукция сердечника;

Ви — мгновенное значение индукции в сердечнике;

С и Сг, .... Сп—

электрическая емкость;'

C'v С'2,..., С,’ —

зарядные емкости II плеча выпрямителя;.

Сак — проходная емкость высоковольтных кенотронов;

Сб —

ускоряющая емкость;

,

Ск — корректирующая емкость;

Ско — емкость коллекторного перехода,транзистора;

транзисто­

CkS —< суммарная емкость коллекторных переходов батарей

ров;

емкость соединительного' кабеля;

Скаб — электрическая

Сое

— емкость секций; .

Г

Су

— зарядная емкость умножителя;

Сф — емкость фильтра;

Сэ

— блокировочная емкость экранной сетки;

1

i\

d — диаметр провода обмоток;

вторичной обмоток

du

— диаметр провода первичной и

трансформа­

Лвоз

тора;

расстояние

между

электродами

для

воздушного

— допустимое

промежутка;

d'B0R — толщина волокнистой изоляции;

dxuex

— толщина литой изоляции, обеспечивающая механическую проч­

ность;

допустимая

толщина литой изоляции,

обеспечива­

da — минимально

ющая электрическую прочность;

dR— толщина литой изоляции для равномерного электрического поля;

duoв

— минимально

допустимое

расстояние между

электродами по по­

верхности изоляции;

dA\

£ п — напряжение питания;

ha', Па— диаметр, высота и количество диодов;

E \, E i,... Ек —

ЭДС заряженных конденсаторов высоковольтного выпрямителя;

Ет —

амплитуда ЭДС;

Дном

— номинальное напряжение питания;

Е п шах

— максимальное напряжение питания;

Еп min- —

минимальное напряжение питания;

f в

— наибольшая частота работы ферритового сердечника;

f (я)

~~ граничная частота усиления по току

/мод.верх — наибольшая из модулирующих частот;

/л

— резонансная частота трансформатора с п к каскадами умноже­

/ р

ния постоянного напряжения;

— резонансная частота;

.. ha — коэффициент стабилизации;

/g ■/д 2,...Д б „ — ток базы 1, 2,

3-го транзисторов;

/бн

— ток базы насыщенного транзистора;

/б 2

— суммарный ток баз батареи транзисторов;

Id — ток диода;

Iи — ток измерительного делителя;

•

I к 1 —1 амплитудное значение тока коллектора

первой гармоники;

/ к

— мгновенное значение тока коллектора триода;

/х шах — амплитуда тс*а коллектора;

lu

h

— токи Ги II обмоток трансформатора;

/кшахн — суммарный ток коллекторов батареи транзисторов;

/ ко—

обратный ток коллектора;

,

/ кэн

—

ток коллектор-эмиттерного перехода

насыщенного транзистора;

Р у т а х

— максимальная мощность потерь в регуляторе;

АР нас ■— мощность потерь в насыщенных транзисторах;.

ДРпер — мощность потерь при переключении;

Д Ротс

— мощность потерь в закрытых транзисторах;

Q — добротность контура, содержащего вторичную обмотку высоко­

вольтного трансформатора;

iQo —■площадь поперечного сечения окна сердечника;'

<?с — площадь

поперечного

сечения

сердечника;

Ддр

— активное

сопротивление

дросселя;

Д эь Дэ2...Дэга— дополнительные резисторы в цепи эмиттеров;

ДбцДб» ...,Д б л— дополнительные сопротивления

в цепи без транзисторов;

Р в х у м

— входное сопротивление усилителя мощности;

R i

— внутреннее сопротивление кенотрона;

R iв— внутреннее сопротивление выпрямителя;

R н

— нагрузочный резистор;

R н

— приведенное сопротивление нагрузки;

R у — сопротивление управляющего элемента;

Д е т

— минимальное входное сопротивление

схемы сравнения;

Д эн

— эквивалентное сопротивление нагрузки;

г и Гг.......г п —

внутренние сопротивления вентилей;

г j, г 2 —

приведенное

сопротивление

потерь первичной и вторичной об­

моток трансформатора;

г 1 — внутреннее

сопротивление

генератора

напряжения;

S i.

S

— крутизна переходной характеристики транзистора;

S 2

— площадь сечения провода первичной и вторичной обмоток тран­

сформатора;

S 0 — количество обмоток трансформатора;

•

S n — площадь поверхности;

среднего значения;

a s

— отклонение крутизны транзистора от

Т

— период колебаний;

Т в — время выключения транзистора;

Т й T z\...T i

— постоянная времени динамических звеньев;

А Т — относительный спад вершины импульса;

t

— текущий момент времени;

tn — температура перехода;

tn max — максимальная температура перехода;

U 1,

U г

— температура окружающей среды;

— напряжение

на первичной и вторичной обмотках трансформатора;

U бн — напряжение

на переходе б аза — эмиттер насыщенного транзистора;

Uбк — наибольшее

значение напряжения

коллектор-база

закрытого

Uбэтах

транзистора;

обратное напряжение база-эмиттерного

(

— наибольшее

перехода

Uбэ

закрытого транзистора;

— напряжение

база-эмиттерного перехода триода;

U вх

— входное напряжение;

.U вых

— выходное напряжение;

U вых

— напряжение на выходе схемы измерения;

U j — амплитудное

значение напряжения первичной обмотки

трансфор­

матора;

U м

— действующее значение напряжения на входе пк каскадного выпря­

мителя;

U 1л

— действующее значение напряжения на входе пк каскадного выпря­

мителя при резонансе;

U к — амплитудное значение напряжения на коллекторе;

U(О — мгновенное значение напряжения;

Ua mai

—

максимальное напряжение нагрузки;

U п

— напряжение первичного источника;

U[ max —

наибольшая

амплитуда напряжения первичной обмотки;

U 1 max — наибольшее

значение напряжения

первой гармоники;

{/нак — напряжение накала;

£/исп —- испытательное напряжение изоляции;

t/мод

—

модулирующее напряжение;

(/и

—

напряжение на нагрузке;

перехода;

U кэ

— напряжение

коллектор-эмиттерного

U ос — напряжение обратной связи;

коллектор—эмиттер триода;

U Кэ доп — допустимое напряжение на

переходе

U кэн — напряжение

коллектор—эмиттер насыщенного

транзистора;

ц гН — напряжение

на

резисторе

нагрузки

ШИМ. в

момент

насыщения

сердечника с ППГ;

U ст — напряжение стабилизации стабилитрона;

UL — ЭДС, наводимая в обмотке;

t/omax — максимальное напряжение источника;

U обр — максимальное

допустимое

обратное

напряжение;

Up t/pac — напряжение рассогласования;

Uу — падение напряжения на управляющем элементе;

Uy max — наибольшее

напряжение "на управляющем элементе;

на выходе

(J0 — постоянная

составляющая

высокого

напряжения

выпрямителя;

U эф — эффективное значение напряжения;

t/из — электрическая прочность изоляции;

U вых — погрешность измерения выходного напряжения;

ДU — уменьшение

падения напряжения в

выпрямителе;

V B —

объем, занимаемый вакуумными вентилями;

Vn —

объем, занимаемый полупроводниковыми

вентилями;

W — энергия заряженных емкостей фильтра;

W(p) — передаточная

функция звена по Лапласу;

TF/ni-v^fPlBbix —* изображение входной

и выходной величин

по Лапласу;

(

x t

—

переменная величина;

x L — индуктивное сопротивление дросселя;

х { тах

— наибольшее значение машинной переменной;

Z b —

выходное сопротивление'Замкнутой системы;

ад,

Zp — выходное сопротивление разомкнутой системы;

а 1

— коэффициенты

разложения импульса в ряд Фурье;

«н — коэффициент

усиления транзистора по току

в схеме с общей

базой;

Р

— коэффициент усиления транзисторов по току;

Вое — коэффициент

передачи петли обратной связи;

ДВ

— отклонение статического

коэффициента

усиления • триода от

среднего значения;

7

— относительная

нестабильность напряжения

питания;