491_Arkhipov_S._N._Praktikum_po_analogovoj_skhemotekhnike_
.pdfПриложение 2
Табл. П2. Справочные данные операционных усилителей
Тип ОУ |
Назначение |
КU |
U +П, |
U –П, |
IН, |
Кос.сф, |
Rвх, |
f1, |
VUвых,, |
Uвых, |
Uсм, |
Iвх, |
RН, |
|
|
|
В |
В |
мА |
дБ |
кОм |
МГц |
В/мкс |
В |
мВ |
нА |
кОм |
К140УД1А |
Общего назначения |
500…4500 |
6,3 |
–6,3 |
2,5 |
60 |
4 |
5 |
0,2 |
+2,8 |
+17 |
225 |
5(*) |
К140УД1Б |
|
1350…12000 |
12,6 |
–12,6 |
2,5 |
60 |
4 |
5 |
0,4 |
+6 |
+17 |
150 |
5(*) |
К140УД1В |
|
8000 |
12,6 |
–12,6 |
2,5 |
60 |
4 |
5 |
0,4 |
+6 |
+17 |
150 |
5(*) |
К140УД5А |
|
500 |
12 |
–12 |
3 |
50 |
50 |
14 |
6 |
+6,5 |
+10 |
+1000 |
5(*) |
К140УД5А |
|
1000 |
12 |
–12 |
3 |
60 |
3 |
14 |
6 |
+6,5 |
+5 |
+5000 |
5(*) |
К140УД6 |
|
30 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
1000 |
1 |
2 |
6,5 / –4,5 |
+10 |
25 |
2 |
К140УД7 |
|
30 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
400 |
0,8 |
0,3 |
+10 |
+9 |
200 |
2 |
К140УД8А |
|
50 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
1 |
1 |
2 |
+10 |
+50 |
0,1 |
2 |
К140УД8Б |
|
20 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
1 |
1 |
5 |
+10 |
+100 |
0,5 |
2 |
К140УД8В |
|
20 000 |
15 |
–15 |
|
60 |
1 |
1 |
2 |
+10 |
+150 |
0,2 |
2 |
К140УД9 |
|
35 000 |
12,6 |
–12,6 |
22 |
80 |
300 |
5 |
0,5 |
+10 |
+150 |
100 |
1 |
К140УД11 |
Быстродействующий |
25 000 |
5…18 |
–5…18 |
22 |
10 |
300 |
5 |
50 |
+12 |
+150 |
200 |
2 |
К140УД12 |
Микромощный |
50 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
5000 |
0,8 |
2 |
+10 |
+6 |
6 |
2 |
К284УД1 |
Общего назначения |
20 000 |
9 |
–9 |
|
70 |
5000 |
1 |
2 |
+5 |
+10 |
6 |
5,1(*) |
К284УД2 |
|
5 000 |
6 |
–6 |
|
40 |
200 |
1 |
2 |
+5 |
+20 |
10 |
2 |
К544УД1А |
|
50 000 |
15 |
–15 |
|
64 |
10 106 |
1 |
2 |
+10 |
+30 |
0,15 |
2 |
К544УД1Б |
|
20 000 |
15 |
–15 |
|
64 |
10 106 |
1 |
2 |
+10 |
+50 |
1 |
2 |
К544УД1В |
|
20 000 |
15 |
–15 |
|
64 |
10 106 |
1 |
5 |
+10 |
+50 |
1 |
2 |
К544УД2А |
Быстродействующий |
20 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
1 106 |
15 |
20 |
+10 |
+30 |
0,1 |
2 |
К544УД2Б |
|
10 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
1 106 |
15 |
20 |
+10 |
+50 |
0,5 |
2 |
К544УД2В |
|
20 000 |
15 |
–15 |
|
70 |
1 106 |
15 |
10 |
+10 |
+50 |
1 |
2 |
К553УД1А |
Общего назначения |
15 000 |
15 |
–15 |
|
65 |
300 |
10 |
0,2 |
+10 |
+7,5 |
0,5 |
2 |
К553УД1Б |
|
25 000 |
15 |
–15 |
|
80 |
300 |
10 |
0,2 |
+10 |
+2 |
0,05 |
2 |
К553УД1Б |
|
20 000 |
15 |
–15 |
|
80 |
300 |
1 |
0,5 |
+10 |
+7,5 |
0,5 |
2 |
(*) – рекомендуемые значения для обеспечения симметричного ограничения выходного напряжения.
141
Приложение 3
Справочные данные стандартных значений пассивных компонентов
Номинальные значения резисторов и конденсаторов стандартизированы в пределах десятичного интервала. Для постоянных резисторов согласно ГОСТ 2825-67 установлено шесть рядов: Е6, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192, а для переменных резисторов в соответствии с ГОСТ 10318-80 установлен ряд Е6. Наиболее употребительные значения емкостей выбираются из рядов Е3, Е6, Е12, Е24 (табл. 3)
Номинальные значения выбираются из определенных рядов путем умножения или деления их 10n, где n – целое положительное число.
Табл. П3. Номинальные ряды
Ряд |
|
|
|
|
|
Числовые коэффициенты |
|
|
|
|
|
|||
Е3 |
1 |
|
|
|
2,2 |
|
|
|
|
|
4,7 |
|
|
|
Е6 |
1 |
|
1,5 |
|
2,2 |
|
|
3,3 |
|
|
4,7 |
|
6,8 |
|
Е12 |
1 |
1,2 |
1,5 |
1,8 |
2,2 |
|
2,7 |
3,3 |
|
3,9 |
4,7 |
5,6 |
6,8 |
8,2 |
Е24 |
1 |
1,1 |
1,2 |
1,3 |
1,5 |
|
1,6 |
1,8 |
|
2 |
2,2 |
2,4 |
2,7 |
3 |
|
3,3 |
3,6 |
3,9 |
4,3 |
4,7 |
|
5,1 |
5,6 |
|
6,2 |
6,8 |
7,5 |
8,2 |
9,1 |
Конденсаторы подразделяются по допустимому напряжению, материалу и температурному коэффициенту емкости (ТКЕ), который определяет линейную зависимость емкости от температуры. ТКЕ определяет относительное изменение емкости (в миллионных долях) при изменении температуры на один градус Цельсия. Значения ТКЕ керамических конденсаторов и их кодированные обозначения приведены в табл. П4.
Табл. П4. Значения ТКЕ керамических конденсаторов и их условные обозначения
Группа ТКЕ |
П100 |
П60 |
П33 |
МП0 |
М33 |
М47 |
М75 |
М150 |
М220 |
М330 |
М470 |
М750 |
М1500 |
М2200 |
Номинальное |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
значение |
+100 |
+60 |
+33 |
0 |
–33 |
–47 |
–75 |
–150 |
–220 |
–330 |
–470 |
–750 |
–1500 |
–2200 |
( 10-6 1/ С) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
142 |
|
|
|
|
|
|
|
Табл. П5. Постоянные резисторы
Тип |
Номинальная |
Диапазон номи- |
Ряд |
Допуск |
Тип |
|
Номинальная |
Диапазон номиналь- |
Ряд |
Допуск |
||
|
мощность, |
нальных сопро- |
|
% |
|
|
мощность, |
ных сопротивлений |
|
|
||
|
Вт |
тивлений |
|
|
|
|
Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Общего назначения |
|
|
|
|
|
||
МЛТ |
0,125 |
|
8,2 Ом…3 МОм |
Е24, |
+2; +5; |
С2-33Н |
|
0,125 |
1 |
Ом…3 МОм |
Е24, |
+1; +2; |
|
0,25 |
|
8,2 Ом…5,1 МОм |
Е96 |
+10; |
|
|
0,25 |
1 Ом…5,1 МОм |
Е96 |
+5; +10; |
|
|
0,5 |
|
1 Ом…5,1 МОм |
|
|
|
|
0,5 |
1 Ом…5,1 МОм |
|
|
|
|
1 |
|
1 Ом…10 МОм |
|
|
|
|
1 |
1 Ом…10 МОм |
|
|
|
|
2 |
|
1 Ом…10 МОм |
|
|
|
|
2 |
1 Ом…10 МОм |
|
|
|
Р1-4 |
0,25 |
|
10 Ом…1 МОм |
Е24, |
+1; +2; +5; |
С1-4 |
|
0,125 |
10 Ом…2 МОм |
Е24, |
+2; +5; |
|
|
0,5 |
|
1 Ом…10 МОм |
Е96 |
+10 |
|
|
0,25 |
10 |
Ом…10 МОм |
Е48 |
+10; |
|
|
|
|
|
|
|
|
0,5 |
10 |
Ом…10 МОм |
|
|
ВСа |
0,125 |
|
10 Ом…2 МОм |
Е24 |
+5; +10; |
ТВО |
|
0,125 |
1 Ом…100 кОм |
Е24 |
+5; +10; |
|
|
0,25 |
|
27 Ом…2,2 МОм |
|
+20; |
|
|
0,25 |
1 Ом…510 кОм |
|
+20; |
|
|
0,5 |
|
27 Ом…10 МОм |
|
|
|
|
0,5 |
1 Ом… 1 МОм |
|
|
|
|
|
|
|
|
Прецезионные |
|
|
|
|
|
||
С2-29В |
0,06 |
|
10 Ом…511 кОм |
Е24, |
+0,05; |
С2-14 |
|
0,125 |
10 Ом…1 МОм |
Е192 |
+0,1; |
|
|
0,125 |
|
1 Ом… 1 МОм |
Е192 |
+0,1; |
|
|
0,25 |
1 |
Ом…1 МОм |
|
+0,25; |
|
0,25 |
|
1 Ом… 2,2 МОм |
|
+0,25; |
|
|
0,5 |
1 Ом…2,2 МОм |
|
+0,5; |
|
|
0,5 |
|
1 Ом… 3 МОм |
|
+0,5; |
|
|
1 |
1 |
Ом…3 МОм |
|
+1 |
|
1 |
|
1 Ом… 8,5 МОм |
|
+1 |
|
|
2 |
1 Ом…5,1 МОм |
|
|
|
|
2 |
|
1 Ом… 20 МОм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При выборе резистора указывается: тип резистора, его номинал, максимальная рассеиваемая мощность и допустимый разброс параметров. Например: МЛТ 47 кОм × 0,125 Вт ± 5 %.
При выборе конденсатора указывается: тип конденсатора, его номинал, номинальное напряжение и допустимый разброс параметров. Например: КМ-4 270 пФ × 160 В ± 10 %.
В табл. П6–П8 приведены типы наиболее употребительных емкостей.
143
Табл. П6. Конденсаторы керамические низковольтные
Тип |
Номинальное |
Диапазон номи- |
Группа |
Допуск |
Тип |
Номинальное |
Диапазон номиналь- |
Группа |
Допуск |
|
напряжение, |
нальных емкостей, |
ТКЕ |
% |
|
напряжение, |
ных емкостей, пФ |
ТКЕ |
% |
|
В |
пФ |
|
(Ряд) |
|
В |
|
|
(Ряд) |
КМ-4 |
250, 160 |
16…510 |
П33 |
+5; +10; |
КМ-5 |
160, 100 |
16…680 |
П33 |
+5; +10; |
|
|
56…1 200 |
МП0 |
+20 |
|
|
68…1 600 |
МП0 |
+20 |
|
|
27…510 |
М47 |
(Е24) |
|
|
27…680 |
М47 |
(Е24) |
|
|
41…1 000 |
М75 |
|
|
|
47…1 300 |
М75 |
|
|
|
68…1 800 |
М750 |
|
|
|
68…2 700 |
М750 |
|
|
|
150…3 600 |
М1500 |
|
|
|
150…5 600 |
М1500 |
|
|
|
1 500…470 000 |
Н30 |
|
|
160, 70 |
1 500…68 000 |
Н30 |
|
КМ-6 |
50 |
120…5 100 |
П33 |
+5; +10; |
К10-17 |
25, 50 |
2,2…10 000 |
П33 |
+5; +10; |
|
|
120…6 200 |
М47 |
+20 |
|
|
2,2…12 000 |
М47 |
+20 |
|
|
180…5 610 |
М75 |
(Е24) |
|
|
10…15 000 |
М75 |
(Е24) |
|
|
470…10 000 |
М750 |
|
|
|
75…39 000 |
М750 |
|
|
|
820…1 800 |
М1500 |
|
|
|
680…470 000 |
М1500 |
+80 |
|
25 |
10 000…150 000 |
Н30 |
|
|
25, 40 |
2 200…2 200 000 |
Н90 |
–20 |
|
50 |
10 000…150 000 |
Н50 |
|
|
|
|
|
|
К10-47 |
500, 250, 160 |
10…100 000 |
МП0 |
+5; +10; |
К10-50 |
25 |
1 100…30 000 |
МП0 |
+5; +10; |
|
|
|
|
+20 |
|
|
|
|
+20 |
|
|
|
|
(Е12) |
|
|
|
|
(Е24) |
|
500, 250 |
1 000…2 200 000 |
Н30 |
+20 |
|
10 |
22 000…3 300 000 |
Н90 |
+80…–20 |
|
100, 50, 25 |
|
|
(Е12) |
|
|
|
|
(Е6) |
|
|
1 000 000… |
Н90 |
+80…–20 |
|
|
|
|
|
|
|
6 800 000 |
|
(Е6) |
|
|
|
|
|
144
Табл. П7. Конденсаторы полиэтилентерефталатные низковольтные
Тип |
Номинальное |
Диапазон номи- |
Ряд |
Допуск |
Тип |
Номинальное |
Диапазон номи- |
Ряд |
Допуск |
|
напряжение, |
нальных емко- |
|
% |
|
напряжение, |
нальных емкостей, |
|
% |
|
В |
стей, мкФ |
|
|
|
В |
мкФ |
|
|
К73-5 |
250 |
0,001…0,22 |
Е6 |
+5; +10; +20 |
К73-16 |
63 |
0,1…22 |
Е6 |
+5; +10; +20 |
К73-11 |
63 |
0,1…22 |
|
|
|
100 |
0,1…12 |
|
|
|
160 |
0,068…6,8 |
|
|
|
160 |
0,047…6,8 |
|
|
|
250 |
0,047…2,2 |
|
|
|
250 |
0,047…10 |
|
|
|
400 |
0,022…1 |
|
|
|
400 |
0,022…1 |
|
|
|
630 |
0,001…0,47 |
|
|
|
630 |
0,01…0,47 |
|
|
Табл. П8. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
Тип |
Номинальное |
Диапазон номи- |
Ряд |
Допуск |
Тип |
Номинальное |
Диапазон номи- |
Ряд |
Допуск |
|
напряжение, |
нальных емко- |
|
% |
|
напряжение, |
нальных емкостей, |
|
% |
|
В |
стей, мкФ |
|
|
|
В |
мкФ |
|
|
|
|
|
Алюминиевые оксидно-электролитические |
|
|
|
|||
К50-6 |
6,3 |
5…500 |
Е3 |
+80…-20 |
К50-24 |
6,3 |
220…10 000 |
Е3 |
+50…-20 |
|
10 |
10…4 000 |
|
|
|
10 |
47…10 000 |
|
|
|
16 |
1…4 000 |
|
|
|
16 |
22…4 700 |
|
|
|
25 |
1…4 000 |
|
|
|
25 |
100…2 200 |
|
|
|
50 |
1…4 000 |
|
|
|
50 |
10…2 200 |
|
|
|
100 |
10…15 |
|
|
|
100 |
4,7…220 |
|
|
|
160 |
10 |
|
|
|
160 |
2,2…220 |
|
|
|
|
|
|
Оксидно-полупроводниковые |
|
|
|
||
К53-1 |
6, 6,3 |
0,1…100 |
Е6 |
+10; +20; +30 |
К53-4А |
6,3 |
0,68…330 |
Е6 |
+10; +20; +30 |
|
10 |
0,1…68 |
|
|
|
16 |
0,47…220 |
|
|
|
16 |
0,068…68 |
|
|
|
20 |
1…47 |
|
|
|
20 |
0,047…47 |
|
|
|
30 |
0,47…33 |
|
|
|
30 |
0,033…33 |
|
|
|
40 |
0,1…10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
0,1…6,8 |
|
|
145
|
Характеристики биполярных транзисторов |
Приложение 4 |
|||
|
|
||||
50 |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
40 |
|
|
|
|
|
30 |
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
0 |
|
|
|
|
Uкэ,В |
0 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
Рис. П1. Выходные статические характеристики транзистора КТ312: |
|||||
|
КТ312А, КТ312Б – Iб = 0.1 мА; КТ312В – Iб = 0,05 мА |
||||
Iб, мА |
|
|
|
|
|
0,9 |
|
|
|
|
|
0,8 |
|
|
Uкэ=5В |
|
|
0,7 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
0,6 |
|
|
|
|
|
0,5 |
|
|
|
|
|
0,4 |
|
|
|
|
|
0,3 |
|
|
|
|
|
0,2 |
|
|
|
|
|
0,1 |
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
Uэб, В |
0,65 |
0,7 |
0,75 |
0,8 |
0,85 |
0,9 |
Рис. П2. Входная характеристика транзистора КТ312А-В |
|||||
146
Iк, мА
50
40
30 
20 |
|
|
|
|
10 |
|
|
Iб |
|
|
|
|
Uкэ, В |
|
0 |
|
|
|
|
0 |
10 |
20 |
30 |
40 |
Рис. П3. Выходные статические характеристики транзистора КТ3102:
КТ3102А – Iб = 25 мкА; КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д – Iб = 15 мкА;
КТ3102Е, КТ3102Г – I б = 10 мкА
Iб, мА
1
0,8
Uкэ=5 В
0,6
0,4
0,2
0 |
Uбэ, В |
|
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Рис. П4. Входная характеристика транзистора КТ3102А-Е
147
Iк, мА |
|
|
|
|
500 |
|
|
|
|
400 |
|
|
|
|
300 |
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
100 |
|
|
|
iб =0.5 мА |
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
Uкэ, В |
|
|
|
|
|
0 |
5 |
10 |
15 |
20 |
Рис. П5. Выходные статические характеристики транзистора КТ939А,Б: |
||||
|
|
Iб = 0,5 мА |
|
|
40 |
Iб, мА |
|
|
|
|
30 |
|
|
Uкэ |
= 5 В |
|
|
|
|
|
||
20 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
Uбэ,В |
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
Рис. П6. Входная характеристика транзистора КТ939А,Б |
|||||
148
200 |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
160 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
120 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
80 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
|
|
Uкэ,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
Рис. П7. Семейство выходных статических характеристик транзистора КТ3107: |
|||||||||||
КТ3107А,В – Iб = 0,2 мА; КТ3107Б, В–И, КТ3107Д – Iб = 0,1 мА; |
|||||||||||
|
|
|
|
КТ3107К,Л – I б = 0,04 мА |
|
|
|
||||
50 |
Iб, мА |
|
|
|
|
|
|
40 |
|
|
|
|
Uкэ = 5 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
30 |
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
Uбэ,В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,2 |
Рис. П8. Входная характеристика транзистора КТ3107А-Е |
|||||||
149
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
18 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
14 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
Iб |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uкэ,В |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
16 |
18 |
20 |
22 |
Рис. П9. Семейство выходных статических характеристик транзистора КТ368А, |
|||||||||||
|
|
|
|
Б: Iб = 20 мкА |
|
|
|
|
|
||
Iб, мкА
80
70
60
Uкэ = 5 В
50
40
30
20
10
0 
Uбэ,В
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
Рис. П10. Входная характеристика транзистора КТ368А, Б
150